Esercizio 1

Facoltà di Ingegneria
Corso di Laurea in Ingegneria Aerospaziale
Compito Scritto di Elettronica
4 Settembre 2009
Esercizio 1
Nel circuito in figura, si consideri l’OPamp ideale, mentre i valori numerici dei parametri sono: R1=1k,
R2=10k, C=100nF, Vcc=5V.
Sia inoltre Vin(t)=0.2+ sin( 2 f t ) [V]. Si chiede di:
1. Determinare la massima frequenza minima fmin tale per cui l’OPamp non lavori mai in saturazione
Esercizio 2
Nel circuito in figura il BJT è descritto da un modello esponenziale con F=100, VT=25mV e IS=1fA,
mentre il diodo è descritto da un modello esponenziale con VT=25mV e IS=1fA. La tensione collettoreemettitore all’ingresso della saturazione vale VCESAT=0.2V. I valori numerici delle resistenze sono:
Rb=50k e Rc=1k mentre l’alimentazione è Vcc=5V.
Si chiede di:
1. Usando il modello a soglia V=0.7V, sia per il diodo che per il BJT, determinare la caratteristica
statica Vout=Vout(Vin) per 0V< Vin<5V, evidenziando i punti dove il BJT cambia regione di
funzionamento.
2. Determinare Vout nel punto di riposo Vin=2V. (usando il modello esponenziale)
3. Disegnare il circuito equivalente ai piccoli segnali, evidenziando i versi delle correnti.
4. Calcolare il guadagno di tensione Av=vout/vin
5. Scrivere la netlist PSpice del circuito, evidenziando le label dei nodi e mantenendo gli stessi nomi
dei componenti dello schematico in figura.