1 Uno studente tiene una lente di ingrandimento a 10 cm da un
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Prova scritta di Esperimentazioni di Fisica II del 10/4/2001 Uno studente tiene una lente di ingrandimento a 10 cm da un piccolo oggetto. La lente ha una focale di 150 mm. Calcolare l'ingrandimento che ottiene. Soluzione: Scrivo la formula della lente sottile considerando che la lente di ingrandimento deve dare un'immagine virtuale: d1 d2 immagine virtuale oggetto occhio 1 1 1 + = d1 d 2 f 1 1 1 − = 10 d 2 15 da cui d 2 = 30cm L'ingrandimento è dato da I= d 2 30 =3 = d 1 10 1 2 Prova scritta di Esperimentazioni di Fisica II del 10/4/2001 Le lettere di un dizionario sono alte 1,5mm. A quale distanza dal libro si deve tenere una lente di ingrandimento di 15cm di focale per avere un'immagine il cui ingrandimento sia 3? immagine f oggetto d1 d2 Applico la formula della lente sottile e quella dell’ingrandimento: d2 d1 =3 1 1 1 − = d1 d 2 f sostituendo nella seconda d 2 = 3d 1 si ha 1 1 1 − = d 1 3d 1 15 da cui d 1 = 30cm e d 2 = 90cm L’immagine risulta non rovesciata e virtuale. f Prova scritta di Esperimentazioni di Fisica II del 10/4/2001 Una lente sottile biconvessa ( indice di rifrazione 1,6) ha lunghezza focale = 10cm quando è immersa in aria. Se viene immersa in acqua (indice di rifrazione 1,33), a 100cm da un piccolo pesce, dove si formerà l'immagine? Soluzione: Occorre prima di tutto determinare la lunghezza focale in acqua: 1 f H 2O 1 f aria f H 2O f aria 1 1,56 1 = − 1 ⋅ + 1,33 R1 R 2 1 1 = (1,56 − 1)⋅ + R R 2 1 = (1,56 − 1) 1,56 − 1 1,33 f H 2O = 32,4cm A questo punto si può calcolare la distanza dell'immagine: 1 1 1 + = 100 d 2 f da cui risulta d 2 = 48cm 3 Prova scritta di Esperimentazioni di Fisica II del 10/4/2001 Dato il circuito rappresentato in figura calcolare la tensione Vo sapendo che il βF del transistor al silicio è di 200. 0,68k 100k 12V R3 R1 BT2 BT1 12V U1 15k R2 Vo VBE Applico il teorema di Thevenin alla maglia della base del transistor ed ottengo il circuito semplificato 0,68k R3 Ic Req 1,56V Veq 13k Ib BT2 Vo VBE=0,7V Veq = 12V U1 12 ⋅ 15 = 1,56V 100 + 15 Re q = 100 ⋅ 15 = 13k 100 + 15 Considerando che la tensione base emittore per un transistor al silicio in conduzione è 0,7V si può calcolare la corrente di base: Ib = 1,56 − 0,7 = 0,066mA 13 avendo il transistor un β F = 200 si può calcolare la corrente di collettore: Ic = 0,066 ⋅ 200 = 13,2mA la tensione richiesta risulta: Vo = 12 − 13,2 ⋅ 0,68 = 3 V 4
