Corso di Elettronica I per C.S. Ingegneria Elettronica
Corso di Elettronica per C.S. Ingegneria Informatica e delle Telecomunicazioni
Prova Finale 29 Ottobre 2004
1. Indicare il valore del modulo dell’impedenza presentata da un ramo serie composto da una
resistenza di 1 K e da una induttanza di 10 H alla frequenza di 1 KHz.
2. Per quali aspetti il comportamento di un generatore reale (tensione o corrente) si differenzia
da quello ideale?
3. Mettere a confronto la legge analitica I = f(V)del diodo e la schematizzazione con il modello
a caduta di tensione costante.
4. Perché il FET presenta impedenza d’ingresso idealmente infinita e nel BJT assume
comunque valori limitati?
5. Indicare la relazione esistente fra le tensioni ai terminali E,B,C di un BJT.
6. Tracciare la curva di trasferimento vo = f (vi) di un amplificatore con 0≤vi≤20 mV e sapendo
che l’amplificazione vale 20 dB per 0≤vi<10 mV e 26 dB per 10≤vi≤20 mV.
7. Perché il parametro di un buon transistor bipolare risulta essere >> 1?
8. Come deve essere polarizzato un diodo Zener per funzionare come regolatore di tensione?
9. Perché un BJT che deve lavorare con segnali impulsivi viene pilotato con valori di IB che
commutano tra 0 e IB>>IC/ ?
10. Cos’è la tensione di Early di un MOSFET?
ESERCIZIO CIRCUITALE
Dato il seguente schema circuitale con OP-AMP ideale:
Disegnare la forma d’onda del segnale vo = vo(t) in corrispondenza all’andamento del
segnale v1 costituito da un’onda quadra il cui valore varia fra 0 V e 4 V.
VCC = – VEE = 12 V
R1 = R3 = 10 k
R2 = 5 k
V2 = – 4 V.
Nota: In mancanza di risoluzione completa e corretta dei punti 1,2,5,7 e dell’esercizio circuitale la prova non
raggiungerà una valutazione di livello sufficiente.
