POLITECNICO DI TORINO DIPARTIMENTO DI ELETTRONICA DIPLOMA UNIVERSITARIO IN INGEGNERIA ELETTRONICA CORSO DI ELETTRONICA I G.Giachino Raccolta di procedure di calcolo ed esercizi fascicolo 1 - raccolta di temi d’esonero e di scritti nelle varie sessioni - parte prima REV. C del 25/01/02 13.49 DU ELN GG a_scrit1.doc 2/67 SOMMARIO 1. CASCATA NPN+AO+NPN SC. 5/2/95 ...........................................................................................................3 2. UN DIODO IN CONTINUA - ES. 95/96 ........................................................................................................5 3. RISPOSTA DI AO - ES. 95/96 ..........................................................................................................................8 4. CASCATA NPN+JFET - ES. 95/96 ..................................................................................................................9 5. TERMOMETRO A DIODO SC. 4/9/96........................................................................................................12 6. CASCATA NPN+AO SC. 18/9/96..................................................................................................................15 7. CASCATA AO+NPN ES. 14/11/96 ................................................................................................................19 8. PONTE+AO+EF ES. 28/1/97 .........................................................................................................................24 9. FET+AO+EF ES. 2/97 ....................................................................................................................................27 10. AO DIFFERENZIALE CON RETE RC ES. 3/7/97...................................................................................30 11. EF+AO ES. 4/9/97 ........................................................................................................................................33 12. SOMMATORE - COMPARATORE ES. 17/9/97 .....................................................................................36 13. UNO STADIO JFET+BJT ES. 31.10.97 .....................................................................................................39 14. USO DI UN AMPLIF. DIFF. SU UN PONTE ES 18.11.97 ......................................................................42 15. CASCATA AO+BJT SC. 23.1.98.................................................................................................................45 16. CASCATA DI JFET+AO+BJT SC 17.2.98 ...............................................................................................49 17. AMPLIFICATORE PER PONTE TERMOMETRICO SC. 10.7.98 ......................................................52 18. CONFRONTO FRA AMPLIFICATORI (AO E FET+BJT) SC. 8.9.98 ..................................................55 19. CONFRONTO RISPOSTA DI 4 STADI CON AO SC. 22/9/98 ...............................................................59 elenco esercizi interessanti il corso di Sistemi Elettronici: 3, 10, 12, 14, 17, 19 DU ELN GG a_scrit1.doc 3/67 1. cascata NPN+AO+NPN sc. 5/2/95 a) Determinare il punto di funzionamento dei transistori, supponendo X=0 b) Determinare il guadagno VA/VS c) Determinare il valore della resistenza X adatta per ottenere un guadagno Vo/Vs=10; d) Calcolare l'offset in uscita (VO per VS=0), dovuto alle VBE dei transistor, mantenendo il valore di X determinato in c); e) Proporre una soluzione che consenta di annullare l'offset d'uscita, introducendo varianti al circuito, senza aggiungere elementi attivi ; f) Proporre una variante circuitale che introduca un polo a 10Hz, sul circuito e) In tutte le risposte supporre che l'AO sia ideale. Dati necessari per i BJT: hfe=100 hoe=0 g) Vbe=0.65V Sul circuito e) calcolare l'offset in uscita quando l'AO è un LM748 +15V +15V 100k + A − VA -15V Vs X 10k Vo 1k 100k -15V a) Determinare il punto di funzionamento dei transistori, supponendo X=0 X=0 porta il guadagno dell'AO a 1, quindi si ridisegna il circuito per la determinazione necessaria. Riportiamo sullo schema le valutazioni di tensioni e correnti, nell' ipotesi che la caduta sulla R del generatore sia trascurabile. +15V 15.65V 100k 16.3V A=1 -0.65V -0.65V 14.35V 14.35V -1.3V 1k 13.7V 100k 0.144mA 13.7mA -15V Se si volessero ripetere i calcoli in seconda approssimazione, tenendo conto della Ib del primo BJT, si otterrebbe Ib1=1.4µA , Ve1-massa=-0.65-0.14=-0.79V , Ic1=(15-0.79)/100=0.14 mA, Vce1=16.79V Ve2-massa=-0.79-0.65=-1.44V , Ic2=13.56 mA, Vce2=16.44V con poche differenze. b) Determinare il guadagno VA/VS Resistenza d'ingresso dell'emitter follower: 100k * 100 = 10M DU ELN GG a_scrit1.doc 4/67 Partizione con la resistenza del generatore: 10000/10100=0.99 Guadagno dell' e.f. : A=100*100/(100*100+hie) hie=26mV/1.4µA=18.6k, A=10000/10019=0.998 VA/VS = 0.99*0.998=0.989 c) Determinare il valore della resistenza X adatta per ottenere un guadagno Vo/Vs=10; Guadagno primo stadio A1=0.989 Guadagno secondo stadio A2=1+X/10k Guadagno terzo stadio A3=100*1/100*1+hie, hie=26mV/137µA=0.190k, A3=100/100,19=0.998 Vo/Vs=10 = 0.989*0.998*(1+X/10); 1+X/10=10.13, X=91.3 d) Calcolare l'offset in uscita (VO per VS=0), dovuto alle VBE Uscita del primo e.f.: -0.79 Uscita dell'AO: -0.79*(1+9.13)=-8V Uscita del secondo e.f. -8.65 e) Proporre una soluzione che consenta di annullare l'offset d'uscita, +15V +15V 100k + − -15V Vs 10k 90k 1k Vo -15V Si usa un anello di reazione che includa l'uscita del secondo e.f. e si elimina il primo e.f. Infatti quest'ultimo non è necessario, in quanto l'impedenza d'ingresso dell'AO è infinita f) Proporre una variante circuitale che introduca un polo a 10Hz Disporre un C in parallelo al 90k. 10Hz 62.8rad/s 0.016s=RC=90000*C C=16/90 µF=0.178 µF g) calcolare l'offset in uscita quando l'AO è un LM748 |Voffuscita| = Voff*10 +| Ib1*105 *10 - Ib2*0.9*105| Lo schema non è corretto per minimizzare gli effetti degli offset di corrente, poichè la resistenza globale che connette a massa il morsetto inv. è 10//90k=9k, diversa da quella relativa al morsetto n-inv. che è 100k. Una soluzione migliore potrebbe ottenersi usando nella rete di controreazione 1M e 110k , per la quale : |Voffuscita| =Voff*10 +| Ib1*105 *10 - Ib2*106| =Voff*10 + |Ib2-Ib1|*106= Voff*10 +|Ioff*106| DU ELN GG a_scrit1.doc 5/67 2. un diodo in continua - es. 95/96 Per il seguente circuito: a) tracciare l'andamento di Vu per un segnale d'ingresso Vi di forma triangolare, con ampiezza 18Vpp, per diodo con Vd=0, Is=0; b) tracciare la funzione di trasferimento Vu(Vi), sempre con il modello di diodo al punto a) c) Ripetere il punto b), per un diodo con Vd=0.5V e Is = 1µA. 5k 5k Vu Vi + 6V 5k 5k risposta a) Disegno il circuito eliminando i componenti inessenziali per le risposte richieste (a). Lo replico per il caso di diodo conduttore (b) e per il caso di diodo interdetto (c). A 5k A 5k 5k i A 5k 5k K Vu Vi K Vi + + 6V 6V a Vu K Vi 6V c b Si deduce: per il caso b: Vu=6V Vak=0 per il caso c: i= Vi - 6 10 Vak = Vi - 6 ⋅ 5 = 0.5Vi − 3 10 Vu = Vak + 6 = 0.5Vi + 3 Per quale valore di Vi si passa dal modello b al modello c? Per il valore di Vi che rende Vak=0, cioè per Vi=6 Quindi : − per -9<Vi<6 Vu=0.5Vi+3V − per 6<Vi<9 Vu=6V Il diagramma sottostante confronta fra loro Vi e Vu in funzione del tempo DU ELN GG a_scrit1.doc Vu + 6/67 Vi/2+3 5 5 Vi Vu 0 0 -5 -5 Risposta b) Il grafico Vu=f(Vi) è invece il seguente: Vu 5 Vi 5 -5 -5 Risposta c) Circuiti equivalenti: A 5k 5k i A 5k 0.5V 1uA K Vi + Vu 6V b Si deduce: DU ELN GG a_scrit1.doc K Vi + 6V c Vu 7/67 per il caso b: Vu=6.5V Vak=0.5V per il caso c conviene sovrapporre gli effetti: senza gen di corrente: i' = Vi - 6 10 V' ak = Vi - 6 ⋅ 5 = 0.5Vi − 3 10 V' u = V' ak + 6 = 0.5Vi + 3 col solo gen di corrente: i''=-0.5uA V''ak=-2.5mV V''u=V''ak=-2.5mV In totale: Vak=0.5Vi-3.0025 Vu=0.5Vi+2.9975 L'influenza del generatore di corrente è trascurabile. Per quale valore di Vi si passa dal modello b al modello c? Per il valore di Vi che rende Vak=0.5, cioè per Vi=7 Quindi : − per -9<Vi<7 Vu=0.5Vi+3V − per 7<Vi<9 Vu=6.5V Il diagramma sottostante fornisce il nuovo Vu=f(Vi): Vu 5 5 -5 -5 DU ELN GG a_scrit1.doc Vi 8/67 3. risposta di AO - es. 95/96 Considerando l'AO con Ad= ∞: + C1 Vs 10k R 10k 10k 10k C2 Vo 10k 20k 10k 1- Determinare R in modo da rendere minima l'influenza delle correnti d'ingresso ∞ e per C2=0, nell'ipotesi di segnali sinusoidali 3- Determinare la risposta Vo al gradino unitario Vs, per C1=∞ e per C2=1nF 2- Calcolare Vo/Vs per C1= 4- Determinare l'effetto in uscita delle correnti di offset (300nA) e della tensione di offset d'ingresso (7.5mV) 1- Determinare R in modo da rendere minima l'influenza dell'offset di corrente R=10+(10//(10+10//20))=16.25k ∞ 2- Calcolare Vo/Vs per C1= e per C2=0, nell'ipotesi di segnali sinusoidali Disegno il circuito eliminando i componenti ininfluenti per il calcolo necessario per la risposta + Vs R - Vo 10k 10k 10k 10k 20k Il rapporto di controreazione vale 1/4, quindi il guadagno vale 4 ∞ 3- Determinare la risposta Vo al gradino unitario Vs, per C1= e per C2=1nF Basta studiare il circuito formato da un generatore di scalino di 4V applicato alla serie di 10k con 1 nF, per determinare la tensione ai capi di C Si tratta di un esponenziale crescente del tipo Vo=4(1-e-t/RC), con RC=0.01ms 4- Determinare l'effetto in uscita degli offset di corrente (300nA) e di tensione (7.5mV) Le correnti di bias percorrono ognuna 16.25k, quindi la tensione differenziale d'ingresso conseguenza della loro differenza vale: 300nA*16.25k=0.3*16.25mV=4.9mV La somma delle tensioni di offset d'ingresso vale quindi: 4.9+7.5=12.4mV L'offset d'uscita si calcola quindi applicando il coefficiente d'amplificazione 4 12.4*4=49.6mV DU ELN GG a_scrit1.doc 9/67 4. cascata NPN+JFET - es. 95/96 Per il seguente circuito: 24V 220k 10k J1 C4 Q1 C1 2.2k Vs 18k C3 1k 2.2k Vo C2 Dati del BJT: hfe=170 hoe=0 Dati del JFET: Idss=12mA Vp=-3V 12− − − − 3− − − − 4- Determinare il punto di lavoro di Q1 e di J1 Determinare il rapporto Vo/Vs per i seguenti valori dei condensatori: C1=∞ C2=∞ C4=∞ C3=0 Disegnare il diagramma di Bode per i seguenti valori dei condensatori: C1=∞ C2=∞ C4=∞ C3=1nF Determinare il valore di C1 per il quale il diagramma di Bode mostri una frequenza di taglio inferiore di 100Hz 1- Determinare il punto di lavoro di Q1 e di J1 Disegno il circuito per la componente continua, applicando al partitore di base di Q1 il teorema di Thévenin: DU ELN GG a_scrit1.doc 10/67 24V 10k J1 Q1 18k//220k 16.6k 24 18 V= 238 1.82V 2.2k 1k Poichè la corrente di gate assorbita da J1 è nulla, il punto di lavoro di Q1 non è influenzato da J1. (correnti in milliampere, tensioni in volt, resistenze in ohm) Ie ⋅ 1 = 1.82 - 0.7 - Ie 16.6 170 Ie ⋅ 11 . = 112 . Ie = 102 . mA Vc1=24-1.02*10=13.8V Vce1=13.8-1.02=12.6V Equazione del JFET: 2 Vgs æ Vgs ö Id = Idss ⋅ ç 1 − ÷ = 12 ⋅ ç 1 + ÷ è Vp 3 2 Equazione della maglia di gate: 13.8 = Vgs + Id ⋅ 2.2 2 ì Vgs Vgs2 2 Vgs ö æ ïId = 12 ⋅ ç 1 + ÷ . ⋅ Vgs2 + 8 ⋅ Vgs + 6.27 − 0.455Vgs = 12 ⋅ ç 1 + ÷ = 12 + 133 í 3 è 9 3 ïId = 6.27 − 0.455Vgs î 1.33 ⋅ Vgs 2 + 8.46 ⋅ Vgs + 5.73 = 0 = Vgs = −8.46 ± 71.6 − 30.5 −8.46 ± 6.41 = = 2.67 2.67 non accettabile −0.77 V 2 2 0.77 0.77 ö æ Id = 12 ⋅ ç 1 − ÷ = 12 ⋅ ç 1 − ÷ = 6.6mA è 3 3 Vds=24-6.6*2.2=9.5V 2- Determinare il rapporto Vo/Vs in alternata per i seguenti valori dei condensatori: − C1=∞ − C2=∞ − C4=∞ − C3=0 Calcolo hie = 26mV = 4.3kΩ 1020µA / 170 Vgs Vgs ö 1 0.77 ö ∂ æ æ Calcolo g m = 12 ÷ mS = 6mS ÷ = 8ç 1 − ç1 + ÷ = 24ç 1 + è 3 3 3 è 3 ∂Vgs 2 disegno il circuito equivalente per l'alternata: DU ELN GG a_scrit1.doc 11/67 Vgs ib 170ib Vs 4.3k 6Vgs 10k 1.1k Q1 Vo = 6.6Vgs = 6.6(-1700ib - Vo) = 6.6(-1700 Vo Vs - Vo) = -2600Vs - 6.6Vo 4.3 Vo 2600 =− = −340 Vs 7.6 3- Disegnare il diagramma di Bode per i seguenti valori dei condensatori: − C1=∞ − C2=∞ − C4=∞ − C3=1nF C3=1nF con 10k genera una costante di tempo di 0.01 ms, una ω di taglio di 100krad/s, e quindi una f di taglio di 16kHz 4- Determinare il valore di C1 per il quale il diagramma di Bode mostri una frequenza di taglio di 100Hz C1 con 4.3//18//220k=3.4k deve generare una f1 di 100Hz, una ω1=628 rad/s, una τ=1,6ms, quindi C1=1.6/3.4 =0.47µF DU ELN GG a_scrit1.doc 12/67 5. termometro a diodo sc. 4/9/96 Un diodo ed un amplificatore operazionale ideale sono collegati come nel circuito sottoindicato in modo da costituire un termometro elettronico. +15V 1mA Y 15k 10k 10k +15V + A − -15V X B C V'o Y Z S Vo -15V La relazione fra la tensione del diodo e la temperatura, è la seguente: Vd = 0.65 − 2 ⋅ 10 −3 ⋅ T Vd in Volt, T in ° C a) Definire il valore della resistenza X in modo che per T=0 sia V'o=0 ed i valori delle resistenze Y in modo che per T=100 °C sia V'o=10V b) Supponendo che i resistori Y siano al ±10% (e gli altri al valore teorico), disegnare la retta Vo'=f(T) nei due casi più lontani dal caso teorico c) Si riutilizzano d'ora in poi i valori teorici di Y. Si supponga di misurare la tensione d'uscita con uno strumento S equivalente ad una resistenza di 1 k. Poichè l'AO non è in grado di pilotare il carico di 1 k, si dispone tra AO e lo strumento un transistor come indicato nel circuito, collegando A con B. Calcolare il valore della resistenza Z opportuna, in modo che Vo possa eseguire tutta l'escursione corrispondente a −100..