Corso di Elettronica I per Ingegneria Elettronica
Corso di Elettronica per Ingegneria Informatica e delle Telecomunicazioni
Recupero Prova Finale
12 Gennaio 2004
1. Indicare e motivare quale di queste condizioni è tipica di un BJT in saturazione:
a) IC = F IB
b) IC << F IB
c) IC >> F IB
2. In un circuito con OP-AMP che deve funzionare come amplificatore a.c., quali
elementi definiscono la banda di frequenza della risposta ? Illustrare con lo schema
circuitale.
3. Illustrare, con utilizzo del modello semplificato a T, l’influenza della resistenza di
emettitore RE sull’impedenza d’ingresso di un amplificatore a BJT in configurazione
CE.
4. Qual’è la proprietà che fondamentalmente differenzia un FET da un BJT?
5. Qual è il valore della resistenza di uscita di un amplificatore di tensione ideale?
Perché è un vantaggio per il funzionamento dell’amplifcatore di tensione?
6. Qual è la tensione di soglia di un diodo al Si a temperatura ambiente di 290 K? Cosa
accade se la temperatura del diodo aumenta?
7. Un FET in zona lineare (indicare sulle caratteristiche Ids-Vds) può essere schematizzato
come:
a) una resistenza controllata in corrente
b) una resistenza controllata in tensione
c) un generatore di corrente controllato in tensione
8. Se la caratteristica di trasferimento Vo = f(Vi) di un amplificatore manifesta una
variazione di pendenza, che implicazioni ha sulla risposta dell’amplificatore?
Nota: In mancanza di risposta corretta ai punti 3,4,5,7 e all’esercizio circuitale la prova non
raggiungerà una valutazione di livello sufficiente
1
Determinare i valori di tensione e corrente per ciascun elemento passivo del seguente circuito:
E = 10 V
R1 = 1 KΩ
R2 = 5 KΩ
VZ = 5 V
RZ = 0 Ω
R1
DZ
E
R2
2
