VGS
gate electrode
induced
n-type
channel
G
oxide (SiO2 )
S
n+
n+
L
depletion region
D
p-type substrate
B
Transistor NMOS ad arricchimento con una tensione positiva applicata al
gate. Un canale di tipo n è indotto sulla superficie della regione del substrato
in corrispondenza del gate.
VGS
VDS
iG= 0
iS = i D
iD
G
S
D
n+
iD
n+
inducted n-channel
p-type substrate
B
Transistor NMOS con VGS >VTH ed una debole VDS applicata. Il dispositivo si
comporta come una conduttanza il cui valore è determinato da VGS. In
particolare, la conduttanza del canale è proporzionale a VGS - VTH e la
corrente ID è proporzionale a (VGS - VTH)VDS, (per semplicità la regione di
svuotamento non è mostrata).