+100°C. d) Qual è l' errore di offset misurato all' uscita Vo? Qualora si spostasse l'estremo destro di Y da A in C, a quanto si ridurrebbe tale errore di offset ? e) Se l'AO fosse il 741, che peggioramento otterremmo di tale errore ? f) Si supponga di rappresentare un disturbo in ingresso all' amplificatore con un generatore di tensione in serie al diodo che fornisce 0.01Vpp, nel campo di frequenze superiori a 50Hz. Aggiungere una variante al circuito in modo da assicurare che il disturbo in uscita Vo sia -60dB rispetto al fondo scala del segnale. g) Determinare la massima potenza dissipata dal transistor al variare della temperatura misurata da − 100..+100°C a) Definire il valore della resistenza X in modo che per T=0 sia V'o=0 ed i valori delle resistenze Y in modo che per T=100 °C sia V'o=10V Alla temperatura di 0°C il diodo dà una caduta di 0.65V. Per avere V'o=0 occorre avere su X una eguale caduta. Scriviamo: 15 X 9.75 = 0.65 15X = 9.75 + 0.65X X = = 0.68k 15 + X 14.35 Alla temperatura di 100°C il diodo dà una caduta di 0.45V. La tensione d'ingresso dell'amplificatore differenziale vale 0.65-0.45=0.2V. La tensione d'uscita deve essere 10V. Il guadagno differenziale deve essere quindi 10V/0.2 =50. Il valore di Y=50*10k=500k. b) Disegnare la retta Vo'=f(T), supponendo che i resistori Y siano al ±10% (e gli altri al valore teorico), nei due casi più lontani dal caso teorico. Chiamiamo Y' la Y a massa ed Y'' la Y in controreazione. DU ELN GG a_scrit1.doc 13/67 Y' Y'' A inv. Vi inv. 550 A n-inv. Vi ninv. +55 0.65 550 -55 550 450 +45.18 0.65 -45 450 550 +54.78 0.65 -55 450 450 +45 0.65 -45 0.85 0.45 0.85 0.45 0.85 0.45 0.85 0.45 Vo' per -100°C Vdiodo=0.85V 55*0.65-55*0.85 = -11V 45.18*0.65-45*0.85 = -8.88 54.78*0.65-55*0.85 = -11.14V 45*0.65-45*0.85 = -9V Vo' per+100°C Vdiodo=0.45V 55*0.65-55*0.45 =+11V 45.18*0.65-45*0.45 =+9.12 54.78*0.65-55*0.45 =+10.86V 45*0.65-45*0.45 =+9V Vo'(V) 10 100 -100 T(°C) -10 c) Calcolare il valore della resistenza Z opportuna, in modo che Vo possa eseguire tutta l'escursione corrispondente a −100..+100°C. Applicando la regola di Thévenin al circuito di emettitore del transistore, secondo il circuito seguente, +15V = B C V'o Z 1k B C V'o Req Vo Vo -15V Veq si troverebbe Re q = Z / /1k = Z 1 Veq = 15 Z+1 Z +1 Poichè la minima tensione nominale d'uscita è -10V, tenendo 1 V di margine, si può porre Veq=11, cioè 15=11Z+11 , Z=4/11=0.36k DU ELN GG a_scrit1.doc 14/67 d) Qual è l' errore di offset misurato all' uscita Vo? Coincide con la -VBE del transistore, dell'ordine di -0.6V, poichè Vo=Vo'-0.6 d1) A quanto si ridurrebbe tale errore, qualora si spostasse l'estremo di Y da A in C? Essendo l'offset di -0.6V assimilabile ad un disturbo introdotto all'uscita dello stadio, se lo si chiudesse nell'anello di controreazione, si ridurrebbe di tanto quanto di è ridotto il guadagno chiudendo il loop. Se l'operazionale è ideale l'offset dovuto a VBE si riduce a zero. e) Quale peggioramento otterremmo di tale errore se l'AO fosse il 741 ? S aggiungerebbero gli errori di offset dovuti all'amplificatore reale: Voff all'uscita = Voff*50+Ioff*(500k//10k) f) Assicurare che il disturbo in uscita Vo sia -60dB rispetto al fondo scala del segnale. Disturbo all'ingresso: di=10mVpp, disturbo tollerato all'uscita du=(fondo scala)/1000=(10+10)V/1000 = 20mV Guadagno imposto al disturbo Adi<20mV/10mV=2 per f>50Hz Poniamo un C in parallelo a Y'' , in modo che il guadagno a 50Hz sia Adi<2 Adi = 5 ⋅ 10 5 / / Z C 1 = 50 4 1 + jω5 ⋅ 10 5 C 10 1 + 314 2 ⋅ 25 ⋅ 10 10 C 2 > 25 a 50Hz ω = 314 rad / s, | Adi| < 2 624 < 314 ⋅ 5 ⋅ 10 5 C C > 2 > 50 1 1 + 314 ⋅ 25 ⋅ 10 10 C 2 2 624 = 160nF 314 . ⋅ 5 ⋅ 10 6 g) Determinare la massima potenza dissipata dal transistor al variare della temperatura misurata da − 100..+100°C: poichè tra T e Vo esiste la proporzionalità diretta, basta studiare la potenza al variare di Vo 15 − 10 = 5V (a + 100° C) 15 + 10 = 25V (a - 100° C) ì10 + 11V = 58.3mA (a + 100° C) Vo - Veq Vo + 11 . 0 36 k = Ic = =í −10 + 11 Re q 360Ω = 2.78mA (a -100° C) î 0.36k (15 − Vo)( Vo + 11) 4 Vo + 165 − Vo 2 = Pc = Vce ⋅ Ic = 360 360 Vce = 15 − Vo = L'espressione ha un massimo per 4 Vo + 165 − Vo 2 ∂Pc 4 − 2 Vo = la derivata si annulla per Vo = 2V, ∂Vo 360 360 8 + 165 − 4 dove Pc = = 0.47W 360 Pc = La temperatura cha dà Vo=2V è 20°C. DU ELN GG a_scrit1.doc 15/67 6. cascata NPN+AO sc. 18/9/96 Un amplificatore operazionale ideale ed un transistore costituiscono ciascuno uno stadio amplificatore come indicato negli schemi seguenti. Un generatore (con tensione a vuoto Vg e resistenza interna di 10k)) deve essere collegato ad un carico Rg di 5k, tramite la cascata dei due stadi. Il generatore fornisce una tensione continua Vg compresa tra -1V e +1V. Parametri del transistore: Vbe=0.6V, hfe=100, trascurare gli effetti di hie ed hoe. +20V +20V A Vo + B E C 10k D 10k − F Rg=5k -20V 10k 100k Vg=-1..+1V -20V Confrontare le due connessioni possibili: connessione n.1 : A con B, C con D, E con F, connessione n.2 : A con D, E con B, C con F, secondo la traccia indicata qui di séguito. a) Connettere solo A con B e calcolare il punto di lavoro del transistore (ovviamente per Vg=0). b) Connettere inoltre C con D e ricalcolare il punto di lavoro del transistore e la tensione d'uscita dell' AO. c) Connettere anche E con F e disegnare la curva Vo=f(Vg) per Vg variabile da -1V a +1V. d) Dedurre dalla curva c) guadagno e offset. e) usare la connessione 2 e disegnare la curva Vo=f(Vg) per Vg variabile da -1V a +1V, ponendo in evidenza guadagno e offset. f) Per il solo caso e) ricalcolare il solo offset, supponendo di aggiungere l'effetto degli offset specifici del µ A741. g) Supponendo che si inserisca una capacità di accoppiamento fra C e D di valore 1µF nella connessione n.1, disegnare la risposta Vo nel caso che Vg fornisca uno scalino da -0.5V a +0.5V. a) Connettere solo A con B e calcolare il punto di lavoro del transistore +20V A B C 10k 10k -20V Vc-massa=-0.6V Ie=Ic=19.4/10=1.94mA DU ELN GG a_scrit1.doc Vce=20+0.6=20.6V 16/67 b) Connettere inoltre C con D e ricalcolare il punto di lavoro del transistore e la tensione d'uscita dell' AO. +20V Ic A +20V B + 10k E C D I − 10k Ic-I -20V 10k I Ve 100k -20V Trascuro Ib e scrivo: 20 − 0.6 = 1.94 10 0.6 + 10I = 0 Ve = −100 ⋅ I Ic − I = î c) . + I = 188 . mA ìIc = 194 íI = −0.06 mA îVe = 6 V Connettere anche E con F e disegnare Vo=f(Vg) per Vg variabile da -1V a +1V. 0.6 − Vg + 10 ⋅ I = 0 Ve = −100 ⋅ I . ⋅ Vg ìI = −0.06 mA + 01 íVe = 6 − 10Vg Vo(V) 20 1 Vg(V) -1 -20 d) Dedurre dalla curva c) guadagno e offset. A=-10, Voff=6V DU ELN GG a_scrit1.doc 17/67 e) usare la connessione 2 e disegnare Vo=f(Vg) per Vg variabile da -1V a +1V, +20V +20V + AD 10k EB Vo − CF -20V Vo Rg=5k 10k 100k 10k 10//5=3.33k Vg=-1..+1V -20V -20*(5/15)=-6.66V Si è trasformato il circuito di emettitore col metodo di Thévenin VE 100 =− = −5 Vo = VE − 0.6 = −5Vg − 0.6 Vg 20 Vo(V) 20 1 Vg(V) -1 -20 f) Per il solo caso e) ricalcolare il solo offset, supponendo di aggiungere l'effetto degli offset specifici del µA741. All'offset di -0.6V si aggiunge: |Voffuscita|= |Voff*6|+Ib2*100k DU ELN GG a_scrit1.doc 18/67 g) Supponendo che si inserisca una capacità di accoppiamento fra C e D di valore 1µF nella connessione n.1, disegnare la risposta Vo nel caso che Vg fornisca uno scalino da -0.5V a +0.5V. +20V A +20V B + D C 10k − 10k Vo E F Rg=5k -20V 1uF 10k 100k Vg=-1..+1V -20V 1uF C Vo = -10V' D F Rg=5k Req 10k V' Veq Nella seconda parte del disegno è stato disegnato un circuito equivalente adatto a studiare l'effetto del condensatore sulla curva di risposta. Il condensatore vede alla sua sinistra il circuito di Thévenin che riassume l'emitter follower: Veq è la tensione a vuoto fornita sul 10k tra emettitore e massa, Req la resistenza d'uscita dell'emitter follower. Il condensatore vede alla sua destra una R = 10 k, a causa della massa virtuale dello stadio con AO, sulla quale provoca la caduta V'. La tensione V' viene amplificata di -10 dall'AO. [ hie=26mV/20µA=1.3k ] Calcoliamo Veq per ∆Vg=1V Veq = ∆Vg [10*100/(10*100+11.3)] = ∆Vg 0.99 = 0.99V Calcoliamo Req = (hie+10k)/hfe = 11.3/100=0.113k Il rapporto di partizione tra Req e 10k è pari a 10000/10113=0.99 t=0: V' parte con uno scalino da 0 a 0.99*0.99=0.98V, Vo parte con uno scalino da 0 a -9.8V, t → ∞ V' segue un esponenziale decrescente da 0.98V a 0 V' → 0 Vo segue un esponenziale crescente da -9.8V a 0 Vo→ 0 La costante di tempo è RC = 10113*1µs = 10.113ms. L'espressione di Vo è la seguente DU ELN GG a_scrit1.doc Vo = −9.8 ⋅ e − t⋅1000 10.11 19/67 7. cascata AO+NPN es. 14/11/96 100k +20V + 1k Vi − -20V E' necessario collegare un generatore ad un carico tramite un amplificatore. Dati relativi al generatore: ### tensione a vuoto ± 0.1V (valore di picco) ### frequenza 0..1kHz ### resistenza interna 100k### Dati relativi al carico: ### resistenza 1k### tensione necessaria ###10V (valore di picco) entro ±1%, ### compresi offset ed effetto della frequenza di taglio Dati sui componenti disponibili: ### un amplificatore operazionale con guadagno intrinseco = 100 000 frequenza di taglio = 10 Hz massima corrente erogabile ###5mA per il resto ideale ### un transistore npn con hfe = 200 hoe = 0 VBE= 0.65V ### resistori normalizzati della serie 1 1.2 1.5 1.8 2.2 2.7 3.3 3.9 4.7 5.6 6.8 8.2 1. Disegnare uno schema elettrico che risponda alle specifiche sopra elencate, e dimostrarne il funzionamento, dando ragione delle scelte. In particolare: 1.1 calcolare il rapporto d'amplificazione dal generatore al carico 1.2 calcolare l'errore di amplificazione ad 1 kHz 1.3 calcolare l'offset di tensione sul carico 2. Supponendo che alla tensione del generatore si sommi un disturbo sinusoidale avente ampiezza 10mV e frequenza 10kHz, disporre nel circuito un condensatore e sceglierne il valore di capacità nella serie normalizzata suddetta, in modo che sul carico il disturbo abbia ampiezza circa del 3% del segnale e che il segnale non si riduca più del 6% rispetto al valore trovato al punto 1.1. 