1 - Cattaneo

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1. Analizzare la rete di polarizzazione di un BJT npn al silicio nello schema a reazione di
collettore. Il BJT è caratterizzato da un valore tipico del guadagno di corrente pari a 150 e le
sue resistenze valgono RB = 500 kΩ e RC = 2 kΩ. La tensione di alimentazione vale 10 V.
[Punti 8]
2. Illustrare il concetto di stabilizzazione andando nel maggior dettaglio possibile e riportando
esempi opportuni.
[Punti 7]
3. Analizzare il funzionamento del limitatore inferiore e determinarne l’andamento dell’uscita
in caso di onda d’ingresso sinusoidale con valore massimo VM = 5 V e con generatore di
riferimento pari a 2 V. Far seguire all’esercizio una spiegazione del modello adottato per il
diodo.
[Punti 5 + 2 + 3]
4. Che cos’è un diodo Zener? Per quale motivo è così importante nell’elettronica analogica?
Rispondere andando nel maggior dettaglio possibile.
[Punti 8]
5. Progettare la rete di polarizzazione di un amplificatore a BJT npn al silicio nello schema a
partitore di base. Il BJT, caratterizzato da un valore tipico di hFE = 200, deve funzionare a
regime nel punto Q (IC = 3 mA, VCE = 7 V). Determinare anche tutte le altre tensioni e
correnti del circuito. Cosa cambierebbe nel circuito se il guadagno di corrente raddoppiasse?
[Punti 10 + 8]
6. Dopo averne illustrato il funzionamento, si progetti un filtro passaalto che abbia una
frequenza di taglio pari a 350 kHz.
[Punti 6 + 5]
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