programma svolto 3bi..

Programma di Telecomunicazioni svolto nella classe 3BINF nell'anno scolastico 2014-2015
Insegnanti: Prof. Canali Marco e Prof.ssa Bottarelli Roberta
FONDAMENTI DELLA TEORIA DELLE RETI LINEARI IN CONTINUA
Elettroni, protoni e neutroni. La materia allo stato solido, liquido,aeriforme. Struttura a bande dell'energia degli
elettroni nella materia allo stato solido. Banda di valenza, di conduzione e gap energetico. Struttura a bande degli
isolanti, dei conduttori, dei semiconduttori. La corrente elettrica. Equivalenza della corrente elettrica positiva con il
movimento delle cariche negative. Analogia tra il circuito elettrico e un circuito idraulico. Definizioni e unità di misura
dell'intensità di corrente, della tensione, della resistenza. Struttura a bande dei solidi, definizione di corrente, tensione,
resistenza. Circuito elettrico elementare, prima legge di Ohm, polarità della tensione ai capi della resistenza. Analogia
tra un circuito elettrico e un circuito idraulico. -Concetto di resistenza e di resistore. Diagramma della caratteristica di
una resistenza. Potenza elettrica in generale e potenza dissipata in una resistenza .Resistenza equivalente di
resistenze in parallelo. Circuito con tre resistenze in serie: resistenza equivalente. Formula della resistenza equivalente
di resistenze in parallelo. Resistenze in parallelo: due proprietà della loro resistenza equivalente.
Il generatore ideale e reale di tensione con la loro caratteristica (in grafico): la resistenza interna di un generatore
reale di tensione e le relative conseguenze. Il partitore di tensione e l'applicazione corretta della legge di Ohm.
Generatore reale di tensione e il partitore di tensione. Il generatore reale di tensione. Concetti e definizioni di nodo,
ramo e maglia. Il primo principio di Kirchhoff espresso in due modi diversi; numero di equazioni indipendenti ai nodi
applicando il primo principio.Il primo principio di Kirchhoff e sua applicazione. Il secondo principio di Kirchhoff e la sua
applicazione ad un circuito con due generatori, due nodi e tre maglie. Simulazione con Multisim del circuito considerato
per l'applicazione del secondo principio. Il metodo di Kirchhoff con determinazione delle correnti e delle tensioni.
Generatore reale di tensione. I principi di Kirchhoff. Applicazione del metodo di Cramer per la risoluzione del
sistema di tre equazioni in tre incognite. Il generatore reale di tensione. I generatori di tensione e di corrente a
confronto con le loro caratteristiche. Il principio di sovrapposizione degli effetti ed esempio di sua applicazione per
determinare una corrente in un circuito con due generatori. Suddivisione delle correnti in due resistenze in parallelo.
Metodo di applicazione del principio di sovrapposizione degli effetti.
FONDAMENTI DI ELETTRONICA DIGITALE COMBINATORIA
Introduzione all'elettronica digitale. I tre tipi di informazioni e i problemi che essi comportano. Trasmissione
parallela e trasmissione seriale.conversioni decimale-->binario e viceversa ed esadecimale-->binario e viceversa. Il bit
e il suo valore aritmetico e logico. Operazioni logiche AND. OR. NOT realizzate con interruttori e correnti e con porte
logiche e tensioni. Rappresentazione tabellare e algebrica delle operazioni delle tre porte logiche fondamentali insieme
ai loro simboli.Le tre operazioni e funzioni logiche fondamentali (AND,OR,NOT) e le loro espressioni tabellari ed
algebriche. Le porte NAND, NOR, EXOR, EXNOR con i loro simboli e le loro tabelle di verità. Dieci relazioni fondamentali
dell'algebra di Boole dimostrate per mezzo delle tabelle di verità dell'AND e dell'OR. Dimostrazione della relazione
A+Anegato*B=A+B. -Dimostrazione della relazione logica che esprime il secondo teorema dell'assorbimento.
Quadro sintetico e riassuntivo delle relazioni che esprimono le proprietà booleane fondamentali. Relazioni di De
Morgan. Esempi di applicazione delle relazioni booleane fondamentali per la semplificazione delle funzioni logiche e dei
circuiti logici. Realizzazione di una funzione logica con sole porte NAND e NOR. La porta EXOR realizzata con due
circuiti logici diversi . Metodo della somma di prodotti per passare da una tabella di verità ad un circuito logico:
esempio del sistema di allarme del recinto, del pollaio e del granaio con determinazione del circuito logico e del circuito
con interruttori. Il decoder, l'encoder.
I diodi ideali e la loro caratteristica. Transcaratteristica di circuiti resistenza-diodo. Il diodo quasi ideale e la sua
caratteristica. Tensione di soglia nei diodi reali, tensione di breakdown. Porta AND, porta OR realizzate con diodi.
Costituzione interna tecnologica dei diodi. I diodi ideali e la loro caratteristica. Transcaratteristica di circuiti resistenzadiodo. Il diodo quasi ideale e la sua caratteristica. tensioni di soglia dei diodi al germanio e schottky, al silicio,
all'arseniuro di gallio. Osservazione in laboratorio di esemplari reali di diodi. La porta AND e la porta OR realizzate con
diodi e descrizione dettagliata del funzionamento della porta AND.
Multiplexer e demultiplexer. Esperienza sul sommatore binario a quattro bit. Il semisommatore, il sommatore ompleto,
sommatore di numeri a quattro bit. Determinazione della tabella di verità di un sommatore completo. -Il circuito
interno del Full Adder.
Il transistor PNP ed NPN. Simboli, correnti, tensione base-emitter e relazioni fondamentali del suo funzionamento. Il
transistor BJT : relazioni fondamentali del suo funzionamento. Osservazione di esemplari reali di transistor. Cenni alle
tecnologie con cui si effettuano drogaggi N e P. L'hFE. Circuito in configurazione ad emitter comune e analisi del suo
funzionamento in condizione di interdizione del transistor. Il transistor in zona attiva (o lineare). Il transistor in
saturazione. Caratteristica di trasferimento di un circuito con transistor in configurazione ad emitter comune. La porta
NOT realizzata con transistor NPN. Tempi di salita e di discesa degli ingressi e dissipazione di potenza dei circuiti logici.
Relazioni che descrivono il funzionamento del transistor in configurazione ad emitter comune. Progetto di un circuito
con transistor in configurazione ad emitter comune. Condizioni in cui un BJT è in interdizione, in zona attiva e in
saturazione. Il latch SR, il latch SR con ENABLE e il latch D con il loro funzionamento e la loro tabella di verità.
Parma, 28/5/15
Gli Insegnanti
CANALI MARCO
Gli Allievi
PANDZIC KRISTIAN
CAMPORESI LORENZO
BOTTARELLI ROBERTA