E=18V
Esercizio
C2
100nF
R3
10kΩ
Determinare l’espressione dell’amplificazione
di tensione A(jω)=vo(jω)/vi(jω) del circuito di
figura,
tracciandone
l’andamento
nei
diagrammi asintotici di Bode.
Per il transistore si assuma un β=100 e si
trascuri la sua resistenza d’uscita ro. Inoltre si
considerino trascurabili le reattanze dei
condensatori C1 e C3, ma non quella del
condensatore C2.
R1
500kΩ
R4
100Ω
C3
C1
Q1
vo
vi
R2
39kΩ
RE
500Ω
Esercizio
Nel circuito di figura si supponga di usare un
transistore al silicio Q1 con β=100 e si trascuri la sua
resistenza dinamica d’uscita ro.
In
tali
ipotesi
determinare
l’espressione
dell’amplificazione di tensione A(jω)=vo(jω)/vi(jω) del
circuito, tracciandone l’andamento nei diagrammi
asintotici di Bode.
Si calcoli inoltre l’ampiezza del segnale d’uscita vo
quando in ingresso è presente un segnale vi = 20mV
con frequenza pari a 10Hz, 500Hz o 10kHz.
Nello studio dinamico si consideri trascurabile la
reattanza del condensatore C1, ma non quella del
condensatore C2.
E=18V
R1
500kΩ
C2
100nF
R3
10 kΩ
C1
Q1
R2
39kΩ
vi
RL
10kΩ
RE
500Ω
vo
Esercizio
Determinare l’amplificazione di
tensione AV = vo /vi per il circuito di
figura.
Q1 è un transistore in silicio con
β = 100, mentre Q2 è un MOSFET
ad arricchimento con K = 2 mA/V2
e VT = 2V.
Si
consideri
trascurabile
la
reattanza dei condensatori alla
frequenza del segnale di ingresso.
E = 6V
R1
300kΩ
R4
1kΩ
R3
3kΩ
C1
Q1
vi
R2
100kΩ
Q2
C2
vo
Esercizio
E = 15V
Determinare i punti di riposo dei due transistori e
l’amplificazione di tensione per piccolo segnale
Av = vo / vi del circuito di figura, considerando β=200
per il BJT, mentre per l’NMOS sia VT = 2V e
Kn = 3mA/V2. Si trascurino inoltre le resistenze
dinamiche d’uscita di entrambi i transistori e la
reattanza dei condensatori alla frequenza del
segnale di ingresso.
R4
1kΩ
R1
220kΩ
C2
C3
Q2
vo
R2
150kΩ
C1
Q1
vi
R3
100kΩ
Esercizio
Un invertitore CMOS, alimentato a VDD = 5V, è costituito da due transistori con le seguenti
caratteristiche: Vtn = |Vtp| = 1V, kn = kp = 1 mA/V2.
Nell’ipotesi che l’invertitore sia caricato con una capacità CL = 10 pF, determinare il tempo di
commutazione dell’invertitore. Determinare inoltre la potenza dissipata se in ingresso è presente
un segnale a frequenza 1 MHz.
Esercizio
Nel circuito invertitore rappresentato in figura i due transistori NMOS
hanno eguale tensione di soglia Vt = 1V, mentre kQU = 1 mA/V2 e
kQD = 2 mA/V2.
Determinare:
1) la tensione VO in uscita dal circuito quando la tensione in
ingresso VI assume rispettivamente i valori di 0V e VDD .
2) la massima corrente che il circuito assorbe dalla alimentazione
VDD nel caso in cui VI = 0V ed in uscita vi sia un cortocircuito verso
massa.
3) la tensione in uscita VO nel caso in cui tra il terminale d’uscita e
VDD sia collegato un resistore di pull-up da 5 kΩ, supponendo la
tensione in ingresso VI = VDD.
4) la tensione d’ingresso VI necessaria affinché, in assenza di
carico, VO = VDD /2.
VDD = 5V
QU
QD
VI
VO
Esercizio
Tracciare, in diagrammi allineati temporalmente, l’andamento delle tensioni presenti nei punti A, B
e C del circuito CMOS di figura. Si estenda il diagramma ad alcuni cicli di commutazione
indicando, con buona approssimazione, le durate degli impulsi presenti. Si trascurino i ritardi di
propagazione.
VDD
A
Multivibr.
Astabile
τ = 10ms
C
B
Multivibr.
Monostabile
τ = 5ms
.
Esercizio
Determinare il valore dell’amplificazione di
tensione per piccolo segnale A = vo / vi ,
dell’impedenza di ingresso Zi e di quella di uscita
Zo per il circuito di figura.
Per i MOSFET si assuma KU = 1 mA / V2,
KD = 5 mA / V2, VTU = VTD = 1V e una resistenza
d’uscita ro = 50kΩ nel solo modello per piccolo
segnale. Inoltre si considerino dapprima
trascurabili le reattanze dei due condensatori C1 e
C2 alla frequenza del segnale di ingresso.
Determinare
in
seguito
quale
sarebbe
l’andamento dell’amplificazione di tensione
A(jω)=vo(jω)/vi(jω) se il condensatore C1 avesse
valore pari a 10nF e tracciare tale andamento nei
diagrammi asintotici di Bode.
VDD = 15V
VDD = 15V
QU
C1
C2
R1
1,1 MΩ
QD
Vi
Vo
R2
400 kΩ
Zi
+ esercizi vari, presi dal Sedra-Smith, sugli argomenti di Elettronica Digitale trattati nel
Corso
Zo
