Esercizio 1

Facoltà di Ingegneria
Corso di Laurea in Ingegneria Aerospaziale
Compito Scritto di Elettronica
9 Ottobre 2009
Esercizio 1
Nel circuito in figura, si consideri l’OPamp ideale, mentre i valori numerici dei parametri sono: R=1k,
R2=20k, C=100nF, Vcc=5V.
Sia inoltre Vin(t)=A cos( 2 f t ) [V], con f=1kHz. Si chiede di:
1. Determinare la ampiezza massima, Amax, tale per cui l’OPamp non lavori mai in saturazione
Esercizio 2
Nel circuito in figura sia il BJT, Q1, che i diodi, D1 e D2, sono descritti da un modello a soglia V=0.5V.
Si assuma trascurabile la corrente di base del BJT quando esso lavora in RND. La tensione collettoreemettitore all’ingresso della saturazione vale VCESAT=0.2V. I valori numerici delle resistenze sono:
Rb=50k, Rd=10k, Rc=1k, RE=200, mentre l’alimentazione è Vcc=5V.
Si chiede di:
1. Determinare e graficare la caratteristica statica Vout=Vout(Vin) per 0V< Vin<5V, evidenziando i
punti dove il BJT e i diodi cambiano regione di funzionamento.
2. Disegnare il circuito equivalente ai piccoli segnali nel punto di riposo Vin=2V, evidenziando i
versi delle correnti. Si usi il modello del BJT ai piccoli segnali ad un solo parametro (gm), con
VT=25mV.
3. Calcolare il guadagno di tensione Av=vout/vin
4. Scrivere la netlist PSpice del circuito, evidenziando le label dei nodi e mantenendo gli stessi nomi
dei componenti dello schematico in figura.