Transistori MOS - Corsi di Laurea a Distanza

Transistori MOS
Ing. Ivan Blunno
21 aprile 2005
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Introduzione
In questa dispensa verranno presentati i transistor MOS (Metal Oxide Semiconductor) di tipo N e P dal punto di vista del loro funzionamento elettrico, senza
analizzare i fenomeni di trasporto di carica che ne determinano il comportamento. In particolar modo verranno discusse le equazioni e le curve caratteristiche
dei componenti MOS.
2
Il transistor NMOS
Il transistor NMOS ha il simbolo circuitale mostrato in figura 1. I tre morsetti
sono chiamati gate (G), source (S) e drain (D). Il funzionamento di base del
transistor NMOS puo’ essere riassunto dicendo che
• La corrente che entra nel morsetto G è nulla (impedenza infinita).
• La corrente che scorre tra i morsetti D e S (IDS ) dipende in modo NON
lineare dalle tensioni VGS e VDS .
I parametri fondamentali che definiscono un transistor NMOS sono:
• La tensione di soglia VT n > 0.
D
I DS
G
VGS
VDS
S
Figura 1: Transistor NMOS: simbolo circuitale
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• Il guadagno βn = µn CLox W . In questa formula µn rappresenta la mobilità
degli elettroni, Cox la capacità dello strato di ossido tra gate e substrato
e W e L rispettivamente la larghezza e la lunghezza del canale.
A seconda dei valori delle tensioni VDS e VGS possono essere individuate 4
zone di funzionamento del transistor.
Zona di interdizione: VGS < VT n , ∀VDS
IDS = 0
Zona lineare: VGS > VT n , VDS ¿ VGS − VT n
IDS = βn (VGS − VT n )VDS
Zona triodo: VGS > VT n , VDS < VGS − VT n
h
V2 i
IDS = βn (VGS − VT n )VDS − DS
2
Zona di saturazione: VGS > VT n , VDS > VGS − VT n
IDS =
βn
(VGS − VT n )2
2
Il comportamento globale del transistor NMOS può essere osservato nel grafico di figura 2. Il grafico è parametrico secondo il valore di VGS − VT n . Dalle
equazioni mostrate in precedenza si può notare che il passaggio dalla zona triodo a quella di saturazione si ha quando VDS = VGS − VT n . Sostituendo questa
uguaglianza nell’equazione della zona triodo (o di quella della zona di satura2
zione) si ottiene che IDS = β2n VDS
. Questa relazione è un funzione parabolica
che rappresenta il luogo dei punti di passaggio dalla zona III alla zona IV. La
zona I rappresenta la zona di interdizione in cui la corrente IDS vale 0 (tutto
l’asse VDS ). La zona II è la zona lineare. In questa zona il transistor si comporta come una resistenza variabile di valore R = βn (VGS1−VT n ) . Infine in zona di
saturazione (zona IV) il transistor si comporta come un generatore di corrente
di valore I = βn (VGS − VT n )2 .
3
Il transistor PMOS
Il comportamento del transistor PMOS (il cui simbolo circuitale è rappresentato
in figura 3) può essere derivato da quello del transistor NMOS fatte salve alcune
differenze che verranno di seguito evidenziate:
2
I DS
III
IV
VGS - VTn = 4
VGS - VTn = 3
II
VGS - VTn = 2
VGS - VTn = 1
I
VDS
Figura 2: Transistor NMOS: curve caratteristiche.
S
VGS
I DS
G
VDS
D
Figura 3: Transistor PMOS: simbolo circuitale
3
VDD
I DS
R
vo
vi
VDS
VGS
Figura 4: Inverter NMOS
• La tensione di soglia VT p < 0. La condizione di conduzione sarà pertanto
VGS < VT p la cui analogia con l’equivalente relazione del NMOS può essere
meglio rilevata considerando i valori in modulo: |VGS | > |VT p |
• Le tensioni VGS , VDS e la corrente IDS sono tutte negative. Anche in
questo caso le equazioni che le contengono rimangono invariate rispetto
al caso del NMOS se invece del valore reale si considera il loro valore in
modulo.
• Il guadagno sarà βp =
mobilità delle lacune.
µp Cox W
L
dove in questo caso µp rappresenta la
A puro titolo di esempio viene di seguito riportata l’equazione della corrente
IDS che scorre in un PMOS in zona lineare (|VGS | > |VT n |):
|IDS | = βp (|VGS | − |VT p |)|VDS |
La corrente scorrerà da S verso D.
4
Inverter NMOS
Allo scopo di meglio comprendere il funzionamento del transistor MOS e di presentarne un primo possibile utilizzo analizziamo il funzionamento dell’inverter
NMOS rappresentato in figura 4. Il funzionamento di principio è il seguente:
per una tensione di ingresso vi = 0 il transistor sarà interdetto e la corrente
IDS = 0. Non essendoci caduta sulla resistenza R la tensione di uscita vo risulterà pari a VDD . Per una tensione di ingresso vi = VDD il transistor sarà
in conduzione e la corente IDS comporterà un abbassamento della tensione vo .
4
Il comportamento di questo circuito è proprio quello di un inverter in cui una
tensione bassa in ingresso comporta una tensione alta in uscita e viceversa.
Come esercizio proviamo a determinare quale deve essere il valore di R tale
da avere vo = VDD
per vi = VDD
nel caso che:
2
2
W = 2L , VT n = 0.7V , µn Cox = 100µA/V 2 , VDD = 5V
In queste condizioni
βn =
µn Cox W
= 200µA/V 2
L
Poiché deve essere vo = vi = VDD
e poiché vo = VDS e vi = VGS avremo
2
anche che VDS = VGS . Questa condizione identifica la zona di funzionamento
del NMOS che è quella di saturazione. La corrente che scorre in R sarà pertanto
IDS
βn
=
2
µ
VDD
− VT n
2
¶2
= 324µA/V 2
vo = VDD − IDS R
VDD
= VDD − IDS R
2
VDD
R=
= 7.72kΩ
2IDS
Completiamo questo semplice esercizio determinando qual è il valore minimo di vo che si può ottenere. Tale valore si otterrà per il massimo valore di
IDS . Allora applichiamo il massimo valore di tensione all’ingresso: vi = VDD .
In questo caso non possiamo sapere il quale zona starà lavorando il transistor.
In ogni caso, poiché VGS − VT n = 5 − 0.7 = 4.3V e poiché ci aspettiamo che
VDS abbia un valore basso, sicuramente non saremo in zona di saturazione. In
ogni caso possiamo verificare numericamente che l’assunzione di essere in zona
di saturazione sarebbe sbagliata:
IDS =
βn
(VDD − VT n )2 = 1.85mA
2
vo = VDD − IDS R = 5 − 14.27 = −9.27V
Ovviamente non può essere vo < 0 e quindi è evidente che l’assunzione
di trovarci in zona di saturazione è sbagliata. Analogamente si verifica (con
qualche calcolo in più) che il transistor non può essere neanche in zona triodo.
Allora il transistor si trova in linearità. È cosı̀ possibile calcolare la corrente IDS .
5
vo
vi
Figura 5: Inverter NMOS: realizzazione circuitale
IDS = βn (VGS − VT n )VDS = βn (VDD − VT n )(VDD − IDS R)
IDS =
βn (VDD − VT n )VDD
4.3 · 10−3
=
= 562µA
βn (VDD − Vtn )R + 1
7.64
vo = VDD − IDS R = 5 − 4.3 = 0.7V
In realtà gli inverter NMOS vengono realizzati sostituendo alla resistenza di
pull-up un transistor PMOS come mostrato in figura 5.
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