Esercizio Determinare l`espressione dell`amplificazione di tensione
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E=18V Esercizio C2 100nF R3 10kΩ Determinare l’espressione dell’amplificazione di tensione A(jω)=vo(jω)/vi(jω) del circuito di figura, tracciandone l’andamento nei diagrammi asintotici di Bode. Per il transistore si assuma un β=100 e si trascuri la sua resistenza d’uscita ro. Inoltre si considerino trascurabili le reattanze dei condensatori C1 e C3, ma non quella del condensatore C2. R1 500kΩ R4 100Ω C3 C1 Q1 vo vi R2 39kΩ RE 500Ω Esercizio Nel circuito di figura si supponga di usare un transistore al silicio Q1 con β=100 e si trascuri la sua resistenza dinamica d’uscita ro. In tali ipotesi determinare l’espressione dell’amplificazione di tensione A(jω)=vo(jω)/vi(jω) del circuito, tracciandone l’andamento nei diagrammi asintotici di Bode. Si calcoli inoltre l’ampiezza del segnale d’uscita vo quando in ingresso è presente un segnale vi = 20mV con frequenza pari a 10Hz, 500Hz o 10kHz. Nello studio dinamico si consideri trascurabile la reattanza del condensatore C1, ma non quella del condensatore C2. E=18V R1 500kΩ C2 100nF R3 10 kΩ C1 Q1 R2 39kΩ vi RL 10kΩ RE 500Ω vo Esercizio Determinare l’amplificazione di tensione AV = vo /vi per il circuito di figura. Q1 è un transistore in silicio con β = 100, mentre Q2 è un MOSFET ad arricchimento con K = 2 mA/V2 e VT = 2V. Si consideri trascurabile la reattanza dei condensatori alla frequenza del segnale di ingresso. E = 6V R1 300kΩ R4 1kΩ R3 3kΩ C1 Q1 vi R2 100kΩ Q2 C2 vo Esercizio E = 15V Determinare i punti di riposo dei due transistori e l’amplificazione di tensione per piccolo segnale Av = vo / vi del circuito di figura, considerando β=200 per il BJT, mentre per l’NMOS sia VT = 2V e Kn = 3mA/V2. Si trascurino inoltre le resistenze dinamiche d’uscita di entrambi i transistori e la reattanza dei condensatori alla frequenza del segnale di ingresso. R4 1kΩ R1 220kΩ C2 C3 Q2 vo R2 150kΩ C1 Q1 vi R3 100kΩ Esercizio Un invertitore CMOS, alimentato a VDD = 5V, è costituito da due transistori con le seguenti caratteristiche: Vtn = |Vtp| = 1V, kn = kp = 1 mA/V2. Nell’ipotesi che l’invertitore sia caricato con una capacità CL = 10 pF, determinare il tempo di commutazione dell’invertitore. Determinare inoltre la potenza dissipata se in ingresso è presente un segnale a frequenza 1 MHz. Esercizio Nel circuito invertitore rappresentato in figura i due transistori NMOS hanno eguale tensione di soglia Vt = 1V, mentre kQU = 1 mA/V2 e kQD = 2 mA/V2. Determinare: 1) la tensione VO in uscita dal circuito quando la tensione in ingresso VI assume rispettivamente i valori di 0V e VDD . 2) la massima corrente che il circuito assorbe dalla alimentazione VDD nel caso in cui VI = 0V ed in uscita vi sia un cortocircuito verso massa. 3) la tensione in uscita VO nel caso in cui tra il terminale d’uscita e VDD sia collegato un resistore di pull-up da 5 kΩ, supponendo la tensione in ingresso VI = VDD. 4) la tensione d’ingresso VI necessaria affinché, in assenza di carico, VO = VDD /2. VDD = 5V QU QD VI VO Esercizio Tracciare, in diagrammi allineati temporalmente, l’andamento delle tensioni presenti nei punti A, B e C del circuito CMOS di figura. Si estenda il diagramma ad alcuni cicli di commutazione indicando, con buona approssimazione, le durate degli impulsi presenti. Si trascurino i ritardi di propagazione. VDD A Multivibr. Astabile τ = 10ms C B Multivibr. Monostabile τ = 5ms . Esercizio Determinare il valore dell’amplificazione di tensione per piccolo segnale A = vo / vi , dell’impedenza di ingresso Zi e di quella di uscita Zo per il circuito di figura. Per i MOSFET si assuma KU = 1 mA / V2, KD = 5 mA / V2, VTU = VTD = 1V e una resistenza d’uscita ro = 50kΩ nel solo modello per piccolo segnale. Inoltre si considerino dapprima trascurabili le reattanze dei due condensatori C1 e C2 alla frequenza del segnale di ingresso. Determinare in seguito quale sarebbe l’andamento dell’amplificazione di tensione A(jω)=vo(jω)/vi(jω) se il condensatore C1 avesse valore pari a 10nF e tracciare tale andamento nei diagrammi asintotici di Bode. VDD = 15V VDD = 15V QU C1 C2 R1 1,1 MΩ QD Vi Vo R2 400 kΩ Zi + esercizi vari, presi dal Sedra-Smith, sugli argomenti di Elettronica Digitale trattati nel Corso Zo
