per il settore scientifico-disciplinare n. (n. posti ) bandito con dr del

Corso di Elettronica I per Ingegneria Elettronica
Corso di Elettronica per Ingegneria Informatica e delle Telecomunicazioni
Prova Finale
11 Settembre 2003
1. Scrivere le relazioni del modello a parametri y di un FET indicando i parametri
effettivamente utili (cioè con valore non nullo).
2. Disegnare un circuito completo di polarizzazione a 4 resistenze per un BJT e
mostrare la trasformazione secondo Thevenin tipicamente applicata.
3. Cos’è la tensione VPO di un JFET?
4. Cos’è il diodo Shottky?.
5. In un amplificatore non invertente con operazionale ideale, indicare i valori di AV,
RIN, ROUT, quando si ha R1 = 10 KΩ e R2 = 40 KΩ. Disegnare il circuito a cui si fa
riferimento.
6. Un circuito con BJT può lavorare con segnali sia analogici sia digitali? Motivare la
risposta.
7. Completare e commentare le caratteristiche riportate in Fig.1 indicando di quale
componente descrivono il comportamento.
8. Con riguardo alle caratteristiche di uscita di un BJT, indicare qual’è la zona di
saturazione e spiegare sinteticamente perché il dispositivo non viene polarizzato in
tale zona per funzionare come amplificatore.
9. Illustrare il comportamento di uno dei due circuiti di aggancio (clamping) riportati in
Fig.2 con riferimento ad un ingresso di tipo sinusoidale.
10. Interpretare il seguente parametro riportato nella tabella dei Maximum Ratings and
Thermal Characteristics del diodo 1N4148:
Average Rectified Current – Half Wave Rectification with Resistive Load at
Tamb=25°C - Limit IF(AV) = 150 mA.
Nota: In mancanza di risposta corretta ai punti 1,2,3,5,7,8 la prova non raggiungerà una
valutazione di livello sufficiente.
1
2.50
VGS = 5
V
2.00
1.50
VGS = 4
V
1.00
VGS = 3
V
0.5
VGS = 2
V
0.00
5.00e
-5
0
2
4
6
8
10
12
Fig.1
v
+
C
C
v
+
-
C
+
+
vO
vS
vO
S
vC
-
(a)
(b)
Fig.2
2