Transistori MOS Ing. Ivan Blunno 21 aprile 2005 1 Introduzione In questa dispensa verranno presentati i transistor MOS (Metal Oxide Semiconductor) di tipo N e P dal punto di vista del loro funzionamento elettrico, senza analizzare i fenomeni di trasporto di carica che ne determinano il comportamento. In particolar modo verranno discusse le equazioni e le curve caratteristiche dei componenti MOS. 2 Il transistor NMOS Il transistor NMOS ha il simbolo circuitale mostrato in figura 1. I tre morsetti sono chiamati gate (G), source (S) e drain (D). Il funzionamento di base del transistor NMOS puo’ essere riassunto dicendo che • La corrente che entra nel morsetto G è nulla (impedenza infinita). • La corrente che scorre tra i morsetti D e S (IDS ) dipende in modo NON lineare dalle tensioni VGS e VDS . I parametri fondamentali che definiscono un transistor NMOS sono: • La tensione di soglia VT n > 0. D I DS G VGS VDS S Figura 1: Transistor NMOS: simbolo circuitale 1 • Il guadagno βn = µn CLox W . In questa formula µn rappresenta la mobilità degli elettroni, Cox la capacità dello strato di ossido tra gate e substrato e W e L rispettivamente la larghezza e la lunghezza del canale. A seconda dei valori delle tensioni VDS e VGS possono essere individuate 4 zone di funzionamento del transistor. Zona di interdizione: VGS < VT n , ∀VDS IDS = 0 Zona lineare: VGS > VT n , VDS ¿ VGS − VT n IDS = βn (VGS − VT n )VDS Zona triodo: VGS > VT n , VDS < VGS − VT n h V2 i IDS = βn (VGS − VT n )VDS − DS 2 Zona di saturazione: VGS > VT n , VDS > VGS − VT n IDS = βn (VGS − VT n )2 2 Il comportamento globale del transistor NMOS può essere osservato nel grafico di figura 2. Il grafico è parametrico secondo il valore di VGS − VT n . Dalle equazioni mostrate in precedenza si può notare che il passaggio dalla zona triodo a quella di saturazione si ha quando VDS = VGS − VT n . Sostituendo questa uguaglianza nell’equazione della zona triodo (o di quella della zona di satura2 zione) si ottiene che IDS = β2n VDS . Questa relazione è un funzione parabolica che rappresenta il luogo dei punti di passaggio dalla zona III alla zona IV. La zona I rappresenta la zona di interdizione in cui la corrente IDS vale 0 (tutto l’asse VDS ). La zona II è la zona lineare. In questa zona il transistor si comporta come una resistenza variabile di valore R = βn (VGS1−VT n ) . Infine in zona di saturazione (zona IV) il transistor si comporta come un generatore di corrente di valore I = βn (VGS − VT n )2 . 3 Il transistor PMOS Il comportamento del transistor PMOS (il cui simbolo circuitale è rappresentato in figura 3) può essere derivato da quello del transistor NMOS fatte salve alcune differenze che verranno di seguito evidenziate: 2 I DS III IV VGS - VTn = 4 VGS - VTn = 3 II VGS - VTn = 2 VGS - VTn = 1 I VDS Figura 2: Transistor NMOS: curve caratteristiche. S VGS I DS G VDS D Figura 3: Transistor PMOS: simbolo circuitale 3 VDD I DS R vo vi VDS VGS Figura 4: Inverter NMOS • La tensione di soglia VT p < 0. La condizione di conduzione sarà pertanto VGS < VT p la cui analogia con l’equivalente relazione del NMOS può essere meglio rilevata considerando i valori in modulo: |VGS | > |VT p | • Le tensioni VGS , VDS e la corrente IDS sono tutte negative. Anche in questo caso le equazioni che le contengono rimangono invariate rispetto al caso del NMOS se invece del valore reale si considera il loro valore in modulo. • Il guadagno sarà βp = mobilità delle lacune. µp Cox W L dove in questo caso µp rappresenta la A puro titolo di esempio viene di seguito riportata l’equazione della corrente IDS che scorre in un PMOS in zona lineare (|VGS | > |VT n |): |IDS | = βp (|VGS | − |VT p |)|VDS | La corrente scorrerà da S verso D. 4 Inverter NMOS Allo scopo di meglio comprendere il funzionamento del transistor MOS e di presentarne un primo possibile utilizzo analizziamo il funzionamento dell’inverter NMOS rappresentato in figura 4. Il funzionamento di principio è il seguente: per una tensione di ingresso vi = 0 il transistor sarà interdetto e la corrente IDS = 0. Non essendoci caduta sulla resistenza R la tensione di uscita vo risulterà pari a VDD . Per una tensione di ingresso vi = VDD il transistor sarà in conduzione e la corente IDS comporterà un abbassamento della tensione vo . 4 Il comportamento di questo circuito è proprio quello di un inverter in cui una tensione bassa in ingresso comporta una tensione alta in uscita e viceversa. Come esercizio proviamo a determinare quale deve essere il valore di R tale da avere vo = VDD per vi = VDD nel caso che: 2 2 W = 2L , VT n = 0.7V , µn Cox = 100µA/V 2 , VDD = 5V In queste condizioni βn = µn Cox W = 200µA/V 2 L Poiché deve essere vo = vi = VDD e poiché vo = VDS e vi = VGS avremo 2 anche che VDS = VGS . Questa condizione identifica la zona di funzionamento del NMOS che è quella di saturazione. La corrente che scorre in R sarà pertanto IDS βn = 2 µ VDD − VT n 2 ¶2 = 324µA/V 2 vo = VDD − IDS R VDD = VDD − IDS R 2 VDD R= = 7.72kΩ 2IDS Completiamo questo semplice esercizio determinando qual è il valore minimo di vo che si può ottenere. Tale valore si otterrà per il massimo valore di IDS . Allora applichiamo il massimo valore di tensione all’ingresso: vi = VDD . In questo caso non possiamo sapere il quale zona starà lavorando il transistor. In ogni caso, poiché VGS − VT n = 5 − 0.7 = 4.3V e poiché ci aspettiamo che VDS abbia un valore basso, sicuramente non saremo in zona di saturazione. In ogni caso possiamo verificare numericamente che l’assunzione di essere in zona di saturazione sarebbe sbagliata: IDS = βn (VDD − VT n )2 = 1.85mA 2 vo = VDD − IDS R = 5 − 14.27 = −9.27V Ovviamente non può essere vo < 0 e quindi è evidente che l’assunzione di trovarci in zona di saturazione è sbagliata. Analogamente si verifica (con qualche calcolo in più) che il transistor non può essere neanche in zona triodo. Allora il transistor si trova in linearità. È cosı̀ possibile calcolare la corrente IDS . 5 vo vi Figura 5: Inverter NMOS: realizzazione circuitale IDS = βn (VGS − VT n )VDS = βn (VDD − VT n )(VDD − IDS R) IDS = βn (VDD − VT n )VDD 4.3 · 10−3 = = 562µA βn (VDD − Vtn )R + 1 7.64 vo = VDD − IDS R = 5 − 4.3 = 0.7V In realtà gli inverter NMOS vengono realizzati sostituendo alla resistenza di pull-up un transistor PMOS come mostrato in figura 5. 6