PR 194-2016/ROHM - ROHM Ad/PR Materials

PR 194-2016/ROHM
ROHM Semiconductor mostra i nuovi livelli di efficienza
raggiunti con la tecnologia SiC di terza generazione
MOSFET SiC, SBD SiC, moduli SiC: strutture avanzate in grado di
offrire una densità di potenza, un’affidabilità e un rendimento
energetico maggiori
Willich-Münchheide/Monaco,
8
novembre
2016
–
In
occasione
di
Electronica, la prestigiosa fiera dell’elettronica che si svolge a Monaco, (8-11
novembre 2016/padiglione A5-stand 542), ROHM Semiconductor presenta
la terza generazione di MOSFET, diodi a barriera Schottky (SBD) e moduli SiC. I
nuovi dispositivi, oltre a soddisfare le esigenze in termini di alimentazione
efficiente, sono in grado di ridurre le perdite legate alla conversione di potenza.
Nel 2010 ROHM, un vero pioniere nel campo della tecnologia SiC, è stata la
prima azienda ad avviare la produzione in serie di MOSFET SiC, e continua a
guidare il settore investendo nello sviluppo di prodotti mirati a ridurre
ulteriormente le perdite di potenza.
MOSFET SiC di terza generazione
ROHM ha già avviato la produzione in serie dei primi SiC MOSFET trench sul
mercato. La nuova generazione di MOSFET SiC realizzati da ROHM, a parità di
dimensioni del chip, riduce la resistenza di ON del 50% nell’intero intervallo di
temperature e la capacità d’ingresso del 35% rispetto ai MOSFET SiC a gate
planare. Combinando le perdite estremamente basse alle prestazioni di
commutazione ad alta velocità è possibile raggiungere una resa ottimale. Questo
consente anche di ridurre le dimensioni dei componenti periferici (es. bobine e
condensatori) aumentando la frequenza di commutazione. In questo modo si
ottiene
un
aumento
dell’efficienza
di
conversione,
una
maggiore
miniaturizzazione, una riduzione del peso e una migliore efficienza energetica.
Ne è un ottimo esempio il nuovo SCT3080KL, MOSFET SiC da 1200V in package
TO-247.
Linea di MOSFET SiC di terza generazione
650V
N. parte
TO-247
SCT3xxxAL
1200V
N. parte
TO-247
SCT3xxxKL
17mΩ 22mΩ 30mΩ 60mΩ 80mΩ 120mΩ
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22mΩ 30mΩ 40mΩ 80mΩ 160mΩ
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ROHM offre inoltre MOSFET SiC con certificazione AEC-Q di seconda generazione,
basati sulla tecnologia planare.
Diodi a barriera Schottky (SBD) SiC di terza generazione
Tra tutti gli SBD SiC attualmente disponibili sul mercato, i diodi a barriera
Schottky (SBD) SiC di terza generazione presentano una caduta di tensione
diretta (VF) e una corrente di dispersione inversa (lR) bassissime nell’intero
intervallo di temperature, oltre ad un’elevata capacità di sovracorrente che li
rende ideali per le applicazioni di alimentazione. Accanto ai recenti dispositivi in
TO220AC da 650V a 6, 8 e 10A, ROHM presenta i dispositivi in D2PAK e in
TO220FM, aggiungendo alla famiglia anche i tagli di corrente inferiori (2A e 4A).
Rispetto ai dispositivi in silicio, i diodi SiC presentano un tempo di recupero
inverso brevissimo, che li rende perfetti per la commutazione ad alta velocità.
Tutte queste caratteristiche contribuiscono a raggiungere elevati livelli di
efficienza e di densità di potenza, realizzando progetti molto robusti, in linea con
l’attuale tendenza del mercato.
Linea di SBD SiC di terza generazione
Moduli ‘full SiC’ di tipo chopper
I nuovi moduli ‘full SiC’ di ROHM, inclusi quelli chopper per convertitori,
integrano sia MOSFET SiC trench che SBD SiC. Oltre ai moduli 2 in 1, da
1200V/120A, 180A e 300A, sono in preparazione anche moduli di tipo chopper,
in grado di soddisfare le esigenze del mercato. Rohm sta anche lavorando a un
nuovo
modulo
di
potenza
con
una
bassa
induttanza
parassita.
Linea di moduli SiC
For more information visit www.rohm.com/web/eu/electronica-2016
Maggiori informazioni sulla partecipazione di ROHM a electronica su
http://www.rohm.com/web/eu/electronica-2016
Informazioni su ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor è una società internazionale con 21.171 dipendenti che, al
31 marzo 2016, ha registrato ricavi per 352.397 milioni di yen (3,30 miliardi di
dollari). ROHM Semiconductor sviluppa e produce un’ampia gamma di prodotti,
tra cui microcontrollori a bassissimo consumo, sistemi di power management,
circuiti integrati standard, diodi, Mosfet e moduli SiC, transistor e diodi di
potenza, LED e componenti passivi quali resistenze, condensatori al tantalio e
display a LED, testine di stampa termiche, prodotti in impianti all’avanguardia in
Giappone,
Corea,
Malaysia,
Tailandia,
Filippine,
Cina
ed
Europa.
LAPIS Semiconductor (ex OKI Semiconductor), SiCrystal AG, Kionix e
Powervation
Ltd.
fanno
parte
del
Gruppo
ROHM
Semiconductor.
La sede europea di ROHM Semiconductor si trova nelle vicinanze di Düsseldorf e
gestisce la regione EMEA (Europa, Medio Oriente e Africa). Maggiori informazioni
su www.rohm.com/eu
Contatto:
ROHM Semiconductor GmbH
Media Department
Karl-Arnold-Str. 15
D-47877 Willich-Münchheide
Germany
Phone: +49 2154 921 0
Fax: +49 2154 921450
E-mail: [email protected]
KEK Concept GmbH
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D-81737 Munich
Germany
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