Q U E S T I O N A R I O

Corso di Elettronica I per C.S. Ingegneria Elettronica
Corso di Elettronica per C.S. Ingegneria Informatica e delle Telecomunicazioni
Prova Finale -- Aprile 2005
1. Indicare il valore del modulo dell’impedenza presentata da un ramo parallelo composto da
una induttanza di 50 mH e da una capacità di 10 F alla frequenza di 5 KHz.
2. Determinare il valore della frequenza di taglio del guadagno di corrente F di un BJT avente
F pari a 85 e frequenza di transizione di 300 MHz.
3. Descrivere mediante le relative equazioni e lo schema circuitale equivalente, il modello a
parametri h completo di un transistore bipolare.
4. Perché la VCE di un BJT npn polarizzato in regione attiva deve essere positiva e maggiore di
qualche decimo di Volt?
5. Perché un FET ideale può essere schematizzato come un VCCS?
6. Quali ipotesi vi sono a supporto dell’assunzione della condizione di corto circuito virtuale
all’ingresso di un operazionale ideale?
7. E’ possibile che un diodo a semiconduttore sia polarizzato con una tensione positiva anodocatodo ma non conduca corrente apprezzabile?
8. A cosa servono i terminali di Offset Null di un OP-AMP commerciale?
9. In che modo la caratteristica tensione-corrente del diodo è legata alla sua temperatura di
lavoro?
10. Cos’è il parametro slew rate nell’amplificatore operazionale reale?
Per il circuito di figura determinare il punto di riposo del transistor e l’amplificazione per piccoli
segnali A = vo/vS utilizzando i seguenti valori per gli elementi circuitali e i parametri del BJT:
F = 65, VT = 25 mV, VA= 50 V
VCC = VEE = 5 V
RS = 330 RB = 100 KRE = 16 KRC = 10 K RL = 220 K
Si consideri che, nel campo di frequenze di lavoro dell’amplificatore, le impedenze capacitive
presenti nel circuito sono da considerarsi nulle.
Nota: In mancanza di risoluzione completa e corretta dell’esercizio circuitale e dei punti 1,4,6,7
la prova non raggiungerà una valutazione di livello sufficiente.