Corso di Dispositivi Elettronici allo Stato Solido Prof. Arnaldo D’Amico Questo corso viene impartito al primo anno della Laurea Magistralis e riguarda lo studio approfondito dei dispositivi microelettronici più utilizzati nel campo della microelettronica: diodi Schottky, diodi tunnel e avalanche, etc, transistori bipolari, ed in particolare la famiglia dei dispositivi ad effetto di campo detti MISFET tra cui vengono evidenziati i comportamenti dei MOSFET e dei MESFET. Scopo particolare del corso è di illustrare i meccanismi intrinseci di funzionamento dei suddetti dispositivi indicandone anche alcuni ambiti applicativi tra i più significativi. Nella prima parte del corso viene illustrata la tecnica di progetto dei modelli a bande di strutture di materiali semiconduttori anche in numero elevato(maggiore di 4) e vengono fornite, con numerosi esempi, le modalità di espressione della carica distribuita lungo la struttura, l’andamento del campo elettrico e del potenziale. Nella seconda parte del corso si mettono in evidenza aspetti riguardanti il rumore elettronico e le tecniche per il suo calcolo applicate ad esempi concreti riguardanti amplificatori operazionali. Di particolare rilevanza viene studiato il comportamento della capacità dei dispositivi in funzione della tensione applicata e nel contesto dello studio di dispositivi a risposta veloce, viene illustrato in dettaglio il circuito in grado di elaborare segnali a velocità massima.