Relazione.
Esito delle simulazioni degli schematici discussi nella parte teorica che
sfruttano i BJT
Nota: i circuiti discussi in questa sezione sono stati simulati con il software Advanced Design System (ADS)
della Agilent. Tutti i circuiti utilizzano modelli comportamentali per i BJT, forniti nella libreria di ADS. Come
mostrato in Figura 1, sono stati inseriti nel modello i seguenti parametri: IS = 10-15 A, Bf = 100, Br = 0.8. Per
l’alimentazione, sarà sempre VCC = 10 V. Dove non specificato, è stato utilizzato il simulatore DC.
BJT_Model
BJTM1
NPN=yes
PNP=no
Is=10e-15
Bf=100
Nf=
Vaf=
Ikf=
Ise=
C2=
Ne=
Br=0.8
Nr=
Var=
Ikr=
Ke=
Kc=
Isc=
C4=
Nc=
Cbo=
Gbo=
Vbo=
Rb=
Irb=
Rbm=
Re=
Rc=
Rcv=
Rcm=
Dope=
Xtf=
Tf=
Vtf=
Itf=
Ptf=
Tr=
Kf=
Af=
Kb=
Ab=
Fb=
Rbnoi=
Iss=
Ns=
Nk=
Cex=
Cco=
Imax=
Imelt=
Cje=
Vje=
Mje=
Cjc=
Vjc=
Mjc=
Xcjc=
Cjs=
Vjs=
Mjs=
Fc=
Ffe=
Lateral=no
RbModel=MDS
Approxqb=yes
Tnom=0
Trise=0
Eg=
Xtb=
Xti=
AllParams=
Figura 1. Modello del BJT utilizzato per le simulazioni in ADS.
Stadio amplificatore a emettitore comune
Lo schematico simulato è mostrato in Figura 2. L’esito della simulazione è rappresentato in Figura 3. La
resistenza ha il valore di qualche kΩ (nell’esempio che segue, 10 kΩ)
Vcc
R1
Vout
Vin
Ingresso1
BJT2
Figura 2. Schematico dell’amplificatore a emettitore comune.
Figura 3. Esito della simulazione.
Quello che si vede da Figura 3 è che in saturazione l’uscita non è costante, ma aumenta leggermente
all’aumentare dell’ingresso. Il comportamento in regione lineare, dove il circuito è utilizzato effettivamente
per amplificare, è prossimo a quello atteso, come mostra Figura 4.
Figura 4. Caratteristica d’uscita: dettaglio in regione lineare.
Quello che si vede da Figura 4 è che, se il BJT è polarizzato con una tensione di ingresso nell’intervallo
rappresentato sulle ascisse, un piccolo segnale sinusoidale sovrapposto a tale bias subisce una notevole
amplificazione.
Stadio amplificatore a emettitore comune a doppio carico
Lo schematico simulato è quello in Figura 5. Figura 6 mostra l’uscita del circuito se le due resistenze valgono
10 kΩ. Come si può notare, la pendenza in regione lineare è pari al rapporto tra resistenza di collettore RC e
resistenza di emettitore RE invertito di segno, ovvero, -1.
Aumentando RE di un fattore 10 si ha una riduzione dello stesso fattore della pendenza nella regione
lineare, come mostra Figura 7.
Vcc
R
Vout
Vin
BJT1
Ingresso
R1
Figura 5. Schematico dello stadio amplificatore a emettitore comune con doppio carico.
Figura 6. Risposta dello stadio amplificatore a emettitore comune con doppio carico.
Figura 7. Modulazione del guadagno dello stadio amplificatore agendo sul rapporto tra RC e RE.
Stadio amplificatore con collettore comune
Lo schematico è mostrato in Figura 8. L’uscita è mostrata in Figura 9: l’andamento è molto prossimo a
quello atteso.
Vcc
Vin
Ingresso BJT1
Vout
R1
Figura 8. Schematico dello stadio amplificatore a collettore comune.
Figura 9. Risposta dello stadio amplificatore a collettore comune.
Stadio amplificatore con base comune
Schematico e risposta sono mostrati rispettivamente in Figura 10 e Figura 11.
Vout
Vcc
Vin
R1
Ingresso
BJT1
Figura 10. Schematico dello stadio amplificatore a base comune.
Figura 11. Risposta dello stadio amplificatore a base comune.
Invertitore RTL
Schematico e risposta sono rappresentati in Figura 12 e Figura 13. Si è supposto: RE = RB = 10 kΩ.
Vcc
R1
Vout
Vin
Ingresso
R2
BJT1
Figura 12. Schematico dell’invertitore RTL.
Figura 13. Risposta dell’inverter logico.
NOR RTL
Lo schematico del NOR RTL, in accordo alla teoria, sfrutta la cascata di due inverter RTL ed è mostrato in
Figura 14. Ciascun inverter è esattamente lo stesso di Figura 12. Per poterne verificare il corretto
comportamento e il rispetto della tabella della verità, è necessario effettuare un’analisi transient (non DC),
facendo variare gli ingressi nel tempo, in modo che assumano le quattro possibili configurazioni. L’uscita del
NOR sarà alta solo in un caso: quando entrambi gli ingressi sono bassi. Figura 15 mostra che effettivamente
il circuito di Figura 14 si comporta da NOR. Derivare un OR a partire da tale configurazione è banale: sarà
sufficiente mettere in cascata al NOR un inverter RTL che abbia come ingresso l’uscita del NOR (vedasi
Figura 16 e Figura 17 per il relativo schematico e simulazione rispettivamente).
Vcc
R1
Vout
Vin1
SRC3
Vin2
SRC4
R3
t
BJT2
R2
t
BJT1
Figura 14. Schematico del NOR RTL.
Figura 15. Esito della simulazione transient del NOR RTL: a sinistra sono rappresentati i due ingressi, a destra l’uscita.
Vcc
Vcc
R5
R1
VoutOR
VoutOR
R4
Vin1
SRC3
t
R3
BJT2
Vin2
SRC4
BJT3
R2
t
BJT1
Figura 16. Schematico dell’OR RTL.
Figura 17. Esito della simulazione transient dell’OR RTL: a sinistra sono rappresentati i due ingressi, a destra l’uscita.
Esercizio: stadio amplificatore a collettore comune a doppio carico con BJT pnp
Schematico ed uscita sono proposti in Figura 18 e Figura 19 rispettivamente.
Vcc
R2
Vin
Ingresso
BJT1
Vout
R1
Figura 18. Schematico dello stadio amplificatore a collettore comune con doppio carico basato su BJT pnp.
Figura 19. Uscita dello stadio amplificatore a collettore comune con doppio carico basato su BJT pnp.
Esercizio: rappresentazione della caratteristica ingresso-uscita
Il circuito in esame è rappresentato in Figura 20, mentre Figura 21 ne mostra la caratteristica d’uscita al
variare dell’ingresso. Si noti che per il modello del diodo Zener è stata assunta una IS = 10-15 A e una
tensione di Zener BV = 7 V. Il BJT è ancora di tipo pnp.
Vcc
R2
Vin
Ingresso
BJT1
Vout
DIODE1
R1
Figura 20. Schematico del circuito in esame.
Figura 21. Risposta del circuito in Figura 20.