3. Disegnare il diagramma di Bode 4. Applicare all'ingresso Vi uno scalino da 0.1V e disegnare la risposta Vu(t) corrispondente. DU ELN GG a_scrit1.doc 20/67 +20 +20V + − 100k -20V R1 R2 Vi R3 1k C -20 Scelgo lo schema sopra indicato con le seguenti considerazioni: 1. connessione non invertente perchè mi serve alta impedenza d'entrata 2. aggiungo R3 su -20V perchè il segnale d'uscita può essere negativo 3. uso tutti accoppiamenti diretti a causa della fmin=0 4. chiudo l'anello di reazione comprendendo l'uscita perchè l'offset dovuto a 0.6 VBE è richiesto <0.6V Calcolo R3 per consentire l'escursione in uscita ±10V Applico il metodo di Thévenin alla tensione -20 ed a R3 ed Rc: Veq = −20 1 R3 Re q = 1 + R3 1 + R3 Veq deve consentire l'escursione dell'uscita a -10 senza annullare la corrente Ic, scelgo -15V: −15 = −20 1 1 0.33 0.75 = R 3 = 330Ω Re q = = 248Ω 1 + R3 1 + R3 1.33 Calcolo R1/R2 per ottenere un guadagno di 100 R2/R1=99 con la condizione R2>>0.248k R2=33k, R1=0.33k, A=101 entro il margine di errore positivo Calcolo l'errore di amplificazione ad 1 kHz 105 1 + jω 0.016 A OL 1 100 = = A 1 1 jω ⋅ 16 ⋅ 10−6 + 0.991 + 1 + OL A OL 101 101 100 100 = = 100.3 −3 j0105 + 0.991 . j2π ⋅ 16 ⋅ 10 + 0.991 A OL = A= E' ancora entro i limiti imposti all'errore Calcolo l'offset sul carico L'offset è dovuto alla Vbe del BJT = 0.65V, e, per effetto della controreazione viene diviso per il rapporto del guadagno a loop aperto sul guadagno a loop chiuso, rapporto che vale 1000. Quindi l'offset sull'uscita è 0.65mV, che , rispetto a 10V è un errore trascurabile Dispongo il condensatore e ne calcolo il valore Calcolo la ftaglio in assenza di condensatore: 10Hz*100000/100=10kHz Calcolo la tensione d'uscita del disturbo , in assenza di provvedimenti di filtraggio. Vu = 10−2 100 1 1 = = = 0.7 V −6 −2 . + 0.991 jω ⋅ 16 ⋅ 10 + 0.991 j2 π ⋅ 16 ⋅ 10 + 0.991 j105 che è maggiore dello 0.3V tollerabile guadagno necessario a 10kHz: |A10|=0.3/0.01=30 guadagno tollerato a 1 kHz: |A1|=101*0.94=95 Impongo C in modo da ottenere |A10|=30 e verifico che |A1|>95 DU ELN GG a_scrit1.doc 21/67 Poichè il guadagno a 10kHz passa da 100 a 30, la ft deve passare da 10kHz a 3kHz, quindi la costante di tempo R2C deve essere τ=1/6.28*3000=0.053ms=33000*C C=53/33nF=1.6nF 1.5nF Verifico guadagno a 1kHz: R1 + Z R1Y + 1 ( jωC + G 2) R1 + 1 jωCR1 + 1 + G 2 R1 1 = = = = K= K R1 R1Y jωCR1 + G 2 R1 ( jωC + G 2) R1 jω1510 . −9 330 + 1 + 0.01 = jω1510 . −9 330 + 0.01 −3 + 101 j6.28 ⋅ 1510 j31110 . −6 330 + 101 . . . a 1kHz vale: A = = −6 −3 + 0.01 j6.28 ⋅ 1510 . 330 + 0.01 j31110 . −6 9.6610 + 102 . 1.02000966 = A = = 96.4 −6 −4 9.6610 + 10 0.00010966 A= Verifico guadagno a 10kHz: −2 + 1.01 . −5330 + 101 . . j6.28 ⋅ 1510 j31110 A= = −5 −2 + 0.01 . . j6.28 ⋅ 1510 330 + 0.01 j31110 −4 . . 9.6610 + 102 1020966 = = 30.9 A = −4 −4 9.6610 + 10 0.001066 provo le verifiche del guadagno senza le approssimazioni di Bode: 10 5 A= 1 + jω 0.016 A OL 1 1 = = = 1 1 1 + jω 0.016 jω1510 A OL . −9 330 + 0.01 + 1+ + A OL K K 105 jω1510 . −9 330 + 101 . 5 1 10 1kHz A = = = −3 j311 + 1000 1 + j100 j31110 + 0.01 . 1 + j100 + + −3 −3 j31110 + 101 . . 105 j31110 + 101 . . −3 5 10 ( j31110 . . ) + 101 = = −3 . . ) + j311 + 1000 + 101 (1 + j100)( j31110 ( j311 + 101000) 101 101 101 A = ≈ = = 93.3 = −3 . . 1083 . 0.17 + 1002 . . ) + j311 + 1000 j0.412 + 1001 + 101 (1 + j100)( j31110 1 105 10kHz A = = = −2 j3110 + 1000 . 1 + j1000 j31110 + 0.01 1 + j1000 + + −2 −2 j31110 . + 1.01 j31110 . . 10 5 + 101 −2 5 . . ) 10 ( j31110 + 101 = = −2 . . ) + j3110 + 1000 + 101 (1 + j1000)( j31110 ( j3110 + 101000) 101 101 101 A = . = ≈ = = 238 −2 . 17 + 0.941 1083 . . ) + j3110 + 1000 j4.120 + 0.970 + 101 (1 + j1000)( j31110 A OL = Il contributo del polo intrinseco riduce entrambi i guadagni, ma riduce maggiormente il disturbo, per cui potrebbe essere possibile diminuire il valore di C del rapporto 23.8/30=0.8 0.8*1.5=1.2nF I calcoli diventerebbero: DU ELN GG a_scrit1.doc 22/67 105 A= 1 + jω 0.016 A OL 1 1 = = = −9 A 1 1 1 + jω 0.016 jω1210 . 330 + 0.01 + 1 + OL + −9 A OL K K jω1210 . . 105 330 + 101 5 10 1 = = 1kHz A = j248 + 1000 1 + j100 j2.4810 −3 + 0.01 1 + j100 + + . j2.4810 −3 + 101 . j2.4810 −3 + 101 10 5 −3 5 . . ) + 101 10 ( j31110 = = −3 . ) + j248 + 1000 (1 + j100)( j2.4810 + 101 ( j248 + 101000) 101 101 101 = A = ≈ = = 95.3 −3 106 . . 0122 + 1002 . ) + j248 + 1000 j0.349 + 1001 . . (1 + j100)( j2.4810 + 101 1 10 5 10kHz A = = = j2480 + 1000 1 + j1000 j2.4810 −2 + 0.01 j 1 + 1000 + + j2.4810 −2 + 101 . j2.4810 −2 + 101 105 . −2 5 10 ( j2.4810 + 101 . ) = = −2 . ) + j2480 + 1000 (1 + j1000)( j2.4810 + 101 ( j2480 + 101000) 101 101 101 A = = ≈ = = 27.8 −2 . . ) + j2480 + 1000 j3.49 + 0.976 12.2 + 0.953 1083 (1 + j1000)( j2.4810 + 101 A OL = 3. Disegno il diagramma di Bode, nell'ipotesi di 1.2 nF, che corrisponde ad una costante di tempo di 33k*1.2nF=40µs , ft=1000/(6.28*40) kHz= 4kHz La pendenza continua fino a 0 dB con 20dB/dec (cessa a 4kHz*100), dove resta fino al taglio di 1 MHz, corrispondente al guadagno unitario, poichè con guadagno unitario la ft=10Hz diventa 10*100000Hz= 1MHz. 40 dB 20 1 10 100 1k 10k 100k 1M Hz Se provassi a dedurre analiticamente il Bode, troverei: f . j + 101 1 400 k A= = = 1 + jω 0.016 jω1210 . −9 330 + 0.01 f æ f ö æ f ö −5 10 ç 1 + j ÷ ç j . ÷ +çj + 101 + 0.01÷ + è 400k 105 10 è 400k . −9 330 + 101 . jω1210 f f j +1 j +1 400k 400k = 100 = 100 = f öæ f æ ö æ f ö æ f f f2 ö æ f ö 10−3 ç 1 + j ÷ ç j . ÷ + ç j + 1÷ + 101 1 10−3 ç j . +j + 101 − + j + ÷ ÷ ç è è 4k è 4k 10 è 400k è 400k 9.9 4 M f f f j j +1 +1 j +1 k 400 400 k 400 k 100 100 = 100 = = f öæ f ö f f f2 f f f2 æ j + 10−3 + j − + j +1 − +1 j ç1 + j ÷ ç1 + j ÷ è . M 400M 9.9 k 4G 4k 2.85k 4G 2.85k è 14 DU ELN GG a_scrit1.doc 23/67 4. Applico all'ingresso Vi uno scalino da 0.1V e disegno la risposta Vu(t) corrispondente. Il transitorio è una funzione esponenziale crescente da 0 a 10V, con costante di tempo pari a circa 33*1.2=40us Se si calcolasse la risposta tramite Laplace sulla funzione di trasferimento esatta, si otterrebbe: f ω j +1 +1 400k 2500k A ( jf ) = 100 A ( jω ) = 100 f f ö ω öæ ω ö æ æ ç1 + j ÷ ç1 + j ÷ ç1 + j ÷ ç1 + j ÷ è 2.85k è 1.4 M 17.9 k è 8.8M s +1 2500k A (s) = 100 s öæ s ö æ ç1 + ÷ ç1 + ÷ è 17.9 k è 8.8M s +1 s + 2.5M 10 630000 k 2500 Vu(s) = = s öæ s ö s s æ (17.9 k + s)(8.8M + s) ç1 + ÷ ç1 + ÷ è 17.9 k è 8.8M j Vu( t ) = 10 ⋅ (1 − e − t /56 ms ) − 0.051 e − t / 0.11us nella quale il termine prevalente è 10( 1-e-t/56ms) che corrisponde a quanto previsto, con una τ leggermente diversa L'ultimo esponenziale dà una minima influenza nei pressi dell'origine, per poi annullarsi. DU ELN GG a_scrit1.doc 24/67 8. ponte+AO+EF es. 28/1/97 Un ponte di resistenze ed un amplificatore operazionale ideale sono collegati come nel circuito di fig.1, in modo da costituire un misuratore di resistenza. La resistenza che si vuol misurare è R. Del valore di R si sa che è compreso fra 0.99k e 1.01k . Per misurare R con precisione, si vuole ottenere che la tensione d'uscita dell'AO vari in funzione del valore di R, secondo la retta indicata in fig.2. L'imprecisione delle altre resistenze del ponte è inferiore allo 0.01%. 5mA 1k +15V R2 + R1 R 1k Vo(V) fig.2 1k +15V Vz=10.00V +1 R3 R5 A -15V Vo 0.99 0 1 R (kΩ ) 1.01 R4=470k fig.1 -1 Il ponte è alimentato a 10V tramite uno stabilizzatore con diodo Zener. 1) Definire i valori della resistenza e della potenza di R5 2) Definire i valori nominali delle resistenze R1, R2, R3 3) Si supponga che, per ripulire la Vo di eventuali disturbi a frequenza elevata, si siano disposti due condensatori da 100nF in parallelo alle R3, R4. Si supponga pure che il circuito sia al regime corrispondente a R = 0.99k. Se in tali condizioni, al tempo t=0, la R varia bruscamente da 0.99k a 1.01k, quanto tempo deve passare perchè la lettura di Vo dia errore inferiore a 0.1Ω? 4) Nell'ipotesi che sulle resistenze R1, R2, R3, R4 reali siano stati misurati i valori seguenti R4 =475k, R3 = R3 nominale +1% R1 = R1 nominale +0.5% R2 = R2 nominale -0.5% prevedere il nuovo aspetto della retta indicata in fig. 2. 5) Calcolare la tensione di offset in uscita dovuta ai seguenti valori tipici per il µA741: -input offset voltage: 2 mV -input offset current: 20 nA -input bias current: 80 nA per il caso di R1, R2, R3, R4 ai valori nominali. 6) Progettare un circuito emitter follower da interporre tra l'uscita dall'AO e il punto di misura di Vo, in grado di pilotare un carico di 0.1k connesso tra l'uscita dell'emitter follower e la massa. SOLUZIONE 1) Definire i valori della resistenza e della potenza di R5 tensione ai capi della R5 V=15-10V=5V corrente attraverso R5 I=5mA nello zener + 10 mA nel ponte I=15mA R5=5V/15mA= 0.33k potenza= 5V*15mA=75mW 2) Definire i valori nominali delle resistenze R1, R2, R3 Si tratta di un amplificatore differenziale che riceve un segnale di modo comune pari a 5V ed un segnale di modo differenziale massimo ( a vuoto) pari a: DU ELN GG a_scrit1.doc 25/67 10 0.99 − 5 = 4.975 − 5 = −0.025V che deve corrispondere a Vo=-1V 1 + 0.99 10 101 . − 5 = 5.025 − 5 = +0.025V che deve corrispondere a Vo=+1V -per R=1.01k : V1 − V2 = 1 + 101 . -per R=0.99k : V1 − V2 = Il guadagno di modo differenziale deve essere quindi 40. R3 = R4 = 470k, perchè R4 è data e perchè si vuole Ac=0 R1 = R2 = 470/40 - 0.5 = 11.25k R1 ed R2 devono essere eguali perchè si vuole Ac=0, e devono tener conto che per il calcolo del guadagno sono da considerare in serie col parallelo di due resistenze del ponte (0.5k). 3) Si supponga che, per ripulire la Vo di eventuali disturbi a frequenza elevata, si siano disposti due condensatori da 100nF in parallelo alle R3, R4. Si supponga pure che il circuito sia al regime corrispondente a R = 0.99k. Se in tali condizioni al tempo t=0 la R varia bruscamente da 0.99k a 1.01k, quanto tempo deve passare perchè la lettura di Vo dia errore inferiore a 0.1Ω? Il segnale differenziale d'ingresso applicato alle resistenze R1+0.5 ed R2+0.5 passa da -25mV a +25mV, quindi il segnale Vo passa da -1V a +1V, secondo un esponenziale del tipo Vo = A + Be − t RC dove RC = 470 ⋅ 10 3⋅100 ⋅ 10 -9 = 0.047s ì−1 = A + B ìB = −2 í+1 = A íA = 1 Vo = 1 − 2e − per t = 0, Vo deve valere - 1 per t = ∞, Vo deve valere + 1 t 0.047 Quando R varia di 10Ω, il segnale d'uscita varia di 1V (retta di fig.2), quindi se R varia di 0.1Ω, il segnale d'uscita varia di 10mV. La domanda può quindi essere tradotta nella seguente: Poichè per R=1.01 Vo = 1V (a regime), una lettura eseguita quando Vo=0.99V corrisponde ad un errore di 0.1Ω. Dopo quanto tempo Vo raggiunge 0.99V? 0.99 = 1 − 2e − t 0.047 0.005 = e − t 0.047 ln 200 = t 0.047 t = 0.047 ⋅ ln 200 = 250ms 4) Nell'ipotesi che sulle resistenze R1, R2, R3, R4 reali siano stati misurati i valori seguenti R4 = 475 k, R3 = R3 nominale +1% R1 = R1 nominale -0.5% R2 = R2 nominale +0.5% prevedere il nuovo aspetto della retta indicata in fig. 2. Calcoliamo i valori dei 4 resistori: R4 = 475k, R3 = 474.7 k R1 = 11.1938 k (11.1938 k + 0.5k = 11.6938k) R2 = 11.3063 k (11.3063 k + 0.5k = 11.8063k) Prepariamo il modello del guadagno nel caso di 4 resistenze diverse: R 3 R 4 + R1 R4 474.7 475 + 11.6938 475 − V2 = V1 − V2 = . . R 3 + R 2 R1 R1 474.7 + 118063 116938 11.6938 . = V1 ⋅ 0.9757325 ⋅ 41619816 − V2 ⋅ 40.6198160 = ( V1 + V2) 0.01 = V1 ⋅ 40.609807 − V2 ⋅ 40.619816 = ( V1 − V2) 40.615 − 2 A = V1 La retta aumenta la pendenza dell'1.5% (40 ->40.615) ed assume un