Corso di Elettronica I per Ingegneria Elettronica
Corso di Elettronica per Ingegneria Informatica e delle Telecomunicazioni
Prova Finale
18 Giugno 2003
1. Tracciare la caratteristica I=f(V) di un diodo Zener e illustrarne sinteticamente le
varie zone di funzionamento.
2. Cos’è il parametro F e che valori tipicamente assume nei BJT al Silicio?
3. Cos’è la tensione di Early in un MOSFET e con quale parametro viene tipicamente
rappresentata?
4. Disegnare lo schema circuitale equivalente di un amplificatore di tensione
utilizzando la rappresentazione con i parametri g.
5. Da quali condizioni deriva l’ipotesi di cortocircuito virtuale ai terminali di un
operazionale ideale?
6. Cos’è la tensione di offset VOS di un operazionale e che valori assume comunemente?
7. Un OP-AMP in anello aperto presenta fT = 10 MHz e A = 120 dB.Se l’amplificatore
reazionato che si realizza con questo componente ha AV = 20 dB, di quanto si è
ampliata la banda del circuito? Tracciare il diagramma di Bode del modulo
dell’amplificazione su cui evidenziare la variazione.
8. Riportare
l’espressione
della
transconduttanza di
un BJT e commentarla
sinteticamente.
9. In che misura la resistenza di uscita di un amplificatore a OP-AMP risente dei
benefici della reazione negativa di tipo parallelo?
10. Che funzione svolge la capacità posta in parallelo al carico resistivo di un
raddrizzatore a semplice/doppia semionda? Tracciare un diagramma temporale
esemplificativo
Nota: In mancanza di risoluzione corretta dei punti 1,2,5,7,8 e dell’esercizio circuitale la
prova non raggiungerà una valutazione di livello sufficiente.
1
300K
22K
2 C
5K
VO
1
B
V= 12 V
3 E
VS
160K
13K
Per il circuito di figura con BJT al silicio calcolare il punto di riposo noto il parametro:
F=100
Parte opzionale:
calcolare l’amplificazione di tensione A=VO /VS
noti i parametri:
gm=9.80 mS
r=10.2 K
rO=219 K
2
CAPRE
ID=C1
ID=
C=1R=
pF
RES
ID=R
R=1
