ESERCIZI II PROVA IN ITINERE di SISTEMI ELETTRONICI -2010-2011
1) Progettare la porta logica CMOS (modello interruttori + resistenza) che implementa la
seguente funzione e calcolare il tempo di propagazione con fan out uguale a 20, sapendo
che la tensione di alimentazione è uguale a 5V, che Vtn=|Vtp|= 1V, che la capacità di
ingresso delle singole porte logiche a cui è collegata la porta logica oggetto dell’esercizio
è CT= 100fF e che la resistenza di on del modello CMOS è R=5KΩ.
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Y= A·B+(C·D+E)
a) Definire e valutare analiticamente e numericamente il tempo di propagazione
della porta logica, riportando e commentando i passaggi per arrivare
all’espressione finale.
b) Definire il fan out di una porta logica in generale.
2) Progettare la porta logica CMOS (modello interruttori + resistenza) che implementa la
seguente funzione e dimensionare la resistenza prevista nel modello in modo che il tempo
di propagazione sia minore o uguale a 10 ns con fan out uguale a 30, sapendo che la
tensione di alimentazione è uguale a 5V, che Vtn=|Vtp|=0.8 V e che la capacità di ingresso
delle singole porte logiche a cui è collegata la porta logica oggetto dell’esercizio è CT=
200fF.
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Y= A+B+(C·D.E)
3) Disegnare la struttura interna (parte OR) della memoria EPROM in logica MOSFET
con carico resistivo, che realizza la seguente tabella logica dove in ingresso ci sono le
uscite del decodificatore ed in uscita (y1 e y2).
W3 W2 W1 W0
0 0 0 1
0 0 1 0
0 1 0 0
1 0 0 0
Y1
0
0
1
0
Y2
1
1
0
1
a) Spiegare il principio di funzionamento della cella EPROM.
b) Fare un confronto fra le tipologie di memorie a semiconduttore.
4) Dato un invertitore a MOSFET con carico resistivo con tensione di alimentazione
VDD=5V, Kn=60μA/V2, VTn=1V, R= 30KΩ, definire e calcolare la tensione di soglia,
calcolare la tensione di uscita per il livello alto e basso del segnale d’ingresso,
individuare e confrontare i margini di rumore per il livello alto e basso. Definire e
calcolare in forma analitica il tempo di propagazione con il supporto del metodo grafico.
Definire e trovare il fan out dell’invertitore suddetto nel rispetto di un tempo di
propagazione tp≤ 50 ns, sapendo che la capacità di ingresso delle singole porte logiche a
cui l’uscita dell’invertitore è collegata è CT=1pF; stimare la frequenza di Ck massima
utilizzabile nel circuito.
5) Disegnare una cella RAM ad un solo transistor, descrivere la fase di lettura e trovare
l’espressione della tensione sulla linea di bit quando nella cella è memorizzato un 1
logico (4V) e quando è memorizzato uno 0 logico (0V). Si supponga in questo caso che
l’amplificatore di rinfresco non sia presente e si considi CM=55fF, CL=20pF e VDD=4V.
6) Progettare la porta logica CMOS (modello interruttori + resistenza) che implementa la
seguente funzione e dimensionare le resistenze previste nei modelli del MOSFET n e del
MOSFET p, non necessariamente uguali, in modo che i tempi di propagazione HL e LH
sia uguali –si consideri il caso peggiore-, sapendo che la tensione di alimentazione è
uguale a 5V e che la capacità di carico della porta logica oggetto dell’esercizio è C L=
10pF.
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Y= A·B·C+(D·E+F)+G
Dimostrare simbolicamente la formula che esprime la potenza dinamica per la carica e
scarica della capacità di carico nella porta logica e trovarne il valore numerico,
supponendo che la tensione di uscita vari con una frequenza operativa massima uguale a
30MHz e sapendo, come suddetto, che la tensione di alimentazione è 5V e CL=10pF.
