Lanzieri_ROMAIII

Tecnologie GaAs/GaN per
Microonde allo Stato Solido
C. Lanzieri
GaAs/GaN Foundry
Selex-Sistemi Integrati
[email protected]
SELEX Sistemi Integrati: A Finmeccanica Company
DETAILS
2009 Revenues 18.2 € bn
© 2011 SELEX Sistemi Integrati - commercial in confidence
19 %
3.48 € bn
5%
0.9 € bn
Telespazio
Thales Alenia Space
6.72 € bn
37%
Defence Systems
7%
1.2 € bn
Oto Melara
WASS
MBDA
2.64 € bn
14 %
SELEX Sistemi Integrati
SELEX Communications
SELEX Galileo
SELEX Service Management
Seicos
Elsag Datamat
DRS Technologies
AgustaWestland
Space
Aeronautics
Defence Electronics
Helicopters
Alenia Aeronautica
Alenia Aermacchi
ATR
Superjet International
Energy
Transportation
10 %
1.75 € bn
1.7 € bn
8%
AnsaldoBreda
Ansaldo STS
BredaMenarinibus
Ansaldo Energia
100% FNM
FINMECCANICA
SELEX SISTEMI
ATC & ATP
LAND
NAVAL
C4I
JVs
SECURITY
40% FNM – 60%
public
LOGICTIC
MAP
SELEX Sistemi Integrati within the
Finmeccanica’s Galaxy for Large Systems
SELEX Sistemi Integrati key points:
SELEX Galileo
DRS Technologies
SELEX Communications
© 2011 SELEX Sistemi Integrati - commercial in confidence
Ansaldo Energia
Belongs to a multi-domain and
multi - platform Group
Ansaldo STS
Elsag Datamat
AnsaldoBreda
Leads the core Capabilities and
Technologies within the Large
Telespazio
Systems Domain: Sensors,
Thales Alenia Space
Command and Control, Integration
SELEX Sistemi
Integrati
SELEX Service
Management
Oto Melara
Alenia Aeronautica
MBDA
AgustaWestland
WASS
FINMECCANICA assigned to SELEX Sistemi Integrati the Prime Contractor and Architect mission role
FINMECCANICA
SELEX SISTEMI
ATC & ATP
LAND
NAVAL
C4I
SECURITY
LOGICTIC
MAP
Research & Development
© 2011 SELEX Sistemi Integrati - commercial in confidence
In 2009, SELEX SI invested more than 100 ML€ in R&D, more than 15% of its Turnover
Systems
Products
Active Arrays and MFR Technology
Modelling, Prototyping
Advanced Signal Processing, Algorithms
and specific Functionalities
Distributed Sensors Networks and Data
Fusion
GaAs/GaN Design & Production for
Power and Wide Band Applications
Open NCW/NEC Architectures
Middleware Development for Civil and
Military Applications
COTS Maximization and Control
FINMECCANICA
SELEX SISTEMI
ATC & ATP
LAND
NAVAL
C4I
SECURITY
LOGICTIC
MAP
Research & Technology Laboratory
Mission
The Research & Technology Laboratory constitutes a key company
asset for the development of innovative enabling technologies for
Integrated Systems applications. The Unit’s mission is to ensure a
dynamic technological environment capable of responding to the
company’s operational needs and to develop new technologies and
demonstrators to expand the products and systems portfolio.
Company Confidential
Technology Roadmap to control technology evolution
AESA Radar Technology Roadmap
Multi-Function Radar
(Dual-Band)
Digital Radar
Multi-Function Radar
Wideband Multi Role Radar
2004
2008
2012
REDUCED SIZE MULTI-FUNCTION MMICs
GaAs HPA
FRONT END
MMICs
2016
MINITURISED 3D-MMICs
High Voltage GaAs HPA
High Voltage Switches/Very High Power/Efficiency GaN HPA
GaAs LNA (PHEMT- MHEMT) / Limiter
Robust GaN LNA
Multi-function E/D Mode GaAs CP
SiGe Core-Processor
Wide-Band Phase/Amplitude Control(MEMS for TTD and/or MMICs)
FLAT ANTENNA ARRAY
LTCC / HTCC Packaging
THERMAL
MANAGEMENT &
PACKAGING
2020
CONFORMAL ANTENNA ARRAYS
Flip-chip Assembly
MCM-D/V 3D Packaging and Assembly
High Thermal Conductivity Heat-Sink Materials
Injected Moulded Metal Packaging
Injected Moulded Plastic Packaging
Research & Tecnologie:
Competences & Resources
Competences:
 Development of Emerging Electronic and Photonic Technologies (GaN,
THz,..)
