Elettronica di potenza
Transistori MOS
Semiconduttori di potenza
Transistori MOS
La struttura differisce da uno di piccolo segnale :
Area maggiore formata da tante celle in parallelo
Costruzione verticale con zona di drain a basso
drogaggio per sostenere tensioni elevate
Diodo intrinseco fra source e drain (body diode): il
componente NON è simmetrico
Contenitore di dimensioni elevate per una bassa
resistenza termica
Conseguenze
Capacità elevate (specie in ingresso)
Comportamento resistivo quando ON (rDSon)
Spesso richiesto un montaggio su dissipatore di
calore
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Transistori MOS
MOS Simbolo e struttura
Simbolo del mos con body
diode in evidenza
FIGURA STRUTTURA
MOS
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Vantaggi
Molto veloci in accensione e spegnimento (decine
di nanosecondi se correttamente pilotati)
Impedenza di ingresso capacitiva: non richiedono
corrente statica sul gate
MOS a bassa tensione sono ottimi interruttori
(bassissima caduta di tensione quando ON)
Facilmente parallelabili (rDSon aumenta con la
temperatura)
Diodo fra drain source (body diode), utilizzabile ma
di velocità non molto elevata
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Transistori MOS
Transistori MOS
Svantaggi
MOS ad alta tensione (>300-400V) hanno una rDSon
elevata, cattivi interruttori!
Richiedono una tensione gate-source
relativamente elevata per accendersi (5V o 10V):
possibili problemi in applicazioni a batterie
Per una accensione veloce, la corrente impulsiva di
gate è elevata (ampere o più)
I MOS a canale N hanno caratteristiche migliori
(minore resistenza) dei canale P: questi ultimi si
trovano solo a bassa tensione
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Criteri di selezione di MOS
Dato un progetto elettrico, i parametri più
importanti per la scelta di un MOS da un catalogo
sono:
Tensione di valanga drain-source VBRDS
Resistenza del canale rDSon (a temperatura max)
Case e sua dissipazione
Tensione di accensione
Normale (10V) o logic level (5V)
Capacità di ingresso
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Transistori MOS
Criteri di selezione di MOS
In alcune applicazioni è importante l’energia
dissipabile in valanaga dal diodo di substrato
Di solito tuttavia si tende a evitare la valanga nel
diodo di substrato
La corrente massima di drain spesso non è un
parametro usato nella scelta del mos: la rDSon
richiesta è una condizione più stringente
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