offset di 5V*(-0.01)=-50mV 5) Calcolare la tensione di offset in uscita dovuta ai seguenti valori tipici per il µA741: -input offset voltage: 2 mV -input offset current: 20 nA -input bias current: 80 nA per il caso di R1, R2, R3, R4 ai valori nominali. L'influenza degli offset d'ingresso può essere determinata per sovrapposizione: 2mV*40=80mV 20nA*470k=9.4mV la terza componente dà effetti trascurabili in conseguenza del bilanciamento della rete resistiva DU ELN GG a_scrit1.doc 26/67 6) Progettare un circuito emitter follower da interporre tra l'uscita dall'AO e il punto di misura di Vo, in grado di pilotare un carico di 0.1k connesso tra l'uscita dell'emitter follower e la massa. Lo schema può essere il seguente: +15V R3 R5 5mA 1k 1k +15V R2 + +15V Vz=10.00V R1 R 1k -15V C R4=470k 0.1k Rx V'o fig. 3 -15V Calcoliamo il punto di lavoro del BJT per i due valori estremi du V'o, +1V e -1V: V'o=+1V Icarico=1/0.1=10mA Ix=16/Rx Ie=10+16/Rx V'o=-1VIcarico=-1/0.1=-10mA Ix=14/Rx Ie=-10+14/Rx Poniamo la Ie minima a 1mA: -10+14/Rx=1 Rx=14/11=1.27k Arrotondiamo a 1.2 k e calcoliamo i due punti di lavoro estremi: V'o=+1V Icarico=1/0.1=10mA Ix=16/1.2=13.3mA Ie=10+13.3 = 23.3mA Vce=14V V'o=-1VIcarico=-1/0.1=-10mA Ix=14/1.2=11.7mA Ie=-10+11.7 =1.7mA Vce=16V DU ELN GG a_scrit1.doc 27/67 9. FET+AO+EF es. 2/97 Sono forniti i seguenti oggetti: • un generatore Vi=10mV di resistenza interna variabile tra 100Ω e 200Ω • un amplificatore operazionale ideale • il circuito rappresentato in figura: +15V 200pF 1.8M 56k 47k hfe del BJT = 200 Idss del FET = 12 mA Vp del FET = -3V 470k -15V 1. Disegnare uno stadio invertente, usando il solo AO, che fornisca una tensione d'uscita Vo= 1V a vuoto. Vo dev'essere il più possibile costante al variare della Ri del generatore. Il guadagno deve presentare due frequenze di taglio (-3dB) a 50z e 10kHz. 2. Calcolare il guadagno in banda passante nel caso che l'AO sia reale per il solo guadagno intrinseco pari a 60dB 3. Disporre il circuito JFET+BJT in cascata allo stadio con AO, tra il generatore e l'ingresso dell'AO e calcolare il punto di lavoro dei due transistori. 4. Calcolare il guadagno e la frequenza di taglio inferiore del nuovo sistema amplificatore JFET+BJT+AO SOLUZIONE Lo schema può essere il seguente: +15V C1 1 µF 100..200 Ω + A R1 3.3k -15V 330k Vo R2 47pF C2 1) Guadagno in banda passante: 1V/10mV=100 (40 dB) τ2 = 1/(6.28⋅104) = 1.6 10-5 = R2⋅C2 τ1 = 1/(6.28⋅50) = 3.2 10-3 = R1⋅C1 R2 = 100⋅R1 Conviene tenere R1 il più alto possibile, perchè l'influenza del 100..200Ω sia trascurabile, quindi R2 il più alto possibile, quindi C2 il più basso possibile. DU ELN GG a_scrit1.doc 28/67 Pongo C2=47pF (non posso adottare valori inferiori, perchè influenzabili dalle capacità parassite), quindi R2= 1.6 10-5 / 47 10-12 =330kΩ R1 = 3.3kΩ C1 = 3.2 10-3 / 3.3 103 = 1 µF 2) Guadagno in banda con amplificatore reale : 1000/(1+0.01*1000) = 1000/11 = 90 (39.1 dB) 3) Punto di lavoro del FET (trascurando la presenza del BJT): ì ï Equazione del FET í ï maglia di gate î maglia di drain 2 Vgs æ Vgs ö Id = Idssç 1 − ÷ = 12ç 1 + ÷ è Vp 3 Vgs = -56 ⋅ Id 30 = Vds + (56 + 470)Id 2 ì 56 ⋅ Id Id = 12 1 − 4181 ⋅ Id 2 − 449 ⋅ Id + 12 = 0 ç ÷ ï 3 ï 449 ± 201601 − 200688 ì0.0573mA ï =í íId = 8362 î0.05mA ï ïVgs = -56 ⋅ Id ï î 30 = Vds + (526)Id 2 ì-3.2V impossibile Vgs = í î-2.8V Vds = 30 - 26.3 = 3.7V Punto di lavoro del BJT (trascurando la sua influenza sul FET) maglia di base: Id⋅526=Vbe+47⋅Ic Ic=0.55mA Ib=2.75µA abbastanza piccola da essere trascurata a fronte della Id maglia di collettore : Vce=30-0.55⋅47=4.15V 4. resistenza ingresso emitter follower (caricato con 3.3 kΩ//47k=3.1k): Rief = 3.1*200 k = 620k hie del BJT = 26/2.75=9.5k Guadagno emitter follower: 200*47/9.5+200*47=0.99 gm= 2(1-0.933)=0.133mS Circuito equivalente del FET: 200pF Ii Vgs gm*Vgs-I1 Vi 1.8M 56k Vs I1 470k DU ELN GG a_scrit1.doc gm*Vgs 620k Vo' 29/67 Calcoliamo con lo stesso sistema algebrico sia il guadagno in banda passante, riferito a Vi, sia la resistenza d'ingresso: Vi = Ii ⋅ 1800 + 470(gm ⋅ Vgs − I1 + Ii) Vgs = Ii ⋅ 1800 − 56(gm ⋅ Vgs − I1) I î 1 ⋅ 620 = 56(gm ⋅ Vgs − I1) + 470(gm ⋅ Vgs − I1 + Ii) Vi = Ii ⋅ 5064 + Vgs ⋅ 82.4 Vi = Ii ⋅ 17372 ì Vgs = 0.0121 Vi í Vi = 17.4 MΩ î Ii ì Vi = Ii ⋅ 2270 + Vgs ⋅ 62.5 − I1 ⋅ 470 í0 = Ii ⋅ 1800 − Vgs ⋅ 7.45 + I1 ⋅ 56 î0 = Ii ⋅ 470 + Vgs ⋅ 70 − I1 ⋅ 1146 Vo' = Vi − Vgs = Vi − 0.0121Vi = 0.98Vi I 200pF costituiscono una costante di tempo con 17400k pari a 0.0035s, quindi una frequenza di taglio pari a 1/6.28*0.0035=45.8Hz Il guadagno in banda passante dello stadio FET è 0.98, la ftaglio è 45.8Hz. Globalmente avremo un guadagno in banda passante di 0.98*0.99*100=97 (39.7 dB) A 50 Hz avremo una perdita di 6 dB, poichè agiscono in cascata due reti RC con lo zero coincidente a 50Hz DU ELN GG a_scrit1.doc 30/67 10.AO differenziale con rete RC es. 3/7/97 E' dato il seguente schema, costruito intorno ad un amplificatore operazionale, dove Z rappresenta la rete indicata a parte in figura: Z 1M 100k Z 100nF +15V + A 10k U − B 10k -15V Z Supporre l'AO ideale, e rispondere alle seguenti domande. 1. Quanto valgono il guadagno di modo differenziale ed il guadagno di modo comune per la componente continua? 2. Che valore assumono i due guadagni suddetti nel caso che, a causa delle tolleranze di fabbricazione, le resistenze del ramo della reazione negativa assumano i seguenti valori: - 9.5k invece di 10k - 1.05M invece di 1M, mentre tutte le altre resistenze mantengono il valore nominale? 3. Si supponga di voler amplificare la differenza fra una tensione VA = 1.005V ed una tensione VB = 0.995V (continue) e di utilizzare una volta l'amplificatore del caso 1 ed una volta l'amplificatore del caso 2. Da quale errore sarebbe affetta la Vu nel caso 2 rispetto al caso 1? 4. Disegnare i diagrammi di Bode (ampiezza e fase) relativi ai guadagni differenziale e di modo comune dell'amplificatore del caso 1. 5. Quanto varrebbero il guadagno di modo differenziale ed il guadagno di modo comune per la componente continua nel caso che l'AO fosse ideale per tutte le caratteristiche, salvo che per il guadagno ad anello aperto, non infinito, ma pari a 1000? 6. Quanto varrebbe la tensione di offset in uscita nel caso che l'AO fosse ideale per tutte le caratteristiche, salvo che per le seguenti (per le quali si prendano i valori tipici o massimi del uA741): -input offset voltage -input offset current -input bias current e le resistenze fossero ai valori nominali ? 7. Di quanto varierebbe la tensione di offset in uscita nel caso che le resistenze assumessero i valori del punto 2? SOLUZIONE 1. Quanto valgono il guadagno di modo differenziale ed il guadagno di modo comune per la componente continua? Ad=1000/10=100 Ac=0 2. Che valore assumono i due guadagni suddetti nel caso che, a causa delle tolleranze di fabbricazione, le resistenze del ramo della reazione negativa assumano i seguenti valori: -9.5k invece di 10k -1.05M invece di 1M, DU ELN GG a_scrit1.doc 31/67 mentre tutte le altre resistenze mantengono il valore nominale? 1000 1050 ç1 + ÷ = 110.422 1010 9.5 1050 AB = − = -110.526 9.5 AA − AB = 110.47 2 A C = A A + A B = −0.104 AA = 3. AD = Si supponga di voler amplificare la differenza fra una tensione VA = 0.995V ed una tensione VB = 1.005V (continue) e di utilizzare una volta l'amplificatore del caso 1 ed una volta l'amplificatore del caso 2. Da quale errore sarebbe affetta la Vu nel caso 2 rispetto al caso 1? −100 ⋅ 0.01 + 0 = −1 −110.47 ⋅ 0.01 − 0104 ⋅ 1 = −11047 − 0104 = −12087 . . . . errore 20.9% 4. Disegnare i diagrammi di Bode (ampiezza e fase) relativi ai guadagni differenziale e di modo comune dell'amplificatore del caso 1. Z Z Z A − AB Z ç1 + ÷ = AD = A = R+Z R R 2 R Z A = A + A = 0 AB = − C A B R ( Zc + 10R)100R Zc + 10R Z Zc + 10R + 100R 1 + j10 ⋅ ωRC 1 + j0.01 ⋅ ω = = 100 = 100 = 100 R Zc + 110R R 1 + j110 ⋅ ωRC 1 + j0.11 ⋅ ω AA = ω (rad/s) num 0 1 10 100 1000 5. den 1 1+j0.01 1+j0.1 1+j1 1+j10 1 1+j0.11 1+j1.1 1+j11 1+j110 |Z/R| dB 100 100 67.1 12.7 9.1 40 40 37 22 19 φnum (°) φden (°) φ (°) 0 0 0 0 6 -6 6 48 -42 45 85 -40 84 90 -6 Quanto valgono il guadagno di modo differenziale ed il guadagno di modo comune per la componente continua nel caso che l'AO sia ideale per tutte le caratteristiche, salvo che per il guadagno ad anello aperto, non infinito, ma pari a 1000? Z 1M +15V + A 10k U − B 10k -15V 1M DU ELN GG a_scrit1.doc 32/67 V 1000 = U − 10I + VB 1010 1000 1000 VU 1001 = + 1000I VA 1000 î 1010 V 1101 101000 = U + VB 100 VA 1010 1000 VA . + VB 100 VA 100 = VU 1101 ì V 100 100000 = U − 1000I + VB 100 1010 1000 í 1000 V 1001 = U + 1000I VA 1000 î 1010 VA VU = ( VA − VB ) 90.83 6. Quanto varrebbe la tensione di offset in uscita nel caso che l'AO fosse ideale per tutte le caratteristiche, salvo che per le seguenti: -input offset voltage: 2 mV -input offset current: 20 nA -input bias current: 80 nA e le resistenze fossero ai valori nominali ? • Ibias non ha nessun effetto • Voff -> 0.2V • Ioff -> 20nA*1000k=20mV 7. • • • Di quanto varierebbe la tensione di offset in uscita nel caso che le resistenze assumessero i valori del punto 2? Ibias ->80nA*0.5k*100=4V Voff -> 0.2V Ioff -> 20nA*1000k=20mV DU ELN GG a_scrit1.doc 33/67 11.EF+AO es. 4/9/97 Sono dati un generatore Vi (con resistenza interna di 5k) ed un carico di 5k come indicato in fig. 1. E' sufficiente trasferire al carico le solo componenti alternate. 1. Si collega A con B tramite il condensatore C (considerare capacità infinita). Prevedere il rapporto |Vu/Vi| (fig.1). 2. Si collega A con B tramite il circuito di fig.2 (considerare capacità infinita e AO ideale). Prevedere il rapporto |Vu/Vi|. 3. Si collega A con B tramite il circuito di fig.3 (considerare capacità infinita e AO ideale). Prevedere il rapporto |Vu/Vi|. 4. Confrontare i risultati che si avrebbero con i circuiti 1, 2 e 3 nel caso che la resistenza interna del generatore subisse una variazione del ±30% e quella del carico del ±10%. Specificare i vantaggi che si ottengono con la soluzione del punto 3, rispetto alle altre, e le relative ragioni. 5. Calcolare i valori di capacità C necessari nei tre casi perchè la risposta in frequenza mostri per f=100Hz un errore non superiore al 10% del valore in banda passante. 6. Si supponga di voler introdurre una frequenza di taglio superiore pari a 10 kHz nel circuito 3. Confrontare la soluzione che introduce un condensatore disposto in MN con quella che introduce un condensatore disposto in PQ ed indicare quella che si preferisce e perchè. 7. Riprendere il caso 2 e calcolare il rapporto |Vu/Vi| nel caso che l'AO sia il 741 e sia da considerare reale per il solo guadagno. C A + C A B 5k B − 10k 5k Vi Vu 10k 1 2 +15V A + C B − M 10k 10k 10k N -15V P Q 3 DU ELN GG a_scrit1.doc 34/67 SOLUZIONE 1. Si collega A con B tramite il condensatore C (considerare capacità infinita). Prevedere il rapporto |Vu/Vi| (fig.1). |Vu/Vi|=0.5 2. Si collega A con B tramite il circuito di fig.2 (considerare capacità infinita e AO ideale). Prevedere il rapporto |Vu/Vi|. Vu 10 2 = = Vi 15 3 3. Si collega A con B tramite il circuito di fig.3 (considerare capacità infinita e AO ideale). Prevedere il rapporto |Vu/Vi|. Res carico dell'emitter follower : 10k//10k = 5k Res ingresso emitter follower : 500k (supposto hfe=100) Res uscita emitter follower : 10k//(hie+5k)/hfe = 70Ω Punto di lavoro Ic=1.5mA, Ib=15µA hie=2k Vu 500 10000 10000 = = 0.981 Vi 505 10020 10070 4. Confrontare i risultati che si avrebbero con i circuiti 1, 2 e 3 nel caso che la resistenza interna del generatore subisse una variazione del ±30% e quella del carico del ±10%. Specificare i vantaggi che si ottengono con la soluzione del punto 3, rispetto alle altre, e le relative ragioni. Rimin=3.5k Rcmax=5.5k Rimax=6.5k Rcmin=4.5k caso1 5.5/9=0.61 4.5/11=0.41 1.49 valore massimo valore minimo valore max/min calcolo caso3 max caso2 10/13.5=0.74 10/16.5=0.61 1.21 caso3 0.9856 0.9769 1.009 Vu 500 10000 10000 = = 0.9856 Vi 5035 . 