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spiegare per quale motivo l’effetto di una giunzione p/n potrebbe scomparire all’aumentare della
temperatura
illustrare i meccanismi attraverso cui si può avere trasporto di carica nei semiconduttori. Queli sono
le principali differenze rispetto ai metalli?
illustrare le tecniche note per la misura del profilo di drogaggio in una regione di semiconduttore
(quattro punte, C-V)
illustrare i modelli che descrivono i fenomeni di generazione-ricombinazione nei semiconduttori
quali dipendenze esistono fra mobilità dei portatori, temperatura e drogaggio? Come si possono
spiegare queste dipendenze?
come si imposta un problema di determinazione della distribuzione del potenziale e della
concentrazione dei portatori in un dispositivo a semiconduttore?
iniezione laterale a regime sotto illuminazione: regione semi-infinita e regione finita
determinazione della distribuzione del potenziale, del campo elettrico e della carica a cavallo di una
giunzione p/n brusca ed asimmetrica
cosa è la resistenza di strato (sheet resi stance)? Come si determina? Che utilità ha? come dipende
dal profilo di drogaggio?
Cos’è la capacità di giunzione? Ricavare la sua espressione
Ricavare la caratteristica I-V di un diodo a giunzione: modello base (diffusione), contributo della
ricombinazione nella regione di carica spaziale, elevati livelli di iniezione, contributo della resistenza
serie delle regioni neutre
Descrivere l’origine del fenomeno del restringimento della banda proibita. Descriverne gli effetti ed il
modello utilizzato per il calcolo della concentrazione dei portatori.
Modello a controllo di carica del diodo p-n
Caratteristiche dei diodi pin
Calcolo della tensione di breakdown per diodi pin corti e lunghi
Illustrare le componenti dominanti della corrente nei diodi pin in polarizzazione diretta
Illustrare le fasi del processo di spegnimento di un diodo a giunzione p/n (o pin). Spiegare in che
modo è possibile velocizzare lo spegnimento lasciando inalterata la corrente nella fase in
polarizzazione diretta (IF)
Descrivere la formazione del diagramma a bande in una struttura MOS
Regimi di polarizzazione di una struttura MOS
Capacità del sistema MOS, dipendenza della C dalla frequenza del segnale
Descrivere gli effetti del body effect
Determinazione della tensione di soglia nella struttura MOS
Metodi per la correzione della tensione di soglia nelle strutture MOS
Determinazione della caratteristica I-V di del MOSFET
Fenomeni del secondo ordine nella determinazione della caratteristica I-V di un MOSFET
Il transistor prototipo e il BJT integrato: funzionamento e componenti della corrente
Effetto Early nel BJT
Resistenza distribuita di base e suoi effetti
stima del tempo di transito nel BJT
modello di Ebers-Moll
tecnologia BiCMOS
uso delle eterogiunzioni per il miglioramento delle caratteristiche dei BJT
