Elettronica I – Inverter con transistore MOS Inverter con transistore

Elettronica I – Inverter con
transistore MOS
Valentino Liberali
Dipartimento di Tecnologie dell’Informazione
Università di Milano, 26013 Crema
e-mail: [email protected]
http://www.dti.unimi.it/˜liberali
Elettronica I – Inverter con transistore MOS – p. 1
Inverter con transistore MOS (1/7)
+VDD
RD
vOUT
+
vIN
M1
M1 : Vth = 1 V, k′ = 100 µA/V2 , W = 20 µm, L = 1 µm;
VDD = 5 V; RD = 5 kΩ.
Trovare il punto di lavoro per vIN = 0 V, 1.5 V e 5 V.
Elettronica I – Inverter con transistore MOS – p. 2
1
Inverter con transistore MOS (2/7)
• vIN = 0 V
M1 è spento: VGS = 0 < Vth = 1 V. Quindi ID = 0 e nel circuito
non passa corrente; la tensione al drain di M1 è
VD = VDD = 5 V. La tensione di uscita è vOUT = VD = 5 V.
VGD = −5 V < Vth = 1 V; questo conferma che il MOS è
spento.
Elettronica I – Inverter con transistore MOS – p. 3
Inverter con transistore MOS (3/7)
• vIN = 1.5 V
M1 è sicuramente acceso: VGS = 1.5 V > Vth = 1 V. Quindi
M1 può essere in triodo oppure in regione attiva.
Ipotesi: M1 in regione attiva.
ID = K (VGS − Vth )2
è indipendente da VDS
con
1 W
K = k′ = 1 mA/V2
2 L
Risulta ID = 0.25 mA e VD = VDD − RD ID = 3.75 V. La tensione
di uscita è vOUT = VD = 3.75 V.
Verifica dell’ipotesi: VGD = −2.25 V < Vth = 1 V; questo
conferma che il MOS è in regione attiva.
Elettronica I – Inverter con transistore MOS – p. 4
2
Inverter con transistore MOS (4/7)
• vIN = 5 V
M1 è sicuramente acceso: VGS = 5 V > Vth = 1 V. Quindi M1
può essere in triodo oppure in regione attiva.
Ipotesi: M1 in regione attiva.
ID = K (VGS − Vth )2
è indipendente da VDS
con
1 W
K = k′ = 1 mA/V2
2 L
Risulta ID = 16 mA e VD = VDD − RD ID = −75 V. La tensione
di uscita dovrebbe avere il valore vOUT = VD = −75 V, che è
ovviamente impossibile.
Elettronica I – Inverter con transistore MOS – p. 5
Inverter con transistore MOS (5/7)
• vIN = 5 V. Cambiamo l’ipotesi: M1 in regione di triodo.
2
ID = K 2(VGS − Vth ) · VDS − VDS
In questo caso, la corrente dipende anche dalla tensione di
drain VDS = VD (VS = 0).
L’altra equazione è data dalla legge di Ohm per RD :
ID =
VDD − VD
RD
Poiché M1 e RD hanno la stessa corrente ID , si ricava
l’equazione nella sola incognita VD :
VDD − VD
K 2(VGS − Vth ) · VD − VD2 =
RD
Elettronica I – Inverter con transistore MOS – p. 6
3
Inverter con transistore MOS (6/7)
VD2 − VD
!
VDD
1
+
=0
2(VGS − Vth ) +
KRD
KRD
è un’equazione di secondo grado nell’incognita VD : ha due
soluzioni, di cui sicuramente una è da scartare.
Risolvendo, si ottiene VD = 8.08 V e VD = 0.12 V.
Prima soluzione: VD = 8.08 V
Avremmo VGD = −3.08 V < Vth = 1 V; questo
contraddice l’ipotesi che M1 sia in triodo
−→ soluzione da scartare
Seconda soluzione: VD = 0.12 V
Avremmo VGD = 4.88 V > Vth = 1 V; questo conferma
l’ipotesi che M1 sia in triodo
−→ soluzione valida
Elettronica I – Inverter con transistore MOS – p. 7
Inverter con transistore MOS (7/7)
Se i valori di tensione 0 e 5 V corrispondono rispettivamente
ai bit “0” e “1”, possiamo riepilogare il funzionamento del
circuito con la tabella (X = bit di ingresso; Y = bit di uscita)
X
vIN
M1
vOUT
Y
0
0V
spento (“off”)
5V
1
1
5V
in triodo
0.12 V
0
Leggendo la prima e l’ultima colonna, si ricava che il circuito
realizza la funzione di una porta logica NOT (inverter):
X
Y
Elettronica I – Inverter con transistore MOS – p. 8
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Caratteristica statica ingresso-uscita
La caratteristica statica ingresso-uscita è il grafico che
riporta in ascissa la variabile elettrica di ingresso e in
ordinata la variabile elettrica di uscita, calcolata facendo
un’analisi in continua senza tenere conto delle eventuali
costanti di tempo.
6.0V
4.0V
2.0V
0V
0V
V(V1:+)
1.0V
V(R1:1)
2.0V
3.0V
4.0V
5.0V
V_V1
Elettronica I – Inverter con transistore MOS – p. 9
Livelli logici dell’inverter (1/4)
I punti in cui la caratteristica statica ingresso-uscita ha
pendenza −1 determinano i livelli logici di ingresso e di
uscita.
vout
za
en
nd -1
=
VOH
pe
VDD
za
en
nd -1
=
pe
VOL
VIL
VDD/2 VIH
VDD
vin
Elettronica I – Inverter con transistore MOS – p. 10
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Livelli logici dell’inverter (2/4)
vout
za
en
nd -1
pe =
VDD
VOH
za
en
nd -1
pe =
VOL
VDD/2 VIH
VIL
VDD
vin
Se il segnale di ingresso è minore di VIL , viene interpretato
come uno 0 logico; se è maggiore di VIH , viene interpretato
come un 1 logico.
Elettronica I – Inverter con transistore MOS – p. 11
Livelli logici dell’inverter (3/4)
vout
za
en
nd -1
=
VOH
pe
VDD
za
en
nd -1
=
pe
VOL
VIL
VDD/2 VIH
VDD
vin
Se il segnale di ingresso è compreso tra VIL e VIH , il valore
logico dell’ingresso non è ben determinato (potrebbe
essere interpretato come 0 o come 1, in modo dipendente
dai parametri dei componenti, dalla temperatura, dalle
fluttuazioni della tensione di alimentazione, . . . ).
Elettronica I – Inverter con transistore MOS – p. 12
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Livelli logici dell’inverter (4/4)
vout
za
en
nd -1
=
VOH
pe
VDD
za
en
nd -1
=
pe
VOL
VIL
VDD/2 VIH
VDD
vin
Le tensioni VOL e VOH sono i valori estremi che l’uscita può
assumere quando l’ingresso ha un valore logico ben
determinato (0 o 1). Per poter collegare le porte logiche in
cascata, deve essere VOL < VIL e VOH > VIH affinché le
uscite di una porta logica vengano sicuramente interpretate
nel modo corretto dalla porta successiva.
Elettronica I – Inverter con transistore MOS – p. 13
Margini di rumore
vout
za
en
nd -1
=
VOH
pe
VDD
za
en
nd -1
=
pe
VOL
VIL
VDD/2 VIH
VDD
vin
I margini di rumore (NM: Noise Margin) sono:
N MH = VOH − VIH
N ML = VIL − VOL
In pratica, qualunque disturbo di ampiezza inferiore al
margine di rumore non può far cambiare il significato del bit.
Elettronica I – Inverter con transistore MOS – p. 14
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