Corso di Elettronica I per Ingegneria Elettronica
Corso di Elettronica per Ingegneria Informatica e delle Telecomunicazioni
Prova Finale
16 Luglio 2003
1. Scrivere la relazione fra le tensioni ai terminali di un BJT.
2. Qual è l’espressione del parametro VT e che valori assume a temperatura ambiente?
3. Cos’è la tensione VTN di un MOSFET?
4. Disegnare il circuito equivalente a piccolo segnale di un transistore BJT utilizzando
la rappresentazione con i parametri h.
5. In un operazionale caratterizzato da A= 2·106 e VSAT ±= ±15 V, entro quali valori di
tensione d’ingresso sarà compresa la zona di risposta lineare in anello aperto?
6. Cosa sono le correnti di polarizzazione e l’offset di corrente di un operazionale
reale?
7. Nel circuito a OP-AMP in configurazione non invertente vi è terminale a massa
virtuale? Commentare la risposta con il supporto del disegno del circuito.
8. Con riguardo alle caratteristiche di uscita di un FET, qual’è la zona di saturazione
e perché il dispositivo viene polarizzato in tale zona per funzionare come
amplificatore?
9. Perché la verifica circuitale con il metodo di Monte Carlo fornisce indicazioni più
attendibili della “worst case analysis”?
10. Quali diodi sono in conduzione nella semionda positiva all’ingresso di un
raddrizzatore a ponte a doppia semionda?
Indicare il percorso della corrente
attraverso i diodi e il carico sullo schema di Fig.1.
Nota: In mancanza di risposta ai punti 1,2,3,7,8 e di risoluzione dell’esercizio circuitale la
prova non raggiungerà una valutazione di livello sufficiente.
1
D1
D2
+
+
v
-
S
C
D4
R
D3
v = V sin t
S
P
Fig. 1
300K
22K
2 C
5K
VO
1
V= 12 V
B
3 E
VS
160K
13K
CAPRES
ID=C1
ID=R3
C=1R=
pF
RES1 Oh
ID=R4
R=1 Ohm
RE
ID=
R=
Per il circuito di figura con BJT al silicio calcolare l’amplificazione di
tensione A=VO /VS noti i parametri:
gm= 10 mS
r= 11 K
rO= 230 K
Si assuma che per gli elementi capacitivi presenti nel circuito sia:
ωC ∞ nella banda di frequenze di lavoro dell’amplificatore.
2
