Corso di Elettronica I per C

Corso di Elettronica I per C.S. Ingegneria Elettronica
Corso di Elettronica per C.S. Ingegneria Informatica e delle Telecomunicazioni
Prova finale – 08 Novembre 2006
1. Questi modelli lineari per BJT sono del tutto equivalenti? Motivare la risposta.
ib
B
C
B
i
ic
b
C
+
v
r
be
g v

r
m be
r


i
ob
r
(a)
(b)
E
E
2. Fare l’esempio, indicando il percorso delle correnti e la polarità del generatore d’ingresso,
di un amplificatore a OP-AMP che eroga corrente al carico.
3. Indicare gli effetti della temperatura sulla caratteristica di un diodo al Si.
4. Il tempo di salita di un OP-AMP è pari a 0.5 nsec. Se Aop è pari a 500.000, indicare
l’ampiezza di banda del componente.
5. Scrivere le relazioni sull’equilibrio delle tensioni e delle correnti ai terminali di un FET, in
analogia a quanto si fa con il BJT.
Esercizi circuitali
E1) La forma d’onda di seguito riportata viene riportata all’ingresso di un comune diodo al Si.
Tracciare il diagramma temporale della forma d’onda all’uscita del diodo considerando il modello a
caduta di tensione costante. Indicare la frequenza del segnale.
Vi (V)
2
+
Vi
Vo
_
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
t (sec)
E2) Per il circuito di figura si determini l’andamento della tensione V u al variare della tensione
d’ingresso Vi fra 0 e 10 V, assumendo β = 100. Per Vi = 10 V il BJT è entrato in saturazione?
Nota: Sono assegnati 5 p.ti per E1, 10 p.ti per E2 e 3 p.ti per ogni quesito con risposta corretta e completa.