 
                                Giunzione pn : Lacune Elettroni Giunzione 'metallurgica': cucitura dei due reticoli Di fatto, esperimento ideale: in pratica non fattibile Altri effetti impediscono di realizzare la giunzione fra reticoli In concreto, giunzione realizzata su unico substrato Flusso transitorio di elettroni e lacune da zone ad alta verso zone a bassa concentrazione → Formazione di 'carica spaziale': cariche ioni donori e accettori (fisse) localmente non compensate → Formazione di un campo elettrico (direzione da n a p) che ostacola ulteriore flusso di e, h → Equilibrio Formazione dello strato di svuotamento: Concentrazioni: Approssimazione di svuotamento: Approx. di svuotamento x < −x p 0 : ni2 p0 ( x) = N A , n0 ( x) = NA −x p 0 < x < 0 : p0 ( x ), n0 ( x) ≪ N A 0 < x < + xn 0 : n0 ( x) , p0 ( x) ≪ N D x > + xn 0 : n0 ( x ) = N D , p0 ( x) = ni2 ND Densita’ di carica elettrica: Approx. di svuotamento Esatta x <−x p 0 : ρ ( x) = 0 −x p 0 < x < 0 : ρ ( x ) = −qN A 0 < x < + xn 0 : ρ ( x) = qN D x > + xn 0 : ρ ( x) = 0 Campo elettrico: Eq. di Poisson ∇⋅ E = ρ ρ dE → = , ε0 dx ε0 1D x2 1 E ( x2 ) − E ( x1 ) = ∫ ρ ( x) dx ε x 1 x < −x p 0 : E ( x) = 0 −x p 0 < x < 0 : E ( x) − E (−x p 0 ) = − 0 < x < + xn 0 : E ( x) = x > + xn 0 : E ( x) = 0 qN A x qN x −x = − A ( x + x p 0 ) p0 εs εs qN D ( x − xn 0 ) εs Potenziale elettrostatico: x V ( x) −V0 = −∫ E ( x ') dx ' x0 x → V ( x ) = −∫ E ( x ') dx ' + V0 x0 E ( x) = 0 x < −x p 0 : → V ( x ) = V0 ≡ 0 = V (−x p 0 ) E ( x) = − −x p 0 < x < 0 : qN A ( x + xp0 ) εs x  qN  2 qN A → V ( x ) = − ∫ − A ( x '+ x p 0 )dx ' = x + x p0 ) (  εs  2εs  −xp0  V (0 ) = qN A 2 xp0 2εs E ( x) = 0 < x < + xn 0 : qN D ( x − xn 0 ) εs  qN  qN 2 x → V ( x ) = − ∫  D ( x '− xn 0 )dx ' = V (0) − D ( x − xn 0 )  εs  0 2εs  −xp0  x → V ( x) = q 2εs → V ( xn 0 ) = −  N x 2 − N ( x − x )2 + N x 2  D n0 D n0   A p 0  q εs x > + xn 0 : 2  2  2 x p 0 N A + N D xn 0   2   E ( x) = 0 → V ( x ) = V ( xn 0 ) = q  N A x 2p 0 + N D xn20    2εs V ( xn 0 ) −V (−x p 0 ) ≡ Vbi = =0 (conv) q  N A x 2p 0 + N D xn20    2εs Per determinare la zona di svuotamento: 1) Neutralita' globale qN A x p 0 = qN D xn 0 carica totale lato n carica totale lato p 2) Potenziale di built-in µn dV 1 dn = Dn dx n dx q dV 1 dn d (ln n) = = Relazione di Einstein kT dx n dx dx q n → (V −V0 ) = ln kT n0 → n = n0 e q(V −V0 ) kT Fissando n = ni per V = 0 : ni = n0e − qV0 kT → n = ni e qV kT → p = pi e −  V = 0 → OK con  0 n0 = ni ≈ ND qV kT ≈ NA  kT N D Vn = ln  q ni →  kT N V p = − ln A q ni  kT  N D N A  kT N D N A = → Vbi = Vn −V p ≈ + ln Tensione di built-in ln ln  q  ni ni  q ni2 qN A x p 0 = qN D xn 0 Vbi = kT N D N A q = ln 2 q ni 2εs  N A x 2p 0 + N D xn20    Larghezza dello strato di svuotamento:  2εsVbi N A  xn 0 = q ( N A + N D ) N D    2εsVbi N D  xp0 = q ( N A + N D ) N A   → xn 0 + x p 0 = 2εsVbi ( N A + N D ) qN D N A Trovato il modo di generare f.e.m/corrente elettrica gratis? Stiamo violando un paio di principi della termodinamica? Giunzioni metallo-semiconduttore per contatti alle estremita': non si puo' misurare Vbi  non passa corrente in un circuito esterno Situazione diversa con polarizzazione esterna Equilibrio: La barriera di potenziale (← Campo elettrico dovuto alla carica spaziale) e' quella di built-in Polarizzazione inversa: Situazione simile, con barriera piu' alta V = Vbi + Vext Polarizzazione diretta: Situazione simile, con barriera piu' bassa V = Vbi −Vext