PROGRAMMA DI ELETTRONICA CLASSE 4A SEZIONE A – Elettronica e Telecomunicazioni ANNO SCOLASTICO 2010 – 2011 Componenti passivi a semiconduttore o Richiami di elettrotecnica: legge di Ohm, principi di Kirchhof, teorema di Thevenin, principio di sovrapposizione, partitore di tensione, partitore di corrente o I semiconduttori: intrinseci, estrinseci. o o o o o o o o o o o o Drogaggio, semiconduttore P e semiconduttore N, la giunzione PN. Caratteristiche del diodo a semiconduttore. Retta di carico e punto di lavoro per il diodo a semiconduttore. Circuito equivalente del diodo. Analisi e sintesi di semplici circuiti con diodi. I circuiti raddrizzatori: singola semionda e doppia semionda (ponte di Graetz) Il filtro capacitivo. Il ripple negli alimentatori, progetto di alimentatore non stabilizzato. Il diodo Zener Caratteristica dello Zener e stabilizzazione in tensione. Progetto di semplici stabilizzatori a Zener. Progetto di alimentatore stabilizzato a Zener. Il BJT o Struttura fisica del BJT. o Caratteristiche di ingresso e di uscita. o Parametri caratteristici: hFE, VBEγ VCE0, VCER, VCES, VCB0, Icmax, ICB0, PDmax, SOA, dispersione e fenomeni termici Retta di carico e determinazione del punto di lavoro. Uso del BJT come interruttore. Uso del BJT come generatore di corrente. La configurazione Darlington. Stabilizzazione di tensione con BJT in configurazione serie: teoria, metodo di progetto, sintesi di stabilizzatore di tensione con BJT e Zener. o Il BJT come elemento di potenza in un alimentatore con regolatori 78XX: circuito applicativo e metodo di dimensionamento. o Uso del BJT come amplificatore: caratteristica, polarizzazione, o o o o o retta di carico dinamica, distorsione. o Polarizzazione e stabilizzazione del punto di lavoro: circuito di autopolarizzazione, stabilizzazione alle variazioni termiche, stabilizzazione ai fenomeni di dispersione delle caratteristiche. o Progetto semplificato della polarizzazione di uno stadio a BJT. o Analisi a piccoli segnali del BJT: modello a parametri h, determinazione di Zi, Zu e AV, capacità di accoppiamento, capacità sull’emettitore. o o o o Analisi della configurazione CE. Analisi della configurazione CE con resistenza di emettitore. Zi e AV della configurazione CE con resistenza di emettitore. Progetto completo di semplici preamplificatori a BJT. L’amplificazione di potenza a BJT o Principi di amplificazione di potenza: lo schema a blocchi di principio, caratteristiche generali, resistenza di ingresso, resistenza di uscita, rendimento di conversione, figura di merito, distorsione o La dinamica del finale BF, le classi di funzionamento (A, B, AB, C e D) e le loro principali caratteristiche, struttura dell’altoparlante o Lo stadio finale in classe A: • schema di principio, • corrente nell’altoparlante a riposo, c • orrente di polarizzazione, • potenza assorbita, potenza resa al carico, • rendimento e figura di merito o Lo stadio finale in classe B: • la configurazione push – pull ad alimentazione duale, • corrente di polarizzazione, • potenza assorbita, potenza resa al carico, • rendimento e figura di merito, • distorsione di Cross Over. o Lo stadio finale in classe AB: • la configurazione push – pull ad alimentazione duale, • corrente di polarizzazione, • potenza assorbita, • potenza resa al carico, • rendimento e figura di merito, • compensazione termica con resistori di emettitore. L’amplificatore operazionale o Caratteristiche ideali e reali degli amplificatori operazionali. o Configurazioni fondamentali:invertente e non invertente, concetto di massa virtuale. o Determinazione delle caratteristiche delle configurazioni fondamentali nei casi ideale e reali:guadagno, impedenza di ingresso, impedenza di uscita, banda passante. o Parametri degli operazionali. o Lo Slew Rate o Circuiti lineari fondamentali ad operazionali: • Amplificatore invertente; • Amplificatore non invertente; • Buffer; • Sommatore; o Analisi di semplici sistemi lineari con amplificatori operazionali. Laboratorio Rilievo statico della caratteristica del diodo. Il ponte di Graetz con filtro capacitivo. Raddrizzatore a singola semionda e a doppia semionda. Analisi di stabilizzatore a Zener. Uso del BJT come interruttore. Uso del BJT come generatore di corrente. Sintesi e verifica della polarizzazione di un BJT. Verifica sperimentale dello stabilizzatore a BJT. Preamplificatore a BJT a doppia uscita. Analisi del circuito invertente. Analisi del circuito non invertente. La misura dello Slew Rate. Gli alunni __________________________ __________________________ __________________________ I docenti Prof. Bruno Preite _______________________ Prof. Nicola Truppo _______________________