ESERCITAZIONE 2
1) Progettare un circuito amplificatore NMOS con carico a diodo che
presenti un guadagno di tensione pari a 10V/V.
2) Valutare l’incidenza degli effetti di ordine superiore (modulazione di L e
substrato) sulle performance del circuito. Modificare la progettazione
affinchè sia soddisfatta la specifica di guadagno.
3) Con il MOSFET amplificatore dimensionato al punto (1), determinare il
valore di RD di un amplificatore a carico resistivo che assorba
dall’alimentazione la stessa corrente
4) Confrontare i due amplificatori ottenuti in termini di caratteristica di
trasferimento e guadagno di tensione.
Il MOSFET è descritto dai seguenti parametri: Vth=0.7V lambda=0.1 gamma=0.3
phi=0.8. La tensione di alimentazione è 3.3V
