JFET e MESFET h/L~1/3 Z h y Il canale attivo è generalmente un semiconduttore drogato n per la maggiore mobilità dei portatori n. La principale differenza è che nella giunzione Schottky c'è una corrente inversa maggiore che nella giunzione p-n. (E' una caratteristica positiva) x W L'altezza del canale conduttivo è h. Il canale conduttivo ha una zona di parziale svuotamento a zero polarizzazione di gate. Una polarizzazione di gate negativa produce un'alterazione dell'ampiezza della regione di svuotamento. Il gate modula la conduttanza del dispositivo aumentando o diminuendo la zona di svuotamento fino al limite azzerandola R LM Fisica A.A.2013/14 L L L A q n N D A q n N D Z h W Fisica dei Dispositivi a Stato Solido - F. De Matteis 1 Modulazione del canale conduttivo Z h 2 Vbi VT h= eN d 1/ 2 VGS=VT polarizzazione di soglia per inizio dello strozzamento Vbi-VT=Vp tensione di strozzamento intrinseco eN d h 2 Vp = 2 eN d h 2 VT = Vbi V p = Vbi 2 Se VP è minore del potenziale di costruzione Vbi , il canale del dispositivo è completamento svuotato in assenza di polarizzazione di gate. Una polarizzazione di gate positiva può aprire il canale. Tali dispositivi sono detti in modo aumentato Al contrario se VP è maggiore del potenziale di costruzione Vbi il canale è parzialmente svuotato. Un a polarizzazione negativa del gate lo può svuotare completamente. Questi dispositivi funzionano in modalità di svuotamento LM Fisica A.A.2013/14 Fisica dei Dispositivi a Stato Solido - F. De Matteis 2 Caratteristiche corrente-voltaggio Un analisi completa dell'andamneto della corrente è complicata (Eq di Poisson e continuità della corrente risolta in maniera auto consistente) Disp4.ppt Facciamo alcune approssimazioni. y La mobilità degli elettroni è costante e indipendente dal campo elettrico. Vero solo per bassi campi. Per campi alti la velocità satura. Limite 2-3 kV/cm, non eccessivamente alto. Al di sopra sovrastimiamo e dovremmo dare una trattazione completa. Approssimazione di campo graduale (Shockley). In assenza di dV polarizzazione S-D l'ampiezza di svuotamento è quella solita W. I D = Z h W x e N d μn dx In presenza di polarizzazione S-D dobbiamo assumere W(x). Assumiamo che il campo lungo x sia minore del campo lungo h. L'ampiezza W(x) è semplicemente determinata dal potenziale V(x) Area Densità di carica Campo come se fosse costante (giunzione p-n) E' valida se L>>h e mobilità Sostituendo e integrando otteniamo 1 VDS L 2 V x + V V 1 2 bi GS I D = I D L = eμn N d Z h eN d 2 VDS x +Vbi VGS 2 0 0 W x = eN d Lgo LM Fisica A.A.2013/14 3/ 2 3/ 2 2 V + V V V V DS bi GS bi GS = eμn N d ZhVDS 3 eN d h 2 / 2 Fisica dei Dispositivi a Stato Solido - F. De Matteis 3 Caratteristiche corrente-voltaggio 3/ 2 3/ 2 2 V + V V V V DS bi GS bi GS I D = g o VDS 3 Vp Condizione di non-strizzamento y W L = 2 VDS +Vbi VGS <h eN d Quando il canale si strizza(in prima approssimazione) la corrente di drain satura. V L = V V V V dV I D = Z h W x e N d μn dx y bi GS DS p La tensione di drain a cui avviene la saturazione è VDS sat = V p Vbi +VGS 0 V p VDS = 0 = Vbi VT E la corrente di saturazione è 3/ 2 3/ 2 2 V V + V + V V V V p bi GS bi GS bi GS = I D sat = g o V p Vbi +VGS 3 Vp 3/ 2 V p 2Vbi VGS = g o Vbi +VGS + 3 3 Vp LM Fisica A.A.2013/14 Fisica dei Dispositivi a Stato Solido - F. De Matteis 4 Caratteristiche corrente-voltaggio Il modo in cui il gate controlla la corrente di drain è rappresentata dalla transconduttanza gm dI gm = D dVGS V +V V V V bi GS = g o DS bi GS Vp VDS const g0 = eμn N d Zh L La transconduttanza è aumentata in materiali con alta mobilità e/o corte lunghezze di canale L L'espressione per la corrente si semplifica se assumiamo VDS<<Vbi-VGS REGIONE LINEARE Sviluppiamo in serie di Taylor l'espressione della corrente ID I D = g o 1 Vbi VGS V Vp DS gm = g oVDS 2 V p Vbi VGS In REGIONE DI SATURAZIONE invece g m sat = g o 1 Vbi VGS Vp Tutto questo vale fino allo strozzamento, poi per spiegare la saturazione bisogna fare delle opportune assunzioni fisicheFisica dei Dispositivi a Stato Solido - F. De Matteis 5 LM Fisica A.A.2013/14 Effetti in dispositivi reali Diversi fattori devono essere presi in considerazione nei dispositivi reali che possono modificare il comportamento fin qui esaminato. Fondamentalmente le differenze derivano dall'assunzione che la mobilità dell'elettrone è costante indipendentemente dal campo applicato. In realtà si ha saturazione della velocità vs Come avevamo detto le correnti sono sovrastimate. Diversi approcci sono stati adottati per correggere questo errore. μn F Si assume v F = I D0 μn F 1+ ID = vs μnVDS 1+ Questo risulta in una diminuzione della