10020 10055 Res carico dell'emitter follower : 10k//10k = 5k Res ingresso emitter follower : 500k (supposto hfe=100) Res uscita emitter follower : 10k//(hie+3.5k)/hfe = 55Ω Punto di lavoro Ic=1.5mA, Ib=15µA hie=2k calcolo caso3 min Vu 500 10000 10000 = = 0.9769 Vi 506.5 10020 10085 Res carico dell'emitter follower : 10k//10k = 5k Res ingresso emitter follower : 500k (supposto hfe=100) Res uscita emitter follower : 10k//(hie+6.5k)/hfe = 85Ω Punto di lavoro Ic=1.5mA, Ib=15µA hie=2k 5. Calcolare i valori di capacità C necessari nei tre casi 1,2,3 perchè la risposta in frequenza mostri per f=100Hz un errore non superiore al 10% del valore in banda passante. CASO 1 Vu R RY jωRC = = = = Vi 2R + Z 2 RY + 1 j2ωRC + 1 ωRC 4ω 2 R 2 C 2 + 1 Vu/Vi in banda vale 0.5 0.5 ridotto del 10% vale 0.45. Per f=100 ω=628 R=5000 quindi: ωRC = 0.45 4ω R C + 1 0.19ω 2 R 2 C 2 = 0.2025 2 2 2 DU ELN GG a_scrit1.doc ω 2 R 2 C 2 = 0.2025( 4ω 2 R 2 C 2 + 1) = 0.81ω 2 R 2 C 2 + 0.2025 ω 2 R 2 C 2 = 1.0658 . ωRC = 10324 35/67 C= 10324 . 1.0324 = = 0.329µF ωR 628 ⋅ 5000 CASO 2 Vu 2R 2 RY j2ωRC = = = = Vi 3R + Z 3RY + 1 j3ωRC + 1 2ωRC 9ω 2 R 2 C 2 + 1 guadagno in banda vale 2/3 2/3 ridotto del 10% vale 0.6. Per f=100 ω=628 R=5000 quindi: 2ωRC = 0.6 9ω R C + 1 0.76ω 2 R 2 C 2 = 0.36 2 C= 2 2 4ω 2 R 2 C 2 = 0.36( 9ω 2 R 2 C 2 + 1) = 3.24ω 2 R 2 C 2 + 0.36 ω 2 R 2 C 2 = 0.4737 ωRC = 0.688 0.688 0.688 = = 0.219µF ωR 628 ⋅ 5000 CASO 3 esamino il solo circuito AO Vu 2R 2 RY j2ωRC = = = = Vi 2R + Z 2 RY + 1 j2ωRC + 1 2ωRC 4ω 2 R 2 C 2 + 1 guadagno in banda vale 1 1ridotto del 10% vale 0.9. Per f=100 ω=628 R=5000 quindi: 2ωRC = 0.9 4ω 2 R 2 C 2 = 0.81( 4ω 2 R 2 C 2 + 1) = 3.24ω 2 R 2 C 2 + 0.81 4ω R C + 1 . 0.76ω 2 R 2 C 2 = 0.81 ω 2 R 2 C 2 = 10658 10324 . 1.0324 C= = = 0.329µF ωR 628 ⋅ 5000 2 2 2 . ωRC = 10324 6. Si supponga di voler introdurre una frequenza di taglio superiore pari a 10 kHz nel circuito 3. Confrontare la soluzione che introduce un condensatore disposto in MN con quella che introduce un condensatore disposto in PQ ed indicare quella che si preferisce e perchè. Condensatore in MN fa costante di tempo con la R uscita dell'EF , che vale 70 ohm, quindi: C= 1 1 = = 0.227µF ωR 62800 ⋅ 70 Condensatore in PQ fa costante di tempo con la R =10k , quindi: C= 1 1 = = 1.6nF ωR 62800 ⋅ 10000 7. Riprendere il caso 2 e calcolare il rapporto |Vu/Vi| nel caso che l'AO sia il 741 e sia da considerare reale per il solo guadagno. Si considera il solo AO Vo A Vo Vo = − Ri − A î Vi = Ri − Vi + Vo = −2 Vo A Vo =− Vi 1 1+ 2 A Poichè A=100000, il valore sarà dello 0.002% inferiore a quello ideale DU ELN GG a_scrit1.doc 36/67 12.sommatore - comparatore es. 17/9/97 1M + Vs Vo 10k − V1 30k V2 30k 1M V3 30k Esaminare il circuito sopra rappresentato e soddisfare le seguenti richieste. 1. Determinare la funzione Vo=f(Vs,V1,V2,V3) e dimostrare così che il circuito calcola la differenza fra la media di tre segnali ed un segnale di riferimento. 2. Supporre che l'amplificatore sia alimentato da una coppia di tensioni ±15V e si comporti come un 741, ma solo per quanto riguarda le tensioni di saturazione. Supporre che i 4 segnali d'ingresso abbiano la stessa dinamica. Determinare i massimi ed i minimi segnali applicabili all'ingresso per evitare distorsioni in uscita. 3. Determinare la corrente nei morsetti V1,V2,V3,Vs, nelle condizioni di V1 V2 V3 ai valori massimi determinati al punto 2, e di Vs al valore minimo. 4. Disporre un condensatore nel circuito indicato, in modo che la funzione di trasferimento di V1 V2 V3 presenti una f di taglio di 100Hz. 5. In tali condizioni disegnare il diagramma di Bode di |Vo/Vs|. 6. Utilizzare i dati di offset del 741 e determinare l'offset di uscita del circuito indicato. 7. Proporre un'aggiunta di un potenziometro e resistenze al circuito indicato adatta al ricupero dell'offset. SOLUZIONE 1. Determinare la funzione Vo=f(Vs,V1,V2,V3) Con la sovrapposizione degli effetti: − Vo = ( V1 + V2 + V3) é ( V1 + V2 + V3) 1000 1000 1000 − Vs − Vsú ç1 + ÷ = 100ê 30 1010 30 / 3 3 ë Il circuito calcola la differenza fra la media di tre segnali ed un segnale di riferimento 2. Supporre che l'amplificatore sia alimentato da una coppia di tensioni ±15V. Supporre che i 4 segnali d'ingresso abbiano la stessa dinamica. Determinare i massimi ed i minimi segnali applicabili all'ingresso per evitare distorsioni in uscita. Si usa la tensione di saturazione Vsat=13V Nel caso peggiore tutte le tensioni d'ingresso Vi-V3 sono eguali e massime e la Vs è minima (neg). Il caso simmetrico è ovvio. Quindi é ( Vim + Vim + Vim) ù −13 = 100ê − ( − Vim) ú = 100[ Vim + Vim] = 200Vim 3 ë Vim=65mV 3. Determinare la corrente nei morsetti V1,V2,V3,Vs, nelle condizioni di V1 V2 V3 ai valori massimi determinati al punto 2, e di Vs al valore minimo. DU ELN GG a_scrit1.doc 37/67 1M 1M + -65mV I' Vo 10k − 65mV + 65mV I'' 30k +13V 10k − -65mV 10k 65mV 30k 1M 65mV 1M 30k 0.065 = I'⋅1010 . (correnti in µA) I' = 0.065µA -0.065 = I''⋅1010 . − 13 I'' = 13µA I1 = I2 = I3 = 13 / 3µA = 4.3µA 4. Disporre un condensatore nel circuito indicato, in modo che la funzione di trasferimento di V1 V2 V3 presenti una f di taglio di 100Hz. C= 1 1 = = 16 . nF ωR 628 ⋅ 10 6 5. In tali condizioni disegnare il diagramma di Bode della funzione di trasferimento di Vs. Chiamata R la resistenza di 10k: 100RZ ö æ çR+ ÷ Z / /100R 100R R + Z ÷ 100 = æ 1 + 100Z ö 100 = æ 100R + 101Z ö 0.99 = 0.99 R + Z 100 =ç ç ÷ ç ÷ ç1 + ÷ R R R + 0.01Z 100R + R ç ÷ 101 è 100R + Z 101 è 100R + Z è = 100 0.99 RY + 1 0.99 jωRC + 1 = 100 100RY + 1 100 jωRC + 1 0.99 jωRC + 1 70.7 = 100 100 jωRC + 1 0.98( ωRC) + 1 2 0.5 = 10 4 ( ωRC) + 1 2 Quando ω agisce sensibilmente sul denominatore, il numeratore è ancora sostanzialmente=1: 0.5 = 1 10 4 ( ωRC) + 1 = 2 ωRC = 0.01 ω = 2 10 ( ωRC) + 1 f 1 = 100Hz 4 2 0.01 0.01 = 4 = 628 . ⋅ 10 −9 RC 10 ⋅ 16 Quando, al crescere di ω, il numeratore incomincia a crescere, il guadagno tende al valore costante 0.99, con la f2=circa 100f1= 10kHz 6. Utilizzare i dati di offset del 741 e determinare l'offset di uscita del circuito indicato. Data la simmetria del circuito resistivo, la Ibias non ha effetto. Vuoff=Voff*100+Ioff*106 =0.8mV*100+3nA*1M=80+3=83mV 7. Proporre un'aggiunta di un potenziometro e resistenze al circuito indicato adatta al ricupero dell'offset. DU ELN GG a_scrit1.doc 38/67 Vr 1M + -65mV 10k − 65mV 30k 65mV 30k 1M 65mV 30k Si potrebbe inserire una tensione variabile Vr tra il ritorno a massa del morsetto + e la massa. L'effetto del solo Vr sarebbe, sulla tensione d'uscita Vur: Vur = Vr 10 4 10 6 1 1 + = Vr (101) = Vr cioè l'AO presenta per Vr guadagno unitario. 4 6 ç 4÷ 10 + 10 10 101 Quindi Vr deve poter variare tra +83mV e - 83mV -> +100 .. -100mV. Si realizza il seguente circuito: 0.5k +15V 33k 33k -15V 1M + -65mV 10k − 65mV 30k 65mV 30k 1M 65mV 30k Nel circuito partitore aggiunto scorrono circa 30/66.5mA = 0.45mA : la corrente già calcolata presente in questo R da 1M è trascurabile rispetto a 0.45mA. La tensione raccolta su 0.5k è 0.45*0.5=0.225V che, rispetto a massa, varia da 112mV a -112mV DU ELN GG a_scrit1.doc 39/67 13.uno stadio JFET+BJT es. 31.10.97 E’ dato il seguente schema di due stadi amplificatori: 24V 100k Q2 Q1 Rg Cu 56k 100k 22k Vi Cs 100uF Vu Dati di Q1: Idss = 10mA, Vp = −2V Dati di Q2: hfe = 200, hoe = 0 L’impedenza di Cu è da considerare nulla per tutto l’esercizio 1. Calcolare il punto di lavoro di Q1, in assenza di Q2 2. Applicare la tensione di drain di Q1 alla base di Q2 e determinare il punto di lavoro di Q2 3. Dimostrare che, collegando in cascata Q1 con Q2, i punti di lavoro calcolati sostanzialmente non cambiano 4. Supponendo che Cs si comporti come un corto circuito, calcolare A=Vu/Vi per Rg=0 5. Determinare il valore di Rg per il quale A si riduce del 10% 6. Tenendo conto di Cs=100uF, disegnare il diagramma di Bode di A 7. Quale resistenza di carico è applicabile in Vu in modo che A (nella banda passante) si riduca appena del 10%? 1. Calcolare il punto di lavoro di Q1, in assenza di Q2 2 ì VGS I = + 10 1 ç ÷ ïD ìI D = 10(1 − 11I D ) 2 2 ïï ï íVGS = −22I D íVGS = −22I D ïVDS = 24 − (100 + 22) I D ïVDS = 24 − 122I D î ï ïî 221 ± 2212 − 40 ⋅ 1210 221 ± 21 ì01 . ì−2.2 mA VGS = í V = =í 1210I 2D − 221I D + 10 = 0 I D = . 2420 2420 î0.0826 î−182 I valori validi sono I D = 0.0826mA VDS = 24 − 122 ⋅ 0.0826 = 13.9 V 2. VGS = −182 . V Applicare la tensione di drain di Q1 alla base di Q2 e determinare il punto di lavoro di Q2 VD − massa = 13.9 + 182 . = 15.7 V = VB− massa I C = 0.27 mA 15.7 = 0.6 + 56I C VCE = 24 − 56I C VCE = 8.9 V 0.27 IB = mA = 135 . µA 200 DU ELN GG a_scrit1.doc 40/67 3. Dimostrare che, collegando in cascata Q1 con Q2, i punti di lavoro calcolati sostanzialmente non cambiano La corrente di base di Q2 è 60 volte più piccola della corrente di drain di Q1, quindi si può immaginare che sostanzialmente i punti di lavoro siano quelli calcolati, anche quando i due stadi vengano collegati. 4. Supponendo che Cs si comporti come un corto circuito, calcolare A=Vu/Vi per Rg=0 B D G ib E hie Rg 100k Vi gm*vgs vgs 200ib 56k Vu 100k 25mV 25mV = = 18.5k I B µA 135 . µA 182 . g m = 10ç 1 − ÷ = 0.9 mS 2 h ie = Il primo stadio presenta : resistenza d’ingresso=100k resistenza d’uscita=100k guadagno di tensione = -gm*100=-90 Il secondo stadio presenta : resistenza d’ingresso= 18.5k + 200 ⋅ 56 = 11200k resistenza d’uscita (quando connesso con lo stadio precedente) = 56 / /(18.5 + 100) / 200 = 0.59 k 56 ⋅ 200 guadagno di tensione = ≈1 18.5 + 56 ⋅ 200 Poichè la resistenza d’ingresso del 2° è >> della resistenza d’uscita del 1°, il guadagno complessivo è A=-90. 100k 11.2M 0.59k Rg Vu 100k Vi 5. vgs -90 vgs -90 vgs Determinare il valore di Rg per il quale A si riduce del 10% Rg si riduce del 10% quando Rg vale 10k: v gs = 100 v i = 0.9 v i 100 + 10 6. Tenendo conto di Cs=100uF, disegnare il diagramma di Bode di A DU ELN GG a_scrit1.doc 41/67 D G B ib E hie Rg 100k Vi g *v m gs 200ib 56k vgs Vu 100k Z Indicando con Z il parallelo di 22k con 100uF, il guadagno A si trasforma nel modo seguente. v i = v gs + Zg m v gs = v gs (1 + Zg m ) î v u = − g m v gs 100 = −90v gs = −90 vi 1 + Zg m 22 ⋅ 10 3 19.8 Zg m = 0.9 ⋅ 10 = 3 −4 1 + jω ⋅ 22 ⋅ 10 10 1 + jω 2.2 vu 90 1 + jω 2.2 1 + jω 2.2 =− = −90 = −4.33 19.8 20.8 + jω 2.2 1 + jω 0106 . vi 1+ 1 + jω 2.2 −3 Il guadagno per frequenze basse vale 4.33 (12.7 dB) Il guadagno per frequenze alte vale 90 (39.1dB) Il polo è a ω=9.45, f=1.5Hz lo zero è a ω=0.455 f=0.07Hz A 20dB 0 0.01 f(Hz) 0.1 1 10 7. Quale resistenza di carico è applicabile in Vu in modo che A (nella banda passante) si riduca appena del 10%? Essendo 0.59k la resistenza d’uscita, il carico che soddisfa le condizioni è 5.9k. DU ELN GG a_scrit1.doc 42/67 14.uso di un amplif. diff. su un ponte es 18.11.97 Si deve costruire un’apparecchiatura per la selezione di resistori in base al valore. •Il valore nominale dei resistori da selezionare è 100 Ω. •I resistori devono essere suddivisi in due famiglie: - resistori con resistenza compresa nell’intervallo tra 99 Ω e 101 Ω - resistori con resistenza esterna al detto intervallo. •Per la selezione si usa il seguente schema: 10k 10k Vs 100V Rx Rc Rx è la resistenza da selezionare. Tutti gli altri elementi del ponte sono di precisione elevata adatta alla misura, in particolare Rc=100 Ω. Lo strumento Vs (voltmetro ideale) deve indicare +5V quando Rx=101 Ω e deve indicare -5V quando Rx=99 Ω . Si chiede di: 1.disegnare lo schema del circuito contenuto nel riquadro, che deve contenere un AO ideale e resistenze di valore massimo 2.2MΩ (non badare alla normalizzazione dei valori); 2.rappresentare in forma grafica l’andamento di Vs in funzione di Rx nel campo 102Ω>Rx>98Ω; 3.verificare che variazione subisce la detta funzione se l’AO è considerato reale per il solo guadagno, con A=100000; 4.verificare che variazione subisce la detta funzione se l’AO è considerato reale per i soli offset, con i dati estremi forniti per l’AO 741; 5.verificare quale massima variazione subisce la detta funzione, se l’AO è ideale ma le resistenze usate nel circuito progettato (solo la parte contenuta nel riquadro) appartengono alla serie di tolleranza ±5% e sono montate nella combinazione peggiore dei rispettivi valori; 6.apportare una variante al circuito per ottenere un polo della funzione di trasferimento alla f=1Hz. disegnare lo schema del circuito contenuto nel riquadro, che deve contenere un AO ideale e resistenze di valore massimo 2.2MΩ 2.2M +15V + A 4.2k U − B 4.2k 100 Re= 98 1.00 Ve= 0.98 -15V 99 0.99V 2.2M Uso il metodo di Thevenin per semplificare il circuito del ponte. Il ramo che contiene Rx si presenta con: DU ELN GG a_scrit1.doc 43/67 101 ⋅ 10000 ì max = = 99.99Ω ⋅ Rx 10000 101 + 10000 Re = =í 99 ⋅ 10000 Rx + 10000 min = = 98.03Ω 99 + 10000 î 101 ì max = 100 = 0.9999 V Rx 101 + 10000 =í Ve = 100 99 Rx + 10000 min = 100 = 0.9803V 99 + 10000 î Poichè la variazione della tensione d’ingresso è di 19.6mV, il guadagno dev’essere 10V /19.6mV =510. Uso il massimo valore consentito per R2=2.2MΩ, quindi R1=2200/510=4.31k 100Ω sono già presenti, quindi R1=4.21k. rappresentare in forma grafica l’andamento di Vs in funzione di Rx nel campo 102Ω>Rx>98Ω La funzione analitica da rappresentare è: Vs = 510( Ve − 0.99) = 510ç 100 Essa passa per i punti Rx (ohm) 98 100 102 Rx − 0.99÷ Rx + 10000 Vs (V) -9.95 0.05 10.05 verificare che variazione subisce la funzione se l’AO è considerato reale per il solo guadagno, con A=100000; Il guadagno nominale di 510 si riduce al valore 507.8 La funzione passa per i punti Rx (ohm) 98 100 102 Vs (V) -9.91 0.05 10.01 verificare che variazione subisce la detta funzione se l’AO è considerato reale per i soli offset, con i dati estremi forniti per l’AO 741; Voff=4mV Ioff=70nA Vu provocata dagli offsets = 4mV*510+ 70nA*2.2MΩ =2+0.15=2.15V Nel caso peggiore la retta Vu(Rx) può sollevarsi od abbassarsi di 2.15V Rx (ohm) 98 100 102 Vs (V)max -7.8 2.2 12.2 Vs (V)min -12.1 -2.1 7.9 verificare quale massima variazione subisce la detta funzione, se l’AO è ideale ma le resistenze usate nel circuito progettato (solo la parte contenuta nel riquadro) appartengono alla serie di tolleranza ±5% e sono montate nella combinazione peggiore dei rispettivi valori; La situazione è rappresentata in figura DU ELN GG a_scrit1.doc 44/67 2.31M +15V + A 4.095k U − B 4.515k 101 Re= 97 1.01 Ve= 0.97 -15V 99 0.99V 2.095M Possiamo procedere o con il metodo dell’Adifferenziale/Amodo-comune oppure con quello dei due A1 ed A2 differenti per i due segnali. seguiamo il secondo, che non richiede sforzi di memoria. Nel caso di Re=101Ω 2095 2310 2095 + 4.515 + 0.099 + 101 . = 4.515 + 0.099 2310 + 4.095 + 0101 . 4.515 + 0.099 = −0.99 ⋅ 454.0529 + 101 . ⋅ 0.99819 ⋅ 455.0529 = −449.5124 + 458.7715 = 9.26V Vu = −0.99 Nel caso di Re=99Ω (equilibrio del ponte) 2310 2095 + 4.515 + 0.099 = 2310 + 4.095 + 0.099 4.515 + 0.099 = −449.5124 + 0.99 ⋅ 0.99819 ⋅ 455.0529 = −449.5124 + 449.6870 = 0175 . V Vu = −449.5124 + 0.99 Nel caso di Re=97Ω 2310 2095 + 4.515 + 0.099 = 2310 + 4.095 + 0.097 4.515 + 0.099 = −449.5124 + 0.97 ⋅ 0.99819 ⋅ 455.0529 = −449.5124 + 440.6024 = −8,91V Vu = −449.5124 + 0.97 Rx (ohm) Vs (V) 98 -8.91 100 0.175 102 9.26 apportare una variante al circuito per ottenere un polo della funzione di trasferimento alla f=1Hz; ω=6.28 rad/s RC = 016 . s R = 2.2 ⋅ 10 6 Ω DU ELN GG a_scrit1.doc C= 016 . µF = 0.073µF 2.2 45/67 15.cascata AO+BJT sc. 23.1.98 +15V +15V + 1k − -15V Vi 100k 100k 1k 100nF Vu 0.33k 100nF -15V E’ dato il circuito sopra disegnato. I componenti attivi presentano nei relativi ‘data-sheet’ le seguenti caratteristiche: Operational amplifier µA741: •input offset voltage max 3mV •input offset current max 30nA •input bias current max 80nA •voltage gain min 50000 •cut-off frequency min 5 Hz •slew-rate min 0.3V/µs •saturation voltage 13V Bipolar Junction Transistor 2N2222: •Device dissipation at 25°C max 0.5W •hFE min 100 •hOE trascurabile Nell’ipotesi di AO ideale: 1. Determinare il punto di lavoro del BJT; 2. supponendo che Vi sia continua, determinare i valori di Vi che portano al valore minimo rispettivamente la Ic e la Vce del BJT; disegnare il grafico della potenza dissipata dal BJT al variare di Vi tra i due valori determinati al punto 3. 2; 4. calcolare il rapporto Vu/Vi per forma sinusoidale, in modulo e fase, per ω = 10rad/s, 100rad/s, 1000rad/s; 5. disegnare il diagramma di Bode del rapporto Vu/Vi per l’ampiezza; determinare l’influenza del valore reale ‘voltage gain’=50000 sul guadagno determinato al punto 4 per 6. ω = 100rad/s 7. verificare se il valore reale dello ‘slew rate’ può distorcere la forma d’onda sinusoidale d’uscita per Vi=10sen100t. N.B. non tutti i dati di catalogo sopra riportati sono necessari per le risposte richieste. 1. Determinare il punto di lavoro del BJT; Disegno il circuito per le sole componenti continue DU ELN GG a_scrit1.doc 46/67 +15V +15V Vi + A= − -15V 100k Vu 1k 0.33k -15V e sostituisco il circuito d’uscita con l’equivalente di Thévenin +15V +15V Vi + A= − -15V 100k Vu 0.25k -11.3V Se Vi=0 , essendo l’AO ideale, Vu=0, quindi: Vce=15V Ic=11.3/0.25=45.2 mA 2. supponendo che Vi sia continua, determinare i valori di Vi che portano al valore minimo rispettivamente la Ic e la Vce del BJT; Quando il BJT fosse interdetto, la sua Ic sarebbe nulla, quindi la caduta su 0.25k sarebbe nulla e Vu=-11.3V. In tal caso, essendo l’AO ideale, Vi=-11.3V, che è il valore di Vi che interdice il BJT. Occorre verificare che l’AO sia ancora in zona di linearità: se Vu=-11.3, l’uscita dell’AO è -11.3+0.6=-10.7V. Questa tensione è compresa nell’intervallo di linearità dell’AO (+13V..-13V). Quando il BJT fosse saturo, la sua Ic sarebbe la massima possibile, e la sua Vce nulla. Quindi Vu=15V. Ciò però comporterebbe una tensione d’uscita dell’AO pari a 15+0.6=15.6, valore esterno alla zona di linearità suddetta. Quindi possiamo calcolare la Vi che fornisce la massima tensione d’uscita all’AO (+13V), e quindi Vu=13-0.6=12.4V Vi=12.4 è il valore di Vi che porta il BJT prossimo alla saturazione, con Vcemin=15-12.4=2.6V ed Icmax=(12.4+11.3)/0.25=94.8mA 3. disegnare il grafico della potenza dissipata dal BJT al variare di Vi tra i due valori determinati al punto 2; Pce=Vce*Ic. Osservando l’ultima figura, e fissando un valore generico Vi, si possono scrivere le seguenti equazioni, per dedurre Ic e Vce in funzione di Vi. DU ELN GG a_scrit1.doc 47/67 ì Vu = Vi Vce = 15 − Vu Vu + 113 . Ic = 0.25 î Vi (V) -11.3 -10 -5 -2 0 2 5 10 12.4 Vce (V) 26.3 25 20 17 15 13 10 5 2.6 Vce = 15 − Vi Vi + 113 . íIc = 0.25 î Pce = (15 − Vi) Ic (mA) 0 5.2 25.2 37.2 45.2 53.2 65.2 85.2 94.8 Vi + 113 . 0.25 Pce (W) 0 0.13 0.50 0.63 0.68 0.69 0.65 0.43 0.25 4. calcolare il rapporto Vu/Vi per forma sinusoidale, in modulo e fase, per ω = 10rad/s, 100rad/s, 1000rad/s; Essendo l’AO ideale, il fatto che ci sia un BJT in cascata non modifica il guadagno ideale (pari ad infinito) , quindi posso scrivere: A = 1+ Zp ZS = 1+ 1 = 1+ Z S Yp 1 1 çR + ÷ ( G + jωC) jωC = 1+ 1 1 2 + jωCR + jωCR = 1 2 jωCR 1 − ( ωCR ) + j3ωCR = = CR = 0.01 2 1 − + 1 2 CR j CR ω ω ( ) 2 + jωCR + jωCR ì 1 − 0.01 + j0.3 1 + j0.3 = A = 102 A= . ïω = 10 − + + 1 0 01 0 2 1 0 2 j j . . . 2 ï 1 − ( ω 0.01) + jω 0.03 j3 ï . A= A = 15 íω = 100 A = 2 j2 1 − ( ω 0.01) + jω 0.02 ï ïω = 1000 A = 1 − 100 + j30 = −10 + j3 A = 102 . ï 1 − 100 + j20 −10 + j2 î 3 + jωCR + 5. disegnare il diagramma di Bode del rapporto Vu/Vi per l’ampiezza; num den Vu/Vi A (dB) ω (rad/s) 1 1+j0.03 1+j0.02 1 0 10 1+j0.3 1+j0.2 1.02 0.17 30 0.9+j0.9 0.9+j0.6 1.27 2.1 100 j3 j2 1.5 3.52 300 -8+j9 -8+j6 1.2 1.58 1000 -100+j30 -100+j20 1.02 0.17 10000 -1000+j300 -1000+j200 1 0 6. determinare l’influenza del valore reale ‘voltage gain’=50000 sul guadagno determinato al punto 4 per ω = 100rad/s DU ELN GG a_scrit1.doc 48/67 Vu Vu Vu + Z 1i Vi = + Z1 A A Z1 + Z 2 îVu = ( Z1 + Z 2 ) i 1 Vu A Aco = = Z 1 Vi Aco + A 1 + A Z1 + Z 2 50000 Vu 15 . = 1499955 . = − 0.0045% . + 50000 Vi 15 Vi = 7. verificare se il valore reale dello ‘slew rate’ può distorcere la forma d’onda sinusoidale d’uscita per Vi=10sen100t. Vu = 1.5*10sen100t = 15sen100t dVu dVu = 1500 cos100t = 1500V / s ç ÷ dt dt max S.R=0.3V/µs=300000V/s>>1500V/s DU ELN GG a_scrit1.doc 49/67 16.cascata di JFET+AO+BJT sc 17.2.98 Si hanno a disposizione i seguenti componenti: • un JFET con Idss=10mA e Vp=-3V • un BJT con hfe=200 ed hoe trascurabile • un AO 741 con le seguenti caratteristiche: voltage gain saturation voltage output current min 50000 13V, with power supplies of ±15V max 5mA Devono essere connessi in uno schema che offra le seguenti prestazioni: a) resistenza d’ingresso >500kΩ b) resistenza di carico pilotabile 1kΩ c) escursione possibile della tensione d’uscita ±11V d) amplificazione globale in banda passante Vu/Vi = −100 (notare il segno negativo) e) f taglio inf. 50Hz; per f<50Hz, la pendenza del guadagno dev’essere ≥ 20 dB/dec f) f taglio sup. 5kHz; per f>5kHz, la pendenza del guadagno dev’essere = −20 dB/dec Avviare la soluzione del problema rispondendo successivamente alle seguenti domande. Si supponga inizialmente di utilizzare il solo AO: 1. disegnare lo schema elettrico, completo di valori, rispettando le specifiche c) e d); 2. eseguire le varianti per rispettare anche le specifiche e) ed f); 3. verificare che la R d’ingresso dello stadio ottenuto, all’interno della banda passante, non rispetta la specifica a); 4. calcolare il minimo valore della R di carico pilotabile dallo stadio ottenuto, e verificare che non rispetta la specifica b); 5. calcolare il valore della tensione d’ingresso applicabile (nella banda passante) per ottenere l’intera escursione della tensione d’uscita. Si supponga di utilizzare anche il JFET connesso a drain comune (source follower): 6. proporre una variante allo schema in modo da rispettare anche la specifica a) e mantenere all’incirca il guadagno d). Si supponga di utilizzare anche il BJT connesso a collettore comune (emitter follower): 7. proporre una variante allo schema in modo da rispettare anche la specifica b) e mantenere all’incirca il guadagno d). 8. verificare se e di quanto è variato il guadagno complessivo, dopo le varianti 6. e 7. 1.Si supponga inizialmente di utilizzare il solo AO: domande da 1 a 5. +15V + − -15V C1 Vu R2 R1 C2 Vi R2/R1=100, R1=1k. R2=100k f1=50Hz, ω1=314rad/s C1 ⋅ R1 = 1 314 C1 = DU ELN GG a_scrit1.doc 1 = 3.2µF 314 ⋅ 1000 50/67 f2=5000Hz, ω1=31400rad/s C2 ⋅ R 2 = 1 31400 C2 = 1 = 320pF 31400 ⋅ 100000 Ringr in banda passante = 1k < 500k Rcmin = 11V/5mA=2.2k>1k Vi=11V/100=110mV Si supponga di utilizzare anche il JFET connesso a drain comune (source follower): 2. proporre una variante allo schema in modo da rispettare anche la specifica a) e mantenere all’incirca il guadagno d). +15V + +15V Q1 − -15V Vu 500k Vi 3.2uF 1k 100k Rs 320pF -15V 2 Vgs 2 Vgs ö æ Id = 10 ç 1 + gm = 10 −2 ç 1 + ÷ ÷ gm max = 6.7 mS è 3 3 3 Lo scopo dello stadio è: - pilotare con bassa resistenza d' uscita l'AO successivo - garantire un guadagno il più possibile prossimo all' unità. 1 La ru è circa ru = la minima ottenibile è 150 ohm (1 / gmmax) che si ottiene gm per Id = 10mA −2 Può allora convenire aumentare le R dell'AO, per es. a 10k, 1M, con il che si riducono le C a 0.32uF, 32pF. scelta del punto di lavoro: in prima approssimazione trascuro Vgs nell'equazione di maglia di gate: 0 = Vgs + RsId -15 ed ottengo 15 = RsId Rs = 15V / 10mA = 1.5k Dato che Id deve essere < 10mA, uso un valore di Rs un po' maggiore, p. es Rs = 1.8k Calcolo di verifica del punto di lavoro: (uso mA e kohm) 2 2 ì ì Vgs ö æ 15 - 1.8 ⋅ Id ö ìId = 10( 6 − 0.6 ⋅ Id ) 2 ïId = 10æç 1 + ï Id = 10ç 1 + ÷ ÷ è è í í í 3 3 î Vgs = 15 - 1.8 ⋅ Id ï15 = Vgs + 1.8 ⋅ Id ïVgs = 15 -1.8 ⋅ Id î î Id = 360 − 72Id + 3.6Id 2 0 = Id 2 − 20.278 ⋅ Id + 100 . − 400 20.278 ± 3.346 20.278 ± 4112 = = 8.5mA Id = Vgs = 15 − 15.3 = −0.3V 2 2 20 0.9 mS = 6mS gm = 3 Guadagno dello stadio aggiunto DU ELN GG a_scrit1.doc 51/67 A= gm ⋅ 18 . / /10 9.2 = = 0.9 1 + gm ⋅ 18 . / /10 10.2 Si supponga di utilizzare anche il BJT connesso a collettore comune (emitter follower): 3. proporre una variante allo schema in modo da rispettare anche la specifica b) e mantenere all’incirca il guadagno d). +15V +15V + +15V Q1 − -15V 320nF Vi 10k 500k Ie Vu/1k 1M Ir 1.8k 1k Vu 32pF Re -15V -15V Calcolo di Re: Per dimensionare in modo opportuno Re, occorre prevedere il funzionamento del BJT alla minima corrente Ie ed alla minima tensione Vce, per garantire che rimangano positive. La Vcemin si ha per Vumax = 11V, Vce resta ancora a 15 - 11 = 4V Vu −11 + 15 11 4 = = La Iemin si ha per Vumin = -11V, Ie = Ir + - 11 1k Re 1k Re poniamo Iemin a 2mA, risulta: 4 2= - 11 Re = 4 / 13 = 0.3k Re Il guadagno di questo stadio risulta quindi A= hfe ⋅ 0.3 / /1 hfe ⋅ 0.3 / /1 200 ⋅ 0.23 = = hie + hfe ⋅ 0.3 / /1 hie + hfe ⋅ 0.3 / /1 hie + 200 ⋅ 0.23 La corrente di polarizzazione nel BJT sarà quindi di 15V/0.3k=50mA La corrente di base 0,25mA hie=25mV/0.25mA=0.1k A=46/46.1=sufficientemente prossimo a 1 I. verificare se e di quanto è variato il guadagno complessivo, dopo le varianti 6. e 7. Il guadagno complessivo è variato del 10% a causa del JFET che ha guadagno di 0.9. DU ELN GG a_scrit1.doc 52/67 17.amplificatore per ponte termometrico sc. 10.7.98 2.2M 10k 10V 10k - A 47k + AO1 82 Ω V1 B AO2 + P1 Vu 47k 22 Ω Rt 2.2M 100k 56k 100nF P2 10k E’ fornito lo schema elettrico indicato in figura, nel quale compare il resistore Rt. La resistenza di Rt varia con la temperatura del fluido in cui è immerso Rt (compresa fra -10°C e 100°C) , secondo la tabella seguente. Temp.(°C) Temp.(°C) Temp.(°C) Rt(Ω) Rt(Ω) Rt(Ω) -10 96.12 30 111.64 70 127.16 0 100.00 40 115.52 80 131.04 10 103.88 50 119.40 90 134.92 20 107.76 60 123.28 100 138.80 Lo scopo dell’esercizio è determinare le funzioni del circuito nel suo insieme e quelle dei suoi singoli componenti, rispondendo nell’ordine alle domande seguenti. 1. Qual è l’espressione analitica della tensione Vab in funzione della temperatura (per i due valori estremi di P1) ? 2. Qual è l’espressione analitica della tensione V1 in funzione della temperatura (per i due valori estremi di P1, supponendo ideale l’ AO) ? 3. Qual è l’espressione analitica della tensione Vu in funzione della temperatura (per i due valori estremi di P1 e per i due valori estremi di P2, supponendo ideali entrambi gli AO e supponendo variazioni di temperatura con frequenza bassissima, inferiore a 1Hz) ? 4. Quali sono i valori di P1 e di P2 che vi sembrano opportuni per il funzionamento di questo circuito, sapendo che deve fornire 0V per -10°C e 5V per +100°C ? 5. Fissati P1 e P2 a tali valori, quale sarà la Vu in funzione del tempo, se la temperatura varia secondo la T=45-55sen(0.1t) °C ? 6. Nelle stesse condizioni, quale sarà la Vu in funzione del tempo, se la temperatura varia secondo la T=4555sen(100t) °C ? 7. Se i due AO fossero identici e affetti dai seguenti dati di offset offset di tensione riportato all’ingresso: 5mV, offset di corrente riportato all’ingresso: 100nA quale errore manifesterebbe il circuito sulla Vu nel caso peggiore? 8. Quale potenziometro (P1 o P2) usereste per correggere questo errore, e perchè ? DU ELN GG a_scrit1.doc 53/67 traccia di soluzione 1. Qual è l’espressione analitica della tensione Vab in funzione della temperatura (per i due valori estremi di P1) ? Rt = A + BT 100 = A ìA = 100 Rt = 100 + 0.388T 138.8 = 100 + B100 íB = 0.388 10 10 Vab' = Va − Vb = * 82 − * (100 + 0.388T) ≅ per P1 = 82Ω 10082 10000 + 100 + 0.388T ≅ 82 − 100 − 0.388T mV = −18 − 0.388T mV 10 10 Vab' ' = Va − Vb = * 104 − * (100 + 0.388T) ≅ per P1 = 104Ω 10104 10000 + 100 + 0.388T ≅ 104 − 100 − 0.388T mV = 4 − 0.388T mV 2. Qual è l’espressione analitica della tensione V1 in funzione della temperatura (per i due valori estremi di P1, supponendo ideale l’ AO) ? 2200 per P1 = 82Ω V1' = ( −18 − 0.388T) mV • ç − ÷ = 0.843 + 0.0182T V 47 æ 2200 ö . + 0.0182T V per P1 = 104Ω V1' ' = ( 4 − 0.388T) mV • ç − ÷ = −0187 è 47 3. Qual è l’espressione analitica della tensione Vu in funzione della temperatura (per i due valori estremi di P1 e di P2, supponendo ideali entrambi gli AO e supponendo variazioni di temperatura con frequenza inferiore a 1Hz) ? 100 per P1 = 82Ω e P2 = 56k Vu' = ( 0.843 + 0.0182T ) ⋅ ç 1 + ÷ V = 2.35 + 0.05T V 56 æ 100 ö per P1 = 104Ω e P2 = 56k Vu' ' = ( −0187 . + 0.0182T) ⋅ ç 1 + ÷ V = −0.52 + 0.05T V è 56 æ 100 ö per P1 = 82Ω e P2 = 66k Vu' = ( 0.843 + 0.0182T ) ⋅ ç 1 + ÷ V = 2.12 + 0.045T V è 66 æ 100 ö + 0.0182T) ⋅ ç 1 + per P1 = 104Ω e P2 = 66k Vu' ' = ( −0187 . ÷ V = −0.47 + 0.045T V è 66 4. Quali sono i valori di P1 e di P2 che vi sembrano opportuni per il funzionamento di questo circuito, sapendo che deve fornire 0V per -10°C e 5V per +100°C ? per P1 = 82Ω e P2 = 56k V = 0 per T = -47° C V = 5 per T = 53° C per P1 = 104Ω e P2 = 56k V = 0 per T = 10.4° C V = 5 per T = 110.4° C per P1 = 82Ω e P2 = 66k V = 0 per T = -47.1° C V = 5 per T = 64° C per P1 = 104Ω e P2 = 66k V = 0 per T = 10.4° C V = 5 per T = 122° C 96.12 138.8 per T = −10° C Rt = 96.12Ω 10 10 * P1 − * 9612 . =0 Vab = . 10000 + P1 10000 + 9612 . )10 −3 = 0 P1 = 9612 . = 82 + 14.12 ≅ ( P1 − 9612 Rt = 138.8Ω per T = 100° C 10 10 æ 2200 ö æ 100 ö Vu = ç * 9612 . − * 138.8÷ ç − ÷ ç1 + ÷ =5 è 47 è P2 10096 10000 + 138.8 100 æ 100 ö . ç1 + (137 − 95.2)10 −3 ⋅ 46.8æçè 1 + ö÷ = 1956 ÷ = 5 P2 = 64.3k = 56k + 8.3k è P2 P2 DU ELN GG a_scrit1.doc 54/67 5. Fissati P1 e P2 a tali valori, quale sarà la Vu in funzione del tempo, se la temperatura varia secondo la T=45−55sen(0.1t) °C ? Rt = 100 + 0.388 ⋅ [ 45 − 55 sen(01 . t )] 10 10 Vab = * 9612 . − * (100 + 0.388 ⋅ [ 45 − 55 sen(01 . t )] ) ≅ . t )] 10096 10000 + 100 + 0.388 ⋅ [ 45 − 55 sen(01 cioè una 10 ≅ 95.2 ⋅ 10 −3 − * (117.5 − 213 . sen(01 . t )) = 0.0952 − 0116 . + 0.021 sen(01 . t) = 10000 + 106.8 = −0.021 + 0.021 sen(01 . t) 2200 æ 100 ö Vu = ( −0.021 + 0.021 sen(01 . t ))ç − . t) V ÷ ç1 + ÷ = 2.5 − 2.5 sen(01 47 è 64.3 componente continua di -2.5V + una sinusoide di ampiezza 2.5V con pulsazione 0.1rad/s 6. Nelle stesse condizioni, quale sarà la Vu in funzione del tempo, se la temperatura varia secondo la T=45-55sen(100t) °C ? Vu sarà costituita da una componente continua di 2.5V - una sinusoide di ampiezza A con pulsazione 100rad/s e fase ϕ. Calcolo ampiezza e fase. Al variare della f varia il guadagno dell’ultimo stadio, che ha come funzione di trasferimento : R2 R2 / / C R2 1 100 1 156 . 1 + jωR 2 C A2 = 1+ = 1+ = 1+ = 1+ = 1+ = 5 −7 64.3 1 + j100 ⋅ 10 10 1+ j R1 R1 R1 1 + jωR 2 C 2.56 + j = 1+ j 7.25 A2 = = 19 A 2 = 213 . . − 45 = −23.7° = −0.42 rad 2 Vu=2.5-1.9sen(100t-0.42) V 7. Se i due AO fossero identici e affetti dai seguenti dati di offset offset di tensione riportato all’ingresso: 5mV, offset di corrente riportato all’ingresso: 100nA quale errore manifesterebbe il circuito sulla Vu nel caso peggiore? errore su Vu=100nA*2200k*2.55+100nA*100k+5mV*46.8*2.55+5mV*2.55= 0.561+0.01+0.597+0.013=1.18V 8. Quale potenziometro (P1 o P2) usereste per correggere questo errore, e perchè ? P1 che sposta di una componente continua la tensione d’uscita, e dovrebbe ricuperare 1.18V/(2.55*46.8)=9.9 mV Quindi P1 dovrebbe variare di circa 10 ohm. DU ELN GG a_scrit1.doc 55/67 18.confronto fra amplificatori (AO e FET+BJT) sc. 8.9.98 +30V 1nF 5.4k 130k +15V 10k Q2 - 1==µF Q1 10==µ F 10nF + -15V Vu 100k Vi Vu 0.185k Vi 10k circuito 1 2.7k circuito 2 -15V Sono forniti gli schemi dei due circuiti indicati in figura. Lo scopo dell’esercizio è confrontarli dal punto di vista della resistenza d’ingresso, del guadagno e della banda passante, rispondendo alle seguenti domande. 1. Calcolare la resistenza d’ingresso a 100 Hz vista dai generatori Vi nei due circuiti 2. Calcolare i punti di lavoro dei due transistori del circuito 2. adottando i seguenti parametri nominali dei componenti: JFET Q1 con Idss=12 mA, Vp= −3V BJT Q2 con β=hfe=100 3. Applicare al circuito1 la tensione vi=0.1sen(628t)V e calcolare vu =f(t) adottando per l’AO, il guadagno intrinseco nominale Ao=100dB, (per il resto l’AO è ideale) 4. Applicare al circuito2 la stessa tensione vi =0.1sen(628t)V e calcolare vu =f(t), adottando per i transistor i parametri del punto 2. (ritenere hoe=0 per il BJT) 5,6. Calcolare vu =f(t) per entrambi i circuiti qualora i parametri subiscano le seguenti variazioni rispetto ai valori nominali: JFET : Idss cala del 20%, |Vp| cresce del 20% BJT : β=hfe cala del 40% AO : Ao cala del 40% 7. Confrontare la piccola variazione subìta da vu del circuito1 con la maggiore variazione subìta dalla vu del circuito2, e dirne la ragione 8,9 Calcolare, usando i valori nominali dei parametri, le frequenze di taglio per i due circuiti DU ELN GG a_scrit1.doc 56/67 TRACCIA DI SOLUZIONE 1. Calcolare la resistenza d’ingresso a 100 Hz vista dai generatori Vi nei due circuiti Impedenza dei condensatori a 100Hz: 10µF: Z=-j160Ω trascurabile a fronte di 10kΩ 1µF: Z=-j1600Ω trascurabile a fronte di 100kΩ Ri1=10k, Ri2=100k Calcolare i punti di lavoro dei due transistori del circuito 2. adottando i seguenti parametri nominali dei componenti: JFET Q1 con Idss=12 mA, Vp= −3V BJT Q2 con β =hfe=100 2. 2 ì Vgs ïI d = 12ç 1 + ÷ í 3 ïV = − I 0.185 d î gs I d − I d 54.2 + 263 = 0 2 ì . ö æ I 0185 ïI d = 12ç 1 − d ÷ è í 3 ïVgs = − I d 0.185 î ( ) I d = 12 1 + I d 0.0038 − I d 0.123 2 2 ì48.8mA Id = 27.1 ± 734.41 − 263 = í î5.39 mA Vgs = − I d 0185 . = −1V g m = 8(1 − 0.333) = 5.33mS non possibile soluzione accettata Vbm = 30 − I d 5.4 = 30 − 29.1 = 0.9 V Vds = 15 − 1 + 0.9 = 14.9 V Vu = 0.9 − 0.7 = 0.2 V Ic = 15.2 / 2.7 = 5.63mA Ib = 56µA trascurabile a fronte di Id Vce = 30V 3. Applicare al circuito1 la tensione vi=0.1sen(628t)V e calcolare vu =f(t) adottando per l’AO, il guadagno intrinseco nominale Ao=100dB, (per il resto l’AO è ideale) Impedenza del condensatore in reazione a 100Hz: 1nF: Z=-j 1600kΩ molto maggiore di 130kΩ 130 = 14 10 Vu = 1.4 sen(628t ) A = 1+ 4. Applicare al circuito2 la stessa tensione vi =0.1sen(628t)V e calcolare vu =f(t), adottando per i transistor i parametri del punto 2. (ritenere hoe=0 per il BJT) gm*vgs ib hfe*ib hie G vgs 100k Vi 0.185k 2.7k Vu 5.4k DU ELN GG a_scrit1.doc 57/67 Il circuito equivalente vale per la sola componente alternata. La componente continua è già stata calcolata in 0.2V. Poichè la resistenza d’ingresso offerta dal secondo stadio al primo è dell’ordine di h fe 2.7 kΩ = 270kΩ può essere trascurata a fronte di 5.4k. Quindi il primo stadio può essere studiato come in assenza del secondo. v i = v gs + R s g m v gs = v gs (1 + R s g m ) = v gs (199 . ) ≈ 2 v gs g m v gs = 5.33 ⋅ 0.5v i = 2.68v i Vu( JFET) = 2.68v i ⋅ 5.4 = 14.5v i 14.5v i = h ie i b + R e (1 + h fe ) i b = i b [ h ie + R e (1 + h fe )] = i b [ h ie + R e (1 + h fe ) ] ≈ 273i b 14.5 v v = 2.7 ⋅ 101 ⋅ v i = 14.5v i 273 Globalmente v u = 0.2 + 145 . sen(628t ) 5,6. Calcolare vu =f(t) per entrambi i circuiti qualora i parametri subiscano le seguenti variazioni rispetto ai valori nominali: JFET : Idss cala del 20%, |Vp| cresce del 20% BJT : β =hfe cala del 40% AO : Ao cala del 40% Idss=12*0.8=9.6 mA, Vp= −3.6V β=hfe=60 Ao=60000 primo stadio A=14 non cambiato in modo sensibile secondo stadio calcolo dei punti di lavoro 2 2 ì ì V . ö æ I 0185 ïI d = 9.6ç 1 + gs ÷ ïI d = 9.6ç 1 − d ÷ è í í 3.6 3.6 ïVgs = − I d 0185 ïV = −I 0185 . . d î î gs ( ) I d = 9.6 1 + I d 0.00264 − I d 0103 . 2 I d 2 − I d 78.4 + 378.8 = 0 ì73mA non possibile 1537 − 379 = í î5.2 mA soluzione accettata Vgs = − I d 0185 . = −0.962 V g m = 5.33(1 − 0.267) = 3.9 mS Id = 39.2 ± Vbm = 30 − I d 5.4 = 30 − 281 . = 19 . V Vds = 15 − 0.962 + 19 . = 15.9 V Vu = 19 . − 0.7 = 12 . V Ic = 16.2 / 2.7 = 6mA Ib = 100µA ancora trascurabile a fronte di Id Vce = 28.8V secondo stadio calcolo del guadagno v i = v gs + R s g m v gs = v gs (1 + R s g m ) = v gs (172 . ) g m v gs = 3.9 ⋅ 0.58v i = 2.27 v i Vu( JFET) = 2.27 v i ⋅ 5.4 = 12.2 v i 12.2 v i = h ie i b + R e (1 + h fe )i b = i b [ h ie + R e (1 + h fe ) ] = i b [ h ie + R e (1 + h fe )] ≈ 165i b 12.2 v v = 2.7 ⋅ 61⋅ v i = 12.2 v i 165 Globalmente v u = 12 . + 1.22 sen(628t ) DU ELN GG a_scrit1.doc 58/67 7. Confrontare la piccola variazione subìta da vu del circuito1 con la maggiore variazione subìta dalla vu del circuito2, e dirne la ragione La ragione essenziale sta nel fatto che per l’AO il rapporto tra il guadagno ad anello aperto (100000 oppure 60000) e quello ad anello chiuso (14) è comunque elevatissimo. Nello stadio a transistor il guadagno è imposto totalmente dal JFET, che ha un guadagno ad anello aperto dell’ordine di gm*Rd=5.33*5.4=29 non lontano dal valore del guadagno ad anello chiuso (14). Inoltre il JFET mostra uno spostamento del punto di lavoro che aumenta la componente continua in uscita. 8,9 Calcolare, usando i valori nominali dei parametri, le frequenze di taglio per i due circuiti primo stadio τ1=10kΩ*10µF=0.1s ω1=10rad/s τ2=130kΩ*1nF=0.13ms ω1=7.7krad/s f1=1.6Hz f1=1.2kHz secondo stadio τ1=100kΩ*1µF=0.1s ω1=10rad/s τ2=5.4kΩ*10nF=0.054ms ω1=18.5krad/s f1=1.6Hz f1=2.95kHz DU ELN GG a_scrit1.doc 59/67 19.confronto risposta di 4 stadi con AO sc. 22/9/98 1nF 100k 100k 1nF 10k 10k - C= - οο ideale C= + ideale οο + Vu Vu Vi Vi 9k 100k circuito 1 circuito 2 1nF 100k 100k 1nF 10k - 10k - ideale 10==µ F Vi ideale Vi + + Vu 9k Vu 100k circuito 3 circuito 4 Sono forniti gli schemi dei quattro circuiti indicati in figura. 1. Disegnare il diagramma di Bode dell’ampiezza per il circuito 1. 2. Disegnare il diagramma di Bode dell’ampiezza per il circuito 2. 3. Disegnare il diagramma di Bode dell’ampiezza per il circuito 3. 4. Disegnare il diagramma di Bode dell’ampiezza per il circuito 4. 5. Commentare un confronto a parole fra i 4 grafici 6. Per il circuito 3 ridisegnare il diagramma di Bode per il caso di AO non ideale dal solo punto di vista del guadagno ad anello aperto, che da ∞ passa a 50000 e dimostrare che il diagramma di Bode rimane praticamente invariato 7. Dire le ragioni per le quali gli ingressi + sono connessi a massa da una resistenza con i valori indicati 8. Per il circuito 4 ridisegnare il diagramma di Bode per il caso di AO non ideale per il guadagno ad anello aperto (che da ∞ passa a 100000) e per la frequenza di taglio ad anello aperto (che da ∞ passa a 1Hz) DU ELN GG a_scrit1.doc 60/67 TRACCIA DI SOLUZIONE 1. Disegnare il diagramma di Bode dell’ampiezza per il circuito 1. calcolo del guadagno a basse frequenze: A=1+100/10=11 calcolo del guadagno ad alte frequenze: A=1+0/10=1 calcolo veloce della f di taglio: τ = RC = 105 ⋅ 10−9 = 10−4 s . kHz ω t = 10000rad / s ft = 16 calcolo completo della frequenza di taglio: 1 + ( G 2 + jωC) R 1 Z 1 1 = A = 1+ 2 = 1+ = 1+ = R1 Y2 R 1 ( G 2 + jωC) R 1 ( G 2 + jωC) R 1 1 + R1 / R 2 + jωCR 2 1 + G 2 R 1 + jωCR 1 R1 / R 2 11 + jωCR 2 = = = G 2 R 1 + jωCR 1 1 + jωCR 2 1 + jωCR 2 11 + jω10 −4 1 + jω 0.910 −5 −4 = 11 CR 2 = 10 s A= 1 + jω10 −4 1 + jω10 −4 per basse frequenze A=11 (20.8dB), poi incontra il polo ω1=104 per il quale A comincia a calare di 20dB/dec, infine incontra lo zero ω2=1.1105 per il quale si ferma ad A=1 (0 dB) f1=1600 Hz f2=17600 Hz A(dB) 40 20 0 100 1000 DU ELN GG a_scrit1.doc 100000 ω rad/s 61/67 2. Disegnare il diagramma di Bode dell’ampiezza per il circuito 2. calcolo del guadagno a basse frequenze: A=1+100/∞=1 calcolo del guadagno ad alte frequenze: A=1+100/10=11 calcolo veloce della f di taglio: τ = RC = 104 ⋅ 10−9 = 10−5 s ω t = 100000rad / s ft = 16kHz calcolo completo della frequenza di taglio: R R2 R2 jωCR 2 1 + jωCR 1 + jωCR 2 = A = 1+ 2 = 1+ = 1+ = 1+ = 1 Z1 ZC + R1 1 + jωCR 1 1 + jωCR 1 + R1 jωC 1 + jωC( R 1 + R 2 ) = 1 + jωCR 1 . ⋅ 10 −4 1 + jω ⋅ 11 CR 1 = 10 −5 s C( R 1 + R 2 ) = 11 A= . ⋅ 10 −4 s 1 + jω10 −5 per basse frequenze A=1 (0 dB)), poi incontra lo zero ω1=0.9104 per il quale A comincia a crescere di 20dB/dec, infine incontra il polo ω2=105 per il quale si ferma ad A=11 (20.8dB) f1=1400Hz f2=16000Hz A(dB) 40 20 0 100 1000 DU ELN GG a_scrit1.doc 100000 ω rad/s 62/67 3. Disegnare il diagramma di Bode dell’ampiezza per il circuito 3. calcolo del guadagno a basse frequenze: A=100/10=-10 calcolo del guadagno ad alte frequenze: A=0 calcolo veloce della f di taglio: τ = RC = 105 ⋅ 10−9 = 10−4 s . kHz ω t = 10000rad / s ft = 16 calcolo completo della frequenza di taglio: Z 1 1 1 A=− 2 =− =− =− = R1 Y2 R 1 G 2 R 1 + jωCR 1 ( G 2 + jωC) R 1 R 1 1 =− 2 = −10 R 1 1 + jωCR 2 1 + jωCR 2 1 CR 2 = 10 −4 s A=− 1 + jω10 −4 per basse frequenze A=-10 (20dB), poi incontra il polo ω1=104 per il quale A comincia a calare di 20dB/dec. f1=1.6kHz A(dB) 40 20 0 100 1000 DU ELN GG a_scrit1.doc 100000 ω rad/s 63/67 4. Disegnare il diagramma di Bode dell’ampiezza per il circuito 4. calcolo del guadagno a basse frequenze: A=0 calcolo del guadagno ad alte frequenze: A= −100/10 = −10 calcolo veloce della f di taglio: τ = RC = 104 ⋅ 10−9 = 10−5 s ω t = 100000rad / s ft = 16kHz calcolo completo della frequenza di taglio: R R2 R2 jωCR 2 A=− 2 =− =− =− 1 1 + jωCR 1 Z1 ZC + R1 + R1 jωC jω ⋅ 10 −4 −5 −4 CR 1 = 10 s CR 2 = 10 s A=− 1 + jω10 −5 per basse frequenze A=0 (-∞dB) e sale a 20dB/dec per lo zero nell’origine, poi incontra il polo ω1=105 per il quale A si stabilizza a -10 (20dB). f1=16kHz A(dB) 40 20 0 100 1000 100000 DU ELN GG a_scrit1.doc ω rad/s 64/67 5 . Commentare un confronto a parole fra i 4 grafici A(dB) A(dB) 40 40 20 20 0 100 1000 100000 ω rad/s 0 100 1000 grafico 1 grafico 2 1 + jωCR 2 / 11 A = 11 1 + jωCR 2 A= A(dB) A(dB) 40 40 20 20 0 100 1000 100000 100000 ω rad/s 1 + jωC( R 1 + R 2 ) ω rad/s 0 1 + jωCR 1 100 1000 100000 ω rad/s grafico 3 grafico 4 A = −10 1 1 + jωCR 2 A=− jωCR 2 + 1 jωCR 1 I grafici 1 e il 3 presentano un andamento molto simile a causa della rete di reazione identica. Le differenze sono dovute alla configurazione non-invertente/invertente dei due stadi che comporta: • la differenza del guadagno in banda passante (A=11, A=-10) • la limitazione a 1 del guadagno per le alte frequenze, con la conseguente generazione di uno zero. I grafici 2 e il 4 presentano un andamento molto simile a causa della rete di reazione identica. Le differenze sono dovute alla configurazione non-invertente/invertente dei due stadi che comporta: • la differenza del guadagno in banda passante (A=11, A=-10) • la limitazione a 1 del guadagno per le basse frequenze, con il conseguente spostamento dello zero da una frequenza >0 allo 0. DU ELN GG a_scrit1.doc 65/67 6. Per il circuito 3 ridisegnare il diagramma di Bode per il caso di AO non ideale dal solo punto di vista del guadagno ad anello aperto, che da ∞ passa a 50000 e dimostrare che il diagramma di Bode rimane praticamente invariato vu ì vi vu ïR + A R = i A0 ï 1 0 1 vu í æ ï− v u = Z 2 ç v i + v u ÷ + v u v u = −Z 2 i − A 0 ïî A0 è R1 A 0 R1 î æ Z2 ö Z2 vu Z 1 1 vi − v u ç1 + + =− 2 ÷= Z2 1 R1 vi R1 è A 0 A 0 R1 1+ + A 0 A 0R1 Z 1 1 1 1 1 A=− 2 =− =− Z2 1 1 1 Y2 R 1 Y2 R 1 R1 æ ö 1 + 1+ + 1+ 1 + 0.00002ç1 + ÷ A 0 A 0 Y2 R 1 A 0 A 0 R1 è A 0 Y2 R 1 vi = R1i − Questa espressione è identica a quella precedente A = − 1 , salvo il fattore Y2 R 1 1 1 = 1 1 1 + 1+ 1 + 0.00002ç1 + ÷ A 0 A 0 Y2 R 1 A 0 Y2 R 1 che vale praticamente 1 qualunque sia il valore di Y2. Infatti il valore minimo di Y2 è 0.00001S, e quindi il minimo valore del fattore è 1 1 + 0.00002ç 1 + 1 ÷ A 0 Ymin R 1 = 1 1 æ ö 1 + 0.00002ç1 + ÷ è 50000 ⋅ 0.00001 ⋅ 10000 = 1 1 ö æ 1 + 0.00002ç 1 + ÷ è 5000 7. Dire le ragioni per le quali gli ingressi + sono connessi a massa da una resistenza con i valori indicati Per minimizzare gli effetti sull’offset delle correnti di polarizzazione (bias current) è necessario che l’ingresso invertente ed il non invertente siano connessi a massa ognuno da una resistenza, e le due resistenze devono avere lo stesso valore. Quindi: circuito circuito 1 circuito 2 circuito 3 circuito 4 R a massa ingresso − 100k//10k 100k 100k//10k 100k DU ELN GG a_scrit1.doc R a massa ingresso + 9k 100k 9k 100k 66/67 8. Per il circuito 4 ridisegnare il diagramma di Bode per il caso di AO non ideale per il guadagno ad anello aperto (che da ∞ passa a 100000) e per la frequenza di taglio ad anello aperto (che da ∞ passa a 1Hz) 1 A0 R2 jωCR 2 = A= 1 + jωτ 0 Z1 1 + jωCR1 1 R2 1 + ç1 + ÷ A Z1 jωCR 2 vu jωCR 2 1 + jωCR1 =− =− = + j 1 ωτ æ ö vi 1 + jωτ 0 jωCR 2 0 1 + jωCR1 + (1 + jωCR1 + jωCR 2 ) 1+ ç1 + ÷ A0 A 0 è 1 + jωCR1 jωCR 2 =− = æ 1 τ ö + jω 0 ÷ 1 + jωC( R1 + R 2 ) 1 + jωCR1 + ç A0 è A0 jωCR 2 − = 1 τ ( R + R 2 ) − ω 2 τ 0C( R1 + R 2 ) + jω 0 + jωC 1 1 + jωCR1 + A0 A0 A0 A0 jωCR 2 − = R1 + R 2 ) τ C R + R2 ) ( 1 τ0 2 0 ( 1 1 + jωCR1 + + jω + jωC −ω A0 A0 A0 A0 jωCR 2 =− ≈ τ 0 C( R 1 + R 2 ) (R1 + R 2 ) τ 0 1 2 1+ −ω + jω êCR 1 + C + ú A0 A0 A0 A0 jωCR 2 =− τ 0 C( R 1 + R 2 ) é τ ù 1− ω 2 + jω êCR 1 + 0 ú A0 A 0 ë 1 1 = = 0.16s τ0 = . ⋅ 10 5 = 11 . ⋅ 10 −4 s C( R 1 + R 2 ) = 10 −9 ⋅ 11 ω 0 2 πf 0 τ0 = 1.610 −6 s CR 1 = 10 −5 s A0 jω10 −4 A=− 2 1 − ω 1.7610 −10 + jω11.610 −6 vu R =− 2 vi Z1 [ ω 0 103 104 7.5 104 8.6 104 105 106 107 num 0 j0.1 j j7.5 j8.6 j10 j100 j1000 ] den 1 1+j0.0116 1-0.0176+j0.116 1-1+j0.87 -0.3+j -0.76+j1.16 -176+j11.6 -17600+j116 confronto con il grafico corrispondente ad AO ideale DU ELN GG a_scrit1.doc |A| 0 0.1 1 8.6 8.2 7.1 0.57 0.057 dB -∞ -20 0 18.7 18.3 17 -4.9 -24.9 67/67 A=− jω ⋅ 10 −4 1 + jω10 −5 ω 0 103 104 7.5 104 8.6 104 105 106 107 num 0 j0.1 j j7.5 j8.6 j10 j100 j1000 den 1 1+j0.01 1+j0.1 1+j0.75 1+j0.86 1+j 1+j10 1+j100 |A| 0 0.1 1 6 6.5 7.1 10 10 dB -∞ -20 0 15.6 16.3 17 20 20 |A| 10 10 10 6 5.5 4.9 0.57 0.057 dB 20 20 20 15.6 14.8 13.8 -4.9 -24.9 106 107 ω (rad/s) Confronto col caso di AO reale, ma senza C nella rete di reazione vu R 1 A0 =− 2 A= vi R1 1 + jωτ 0 1 R 1 + ç1 + 2 ÷ A R1 R2 vu 10 R1 =− =− = 1 jωτ 0 + vi æ ö 1 + jωτ 0 R2 1+ 11 1+ ç1 + ÷ A0 A0 è R1 1 1 A 0 = 100000 . s = = 016 ω 0 2 πf 0 10 10 A=− ≈− 1 + 10−5 + jω ⋅ 1.76 ⋅ 10−5 1 + jω ⋅ 1.76 ⋅ 10−5 τ0 = ω 0 103 104 7.5 104 8.6 104 105 106 107 num 10 10 10 10 10 10 10 10 den 1 1+j0.0176 1+j0.176 1+j1.32 1+j1.51 1+j1.76 1+j17.6 1+j176 20dB 0 -20dB 102 103 DU ELN GG a_scrit1.doc 104 105