Classe 5^ - verifica su BJT, JFET e Mosfet
I Jfet sono detti anche transistor unipolari poiché:
a) la conduzione è sempre dovuta agli elettroni
b) conducono solo le cariche maggioritarie
c) i tre elettrodi sono collegati a tensioni concordi
In un Jfet quando Vgs = Vp la corrente Id risulta:
a) nulla a qualunque Vds
b) Idmax = Idss
c) dipende dalla Vp
Disegna i simboli di un Jfet a canale N e di un Mosfet a riempimento a canale N:
In un Jfet il campo elettrico che modula la conduttanza del canale è localizzato:
a) nel substrato
b) presso la zona di drain
c) nello strato di carica spaziale di una giunzione pn
Quale delle seguenti è una caratteristica dei Jfet?
a) bassa impedenza d'uscita
b) scarso guadagno in corrente
c) assenza di fuga termica
Qual'è la corrente d'ingresso tipica di un Jfet?
Qual’è una caratteristica dei "Logic level Fet" ?
Scrivi almeno tre differenze fra Bjt e Jfet:
Tra quali terminali di un bjt è applicabile la tensione più elevata ? In quali condizioni ?
Disegnare il grafico dell’area operativa di sicurezza di un bjt con l’indicazione dei relativi
parametri
Che cosa indica la Rds(on) nei transistor Mosfet ? A che cosa serve conoscerla ?
Disegnare il grafico della “transcaratteristica" di un Mosfet con i relativi parametri
Disegnare i simboli di un Mosfet depletion e di uno enhancement, entrambi a canale N:
Quale delle seguenti è una caratteristica dei Mosfet?
o) ridotti tempi di commutazione
o) bassa impedenza d'ingresso
o) bassa potenza dissipabile
o) basso guadagno in tensione
Scrivi almeno tre differenze fra Bjt e Mosfet:
In un Mosfet la tensione di soglia di gate dipende da:
o) spessore dell’ossido di gate
o) corrente di drain massima
o) tensione massima drain-source
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o) dal valore della tensione applicata
In quali applicazioni vengono preferiti i Mosfet rispetto ai bjt ? Perché ?
Quali parametri dell'area operativa di sicurezza possono essere estesi operando a impulsi?
Perché è pericoloso collegare i bjt in parallelo senza adeguati accorgimenti?
o) vanno in saturazione tutti i bjt del parallelo
o) si può distruggere il bjt di minor corrente
o) si possono distruggere tutti i bjt del parallelo
o) viene sbilanciata la corrente nel carico
Le strutture interdigitate consentono di ottenere, rispetto a quelle convenzionali:
o) una maggior linearità dell'andamento hFE/Ic
o) una minor capacità d'ingresso in base
o) una maggior tenuta in tensione
o) una maggior corrente di collettore a pari area di silicio
Quale delle seguenti è una differenza fra Mos e Jfet?
o) i Jfet commutano più rapidamente dei Mosfet
o) i Jfet sono dispositivi unipolari, e i Mosfet no
o) i Mosfet presentano una trascaratteristica meno lineare dei Jfet
o) i Mosfet presentano una tensione di soglia di gate inferiore
Quale elemento costituisce il substrato di un attuale Mosfet di potenza?
o) il "body"
o) il drain
o) il source
o) il canale drain-source
Qual'è il motivo per cui con i Mosfet è meno problematica la connessione in parallelo?
o) l'elevata Rds(on)
o) l'aumento della Rds(on) con la temperatura
o) la bassa transconduttanza
o) l’elevata impedenza di gate
I Mosfet di potenza presentano, rispetto ai bjt, una caduta di tensione in conduzione:
o) inferiore anche a forte corrente
o) pressoché equivalente
o) più elevata, soprattutto a forti correnti
o) indipendente dalla corrente di drain
In un Mosfet di tipo enhancement la tensione di soglia di gate ha valori compresi fra:
o) 0,1-0,2 V
o) 0.5-2 V
o) 2-6 V
o) 6-8 V
Un Jfet può funzionare esclusivamente nei modi:
o) depletion
o) enhancement
o) lineare
o) commutazione
Perché un transistor unipolare è ideale nelle applicazioni in commutazione?
Quali sono le principali differenza fra Mosfet e JFet?
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Che cosa vuol dire Mosfet enhancement o depletion? Quali sono i più utilizzati? Perché?
Le prestazioni in corrente di un bjt sono proporzionali a:
a) perimetro di emettitore
b) spessore della base
c) area di emettitore
La BVceo nei bjt planari-epitassiali dipende da:
a) concentrazione dei droganti nel collettore
b) lo spessore dello strato epitassiale
c) area di giunzione base-collettore
Qual’è la tensione più elevata applicabile ad un bjt? Perché?
L'area operativa di sicurezza di un bjt è limitata da:
a) Ic-Vce-Pd
b) Pd-Vcsat-Ic
c) Ic-Vcsat-Vce
Quali sono i dispositivi di maggior corrente?
a) Scr
b) Bjt
c) Mosfet
Quali sono i dispositivi di maggior tensione?
a) Scr
b) Bjt
c) Mosfet
Perché le strutture interdigitate sono vantaggiose?
a) per la minor area effettiva di emettitore
b) per la minor capacità parassita di collettore
c) per la maggior tenuta in tensione
Perché gli attuali Mosfet sono multicellulari?
a) per ridurre la capacità parassita Cds
b) per aumentare la tensione massima Vds
c) per ridurre la resistenza di conduzione
Perché un transistor unipolare è ideale nelle applicazioni in commutazione?
Nei bjt lo strato epitassiale serve per:
a) consentire al bjt di operare a maggior frequenza
b) linearizzare l'andamento hFE/Ic
c) aumentare notevolmente la capacità di giunzione
La sezione di un transistor VMos è simile a quella di:
a) un npn planare-epitassiale
b) un comune npn di tipo planare
c) un pnp con una diffusione in più
I transistor "overlay" (detti anche multiemettitore) vengono realizzati allo scopo di
operare ad elevata:
a) frequenza
b) temperatura
c) potenza
I transistor multiemettitore sono caratterizzati da:
a) alta densità di corrente e piccolo tempo di transito
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b) piccola capacità di collettore ma basso guadagno
c) elevata fT ma elevata capacità parassita
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