corrente di un fattore vs L Per piccoli dispositivi (≤1 m) assume che la velocità è sempre al valore di saturazione Si assume un modello a due regioni dove la mobilità è costante in una regione fino a valori di campo inferiori a Fp e poi diventa costante vs La questione è delicata e richiederebbe modelli bidimensionali che possono essere risolti con approcci di calcolo numerico e con software dedicati estremamente sofisticati. LM Fisica A.A.2013/14 Fisica dei Dispositivi a Stato Solido - F. De Matteis 6 Modulazione della lunghezza del canale Corrente è inversamente proporzionale alla lunghezza del canale L. 3/ 2 3/ 2 2 VDS +Vbi VGS Vbi VGS I D = g o VDS 3 Vp L L DL L' g0 = eμn N d Zh L gD = I D VDS 0 VGS =cost Lunghezza effettiva del canale Quando si arriva a VDS(sat) il canale si strizza sul lato del drain. Se VDS aumenta la zona di strozzamento si allarga verso il source e il VDS(sat) è sopportato da una lunghezza L' mentre sul resto DL=L-L' il potenziale percepito è (VDS-VDS(sat) ) ΔL = 2 VDS VDS sat eN d 1 1 ΔL Realisticamente questa lunghezza 1 = 1+ 1 L' L 2 L di svuotamento DL si estenderà in eff L ΔL 2 egual misura nella regione del canale e in quella del drain. Così la diminuzione effettiva della lunghezza del canale attivo è ~ ½ DL LM Fisica A.A.2013/14 ΔL VDS I' D VDS > VDS sat = I D sat 1 + 2 L Fisica dei Dispositivi a Stato Solido - F. De Matteis 7 Effetto della modulazione del canale LM Fisica A.A.2013/14 Fisica dei Dispositivi a Stato Solido - F. De Matteis 8 Modello di risposta in frequenza La carica DQ che si accumula sul Gate è la stessa variazione che si genera nel canale. Se Dt è il tempo impiegato dal dispositivo a rispondere a questo cambiamento, possiamo definire una corrente dID δQ δI D = Δt gm = I D VGS VDS =cost Il tempo Dt è il tempo impiegato mediamente dai portatori per attraversare il dispositivo ttr gm = = I D Q VDS Q VG VDS CG CGS CGD ttr ttr CG è la capacità gate-canale e descrive la relazione tra tensione di gate e carica di gate C'è poi la conduttanza di uscita gD che descrive la dipendenza della corrente di drain dal suo potenziale gD = I D VDS A completare il quadro ci sono poi le resistenze dei contatti ohmici RG, RD e RS e le capacità CDS drain-substrato e CDC drain-canale e la resistenza del canale Rl LM Fisica A.A.2013/14 Fisica dei Dispositivi a Stato Solido - F. De Matteis 9 VGS Modello di risposta in frequenza Un'importante parametro che caratterizza i FET è la frequenza di cut-off di guadagno di corrente diretta fT che definisce la massima frequenza al quale il guadagno di corrente diventa unitario. Il fattore che limita la risposta del dispositivo è il tempo di carica della capacità. Allora alla frequenza di cutoff la corrente di gate Iin è uguale alla grandezza della corrente di uscita dal canale gmVGS Iin = d/dt Qin = jw CG VGS = gmVGS fT = gm = g oVDS 2 V p Vbi VGS g m sat = g o 1 Vbi VGS Vp gm 1 = 2πCG 2πttr Quindi la risposta in frequenza del dispositivo è ottimizzata usando materiali con migliori proprietà di trasporto e minori lunghezze di canale. Rimanendo nel modello di mobilità costante, il massimo valore della transconduttanza é (prendendo Vbi = VGS): eμn N d Zh h ZL C = f max = T Vbi VGS G h L 2ZL g sat = g 1 m o = go = Vp eμn N d Zh L eμn N d h 2 fT max 2πL2 L'espressione è sovrastimata per i limiti del modello a mobilità costante. Assumendo che i portatori si muovono alla velocità saturata vs, il tempo di transito ttr è semplicemente L/vs vs fT max = 2πL LM Fisica A.A.2013/14 Fisica dei Dispositivi a Stato Solido - F. De Matteis 10 Scelta materiale 2/3 vs(InP)=vs(GaAs)=2 vs(Si) LM Fisica A.A.2013/14 Fisica dei Dispositivi a Stato Solido - F. De Matteis 11 Applicazioni a grandi segnali analogici Un importante utilizzo dei dispositivi FET è quello di amplificazione di grandi segnali per amplificatori di potenza. In questo caso si fa operare il FET in regime di saturazione. Il variare della polarizazione di gate fa variare la polarizzazione di drain dalla tensione di breakdown VB a VDS(sat). La massima potenza di uscita è data da (media nel tempo da cui il fattore 8 a denominatore) Pm = I m VB VDS sat 8 Si vorrebbe VDS (sat), il punto al quale la linea di carico interseca la regione lineare della curva I-V, più basso possibile. Questo richiede materiali ad alta mobilità (GaAs) con bassa resistenza di source e di drain. Si vorrebbe anche una tensione di breakdown VB più alta possibile, e quindi la necessità di materiali ad alta gap. Un compromesso tra alto VB e alto ft per il dispositivo è dato da VB fT VB LM Fisica A.A.2013/14 vs F v crit s 2πL 2π Fisica dei Dispositivi a Stato Solido - F. De Matteis 12