Invertitore logico (NOT)

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Invertitore logico (NOT)
La caratteristica di trasferimento in tensione (VTC)
Per un ingresso logico 0, cioè v I ≤V IL l'uscita logica è 1, cioè v O≥V OH ; per ingresso 1
cioè v I ≥V IH
uscita 0, cioè v O ≤V OL .
Si definisce:
• regione di transizione quella
compresa fra vIL e vIH.
• margine di rumore per ingresso
basso NML la massima ampiezza
di un segnale di rumore vN che
non provoca commutazione
dell'uscita NM L=V IL V OL
• margine di rumore per ingresso
alto NMH analogamente
NM H =V OH V IH .
Nota: le tensioni dono riferite
all'ingresso ed all'uscita
dello stesso circuito.
G. Martines
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Esempio di Invertitore logico MOS
La trans-caratteristica di uno stadio CS approssima la VTC di un invertitore.
La regione di transizione coincide con il funzionamento in regione di saturazione.
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Invertitore logico
Definizione delle soglie e degli altri valori critici
• VIL e VIH sono definiti come i
punti cui corrisponde una
pendenza -1 della VTC.
• VM, la tensione di soglia
logica corrisponde alla
condizione v I =v O sulla
VTC e si considera il punto
in cui l'invertitore cambia
stato
• Immunità al rumore si
definisce il valore minimo
dei margini di rumore
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VTC di un inverter MOS a carico resistivo
si noti che, in base alle definizioni, la VIL è in regione di saturazione e VIH in regione di
triodo.
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Caratteristica di trasferimento in tensione (VTC)
di un inverter logico ideale
G. Martines
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Figure di merito dell'inverter
Se il punto di commutazione dell'uscita è
l'istante in cui la tensione in uscita
raggiunge il 50% della sua escursione,
allora il tempo di propagazione tPHL e quello
tPLH sono mostrati con riferimento ad un
segnale di ingresso ideale. Si definisce:
• tempo di propagazione:
t PLH +t PHL
tP=
2
• massima frequenza di commutazione
1
f max =
2t p
• prodotto ritardo-potenza (power-delay
product) PDP=P D t P
• prodotto ritardo-energia (energy-delay
2
product) EDP=CV DD t P /2
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Misura dei tempi di propagazione
spesso come generatore del segnale di ingresso si usa una porta della stessa famiglia logica
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Inverter logico con singolo interruttore controllato in tensione
La rete di pull-up (PUN) è costituita dalla resistenza R, la rete di pull-down (PDN) da un
interruttore controllato in tensione con resistenza Ron quando è chiuso.
Il circuito consuma potenza statica quando l'uscita è bassa.
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Circuiti equivalenti per il funzionamento dinamico
a) per la transizione low-high:
✗ C rappresenta l'insieme delle capacità associate agli
ingressi delle porte connesse all'uscita dell'inverter che
deve caricarsi perché la tensione di uscita possa passare
da VOL a VOH.
✗ RPU è la resistenza equivalente della rete di pull-up
dell'inverter.
b) per la transizione high-low:
✗ C rappresenta la capacità equivalente che deve caricarsi
perché la tensione di uscita possa passare da VOH a VOL.
✗ RPD è la resistenza equivalente della rete di pull-down
dell'inverter.
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Funzionamento dinamico dell'inverter con singolo interruttore
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Inverter logico con doppio interruttore controllato in tensione
La rete di pull-up è costituita da un interruttore controllato in tensione che si chiude
quando vI è bassa. La rete di pull-down è costituita da un interruttore controllato in
tensione che si apre quando vI è bassa.
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Invertitore CMOS
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Funzionamento inverter CMOS con ingresso alto
G. Martines
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Funzionamento inverter CMOS con ingresso basso
G. Martines
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Caratteristica di trasferimento in tensione dell'inverter CMOS
G. Martines
15
Corrente nell'inverter CMOS
G. Martines
16
Classificazione gerarchica dei circuiti logici
G. Martines
17
Gli invertitori ripristinano il segnale digitale
G. Martines
18
Le famiglie logiche attualmente più diffuse
G. Martines
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Porte logiche elementari
Simboli e tabelle di verità
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Realizzazione porta NOR con rete di pull-up resistiva e interruttori
l'interruttore è chiuso quando la relativa variabile di controllo è vera (1)
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Rete di pull-down CMOS per una porta NOR
Equivale a quella con interruttori; il transistore conduce quando il gate è al livello alto di
tensione. L'uscita è a livello basso se almeno uno dei transistori conduce.
Ricorda che Ȳ = A+ B equivale a Y = A+ B
G. Martines
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Rete di pull-up CMOS per una porta NOR
Il transistore conduce quando il gate è al livello basso di tensione. Y è a livello alto solo se
entrambi i transistori conducono.
̄
Ricorda la legge di De Morgan: A+ B= ̄A B
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Struttura base delle porte logiche elementari CMOS
La rete di pull-up contiene transistori MOS a canale P
mentre quella di pull-down contiene transistori MOS a
canale N.
Nell'esempio si considera una porta logica a tre ingressi.
Se si considera una porta logica con un solo ingresso si
ottiene il NOT CMOS.
I simboli più utilizzati per i MOSFET nei circuiti digitali
G. Martines
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Porta NOR CMOS a due ingressi
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Realizzazione porta NAND con rete di pull-up resistiva e interruttori
l'interruttore è chiuso quando la relativa variabile di controllo è vera (1)
G. Martines
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Rete di pull-down CMOS per una porta NAND
Equivale a quella con interruttori; il transistore conduce quando il gate è al livello alto di
tensione. L'uscita è a livello basso solo se entrambi i transistori conducono.
Ricorda che Ȳ = A B equivale a Y = A B
G. Martines
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Rete di pull-up CMOS per una porta NAND
Il transistore conduce quando il gate è al livello basso di tensione. Y è a livello alto se
almeno uno dei transistori conduce.
̄
A+ B
Ricorda la legge di De Morgan: A B= ̄
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Porta NAND CMOS a due ingressi
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Esempio di realizzazione di
una Rete Combinatoria
Rete a quattro ingressi ed una uscita
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