 Photonics for Radar and Security Sensors
 Design of Microwave Monolithic Integrated Circuits and Related RF Subsystems
 GaAs/GaN Foundry
 Microelectronic Technologies and Pilot Production
Resources
R&T (3)
Fotonica (17)
Componenti RF (13)
Microelettronica (19)
GaAs Foundry (25)
Totale Risorse 77 (~30% Laureati)
Company Confidential
GaAs/GaN Foundry: Related Products
MMICs:
 GaAs MESFET, VPIN, PHEMT
 GaN HEMT
 SiGe Analog/Digital Components
Transmit/Receive Modules:
 GaAs: C, X and Wideband
 GaN: X-Band prototype
Solid State Power Bricks:
 GaAs: X-Band 10 and 50W
 GaN: X-Band 50 W prototype
Clean Room: ~ 600m2 (Classe
100/1000)
Equipment: ~ 20 M€
Company Confidential
Proprietà del trasporto di carica nei semiconduttori
•
•
•
•
•
•
Le proprietà di trasporto in un semiconduttore dipendono dalla struttura a bande. La figura mostra la
struttura a bande (energia in funzione del momento) del Si e del GaAs. Si può notare che nel GaAs il
minimo dell’energia della banda di conduzione è a momento nullo e sovrapposto al massimo della
banda di valenza (gap diretto), mentre nel Si corrisponde ad un valore elevato del momento e non è
sovrapposto al massimo della banda di conduzione (gap indiretto)
L’intervallo di energie proibite (energy gap) tra gli estremi della banda di conduzione e di valenza è più
largo nel GaAs (1.42 eV) che nel Si (1.12 eV)
Questo fa si che la generazione termica di coppie elettrone-lacuna a temperatura ambiente produca
densità di portatori più basse nel GaAs (2x1016 cm-3 )che nel Si (2x1010 cm-3). Ciò fa si che a
temperatura ambiente il GaAs puro sia un semi-isolante (ro=108 ohm cm)
La forma delle bande di energia vicino ai minimi
determina il moto degli elettroni (o delle lacune), che
in un solido rispondono ad un campo elettrico
esterno con una massa “efficace” che è
inversamente proporzionale alla curvatura della
banda.
Quindi a bande strette corrispondono masse efficaci
piccole, mentre a bande larghe corrispondono
masse efficaci grandi.
Gli elettroni nel GaAs risultano quindi più “leggeri”; la
loro massa efficace, m*=0.068 m0 è infatti un quarto
di quella del silicio, m*=0.259 m0
Proprietà del trasporto di carica nei
semiconduttori: GaAs vs Si
•
La presenza di un campo elettrico esterno trascinerà molto più velocemente
gli elettroni nel GaAs che nel Si. Al contrario, la massa efficace delle lacune è
pressoché uguale nei due materiali.
• E’ importante ricordare che il moto di una carica nel solido è in generale
caratterizzato da condizioni di stazionarietà in cui si crea un equilibrio tra il
campo elettrico applicato, che fornisce energia alle cariche, ed i meccanismi
di frizione (scattering), caratteristici del materiale, che la dissipano: I
meccanismi di frizione sono dovuti agli scambi di energia (urti) fra le cariche e
le vibrazioni del reticolo cristallino (fononi) e le impurezze, oltre che, anche se
meno importanti, con le interfacce e le altre cariche.
• Il parametro che forse meglio caratterizza la risposta elettronica dei portatori
ad alti campi elettrici è la loro velocità media in direzione del campo elettrico,
detta anche velocità di deriva, Vd.
IL TRANSISTOR AD EFFETTO DI CAMPO
•
•
•
Il transistor ad effetto di campo (Field Effect Transistor) è un dispositivo nel
quale la corrente che scorre tra due terminali (Drain-Source) viene
controllata dal campo elettrico perpendicolare al flusso di corrente
mediante l’applicazione di una tensione su di un terzo elettrodo (Gate)
In pratica il flusso di corrente è parallelo alla superficie del semiconduttore
mentre il campo elettrico che lo controlla è ad essa perpendicolare.
I FET sono dispositivi unipolari, cioè il loro funzionamento dipende da un
solo tipo di portatori di carica (elettroni o lacune) e prendono il nome di FET
a canale n o FET a canale p rispettivamente.
Transistor ad effetto campo a tecnologia Impiantazione
ionica: MESFET
•
Le caratteristiche del GaAs non consentono di realizzare dispositivi con
drogaggio mediante diffusione o la formazione di strati ossidi su cui realizzare
il contatto di Gate. Il drogaggio viene perciò effettuato mediante impiantazione
ionica e l’elettrodo di Gate viene formato tramite una giunzione Schottky
(metallo-semiconduttore rettificante).
Recesso
del Gate
S
N+ GaAs
G
N GaAs
GaAs Semi Isolante
D
IL TRANSISTOR AD EFFETTO DI CAMPO:
MESFET
•
•
•
Nel caso in cui la giunzione p-n di gate sia sostituita da una giunzione
metallo semiconduttore il dispositivo prende il nome di MESFET.
Nei FET la velocità intrinseca del dispositivo è determinata dal tempo
impiegato dai portatori ad attraversare il canale fra Source e Drain, che
quindi ha dimensioni ridottissime, (micrometro o frazioni di micrometro). Le
capacità parassite che limitano la risposta in frequenza dei dispositivi sono
quelle dovute alle regioni di carica spaziale presenti nel dispositivo e alla
struttura del Gate.
Oltre alla riduzione delle dimensioni, che riduce tutte le capacità, tecniche
di isolamento laterale e l’impiego di substrati isolanti riducono le capacità
delle giunzioni di Source e Drain
MESFET su GaAs
Agli inizi degli anni settanta i transistor
al GaAs erano tutti MESFET a
svuotamento (D-mode o D-MESFET)
a canale n, con struttura MESA.
Il funzionamento dei D-MESFET è
simile a quello del JFET. Il flusso di
corrente tra Source e Drain è
confinato al canale tra la regione
svuotata di gate e il substrato semiisolante.
In questi dispositivi il canale è
normalmente aperto per tensioni di
gate nulla e viene chiuso applicando
una tensione negativa al gate.
Si tratta quindi di dispositivi a
svuotamento, depletion mode, o DMESFET.
D-MESFET & E-MESFET
•
•
Poiché i D-MESFET richiedono una tensione di gate negativa per chiudere
il canale, mentre la tensione di Drain è positiva, i circuiti logici a D-MESFET
richiedono due tensioni di alimentazione (positiva e negativa) e circuiti
adattatori di livello(level shifter) per adattare gli ingressi alle uscite. Inoltre, i
circuiti realizzati esclusivamente con D-MESFET sono caratterizzati da una
forte dissipazione di potenza, che ne limita la densità di integrazione.
Per realizzare circuiti digitali ad altissimo livello di integrazione sono
necessari quindi anche dispositivi ad arricchimento, enhancement mode o
E-MESFET, che sono normalmente spenti quando l tensione applicata al
gate è nulla e conducono per tensioni di gate positive.
E-MESFET
•
•
•
Negli E-MESFET a causa del potenziale
intrinseco della barriera Schottky di gate, il
canale è parzialmente svuotato anche per
tensione nulla applicata al gate.
Si regolano allora spessore e drogaggio del
canale in modo che a tensione applicata
nulla il potenziale intrinseco sia tale da
svuotare completamente il canale
impedendo la conduzione elettrica.
Per aprire il canale alla conduzione elettrica
tra Source e Drain è necessario polarizzare
positivamente (direttamente) il Gate.
Transistor ad effettori campo ad eterostruttura
•
•
•
•
•
I transistor ad effettori campo ad eterostruttura permettono di superare i
fattori che limitano la velocità di risposta dei tradizionali MESFET al GaAs:
Infatti, da un lato la maggior velocità di deriva degli elettroni nel gas
bidimensionale consente tempi più brevi di transito, dall’altro la maggiore
transconduttanza riduce i tempi di carica e scarica delle capacità parassite
collegate all’uscita.
In un MESFET la conducibilità del canale è quindi la corrente può essere
aumentata introducendo un numero più elevato di atomi donatori,
sfortunatamente la presenza delle impurezze donatrici nel canale
conduttivo degrada la mobilità la velocità di deriva degli elettroni.
Nelle eterostrutture, al contrario, la tecnica della modulazione di drogaggio
permette di isolare gli elettroni di conduzione dagli atomi donatori e di
ottenere contemporaneamente elevate concentrazioni di elettroni ed
elevate mobilità.
Il dispositivo che sfrutta meglio tale principio è un transistor ad effetto di
campo ad eterostruttura (multipla o singola) in cui il canale è costituito dal
gas elettronico bidimensionale.
Come già detto questi dispositivi sono stati identificati con diversi acronimi:
HEMT, MODFET, SDHT, e TEGFET. Nel seguito noi li indicheremo con
l’acronimo HEMT, essendo questo il più usato in letteratura.
Transistor ad effettori campo ad eterostruttura
•
La sezione di un HEMT a singola eterogiunzione è mostrata in figura
•
Il dispositivo viene realizzato crescendo epitassialmente i vari strati su un
substrato semi-isolante di GaAs, sul quale si realizza un’eterogiunzione nAlxGa1-xAs /GaAs.
Come abbiamo già visto gli elettroni diffondono dall’ AlxGa1-xAs fortemente
drogato al GaAs non intenzionalmente drogato dove vengono confinati nella
buca quantica che si crea all’interfaccia.
•
Transistor ad effettori campo ad eterostruttura
Nell’ AlxGa1-xAs quindi si formano due regioni di svuotamento: una
alla superficie dell’ AlxGa1-xAs all’interfaccia con il metallo e un’altra,
molto sottile (circa 10 nm) all’interfaccia con il GaAs a causa del
trasferimento di elettroni verso la buca quantica.
La struttura a bande dell’ AlxGa1-xAs assume quindi la caratteristica
forma concava mostrata in figura
Vantaggi degli HEMT rispetto ai MESFET al GaAs
•Come già detto, rispetto ai convenzionali MESFET nei dispositivi ad
eterostruttura si possono ottenere mobilità e velocità di deriva degli elettroni
più elevate: Il vantaggio è di circa il 20% già a temperatura ambiente e cresce
al diminuire della temperatura (a 77 K il miglioramento + di circa il 60%).
•In un FET ad eterogiunzione la trasconduttanza risulta più elevata che in un
MESFET sia perché la velocità degli elettroni è maggiore sia perché il gas di
elettroni è posto a minore distanza dal contatto di gate, il che significa che
una densità di carica molto grande può essere modulata da una tensione di
gate molto piccola.
•Un ulteriore aumento delle prestazioni degli HEMT si può ottenere riducendo
la temperatura, poiché come abbiamo già visto, la velocità degli elettroni
aumenta al diminuire della temperatura al contrario di quanto avviene nei
MESFET a causa delle impurezze donatrici presenti nel canale.
Ottimizzazione dei transistor HEMT
•Per migliorare le prestazioni di un HEMT convenzionale si introduce
al’interno della regione di canale una percentuale di indio
•La realizzazione del canale mediante un composto di indio e GaAs
(InGaAs) offre una velocità di saturazione degli elettroni più elevata di
quella del GaAs
•Inoltre un salto energetico e quindi un relativo confinamento degli
elettroni sensibilmente più elevato.
•In tali dispositivi,detti HEMT pseudomorfici, si ottengono quindi valori di
transconduttanza maggiori e più elevati limiti in frequenza
Dal MESFET al PHEMT
Drain
Source
MESFET
•
I MESFET (Metal Semiconductor Field
Effect Transistor) sono dispositivi a 3
contatti (Source, Gate, Drain)
• Applicando una tensione negativa al
contatto di gate si può modularne la
corrente
• La frequenza massima di tale variazione è
determinata dal tempo di transito degli
elettroni nella regione di gate
• Per questo è necessario:
– ridurre la dimensione del gate
– aumentare la velocità dei portatori
 Il canale conduttivo nei MESFET deve
essere drogato! Questo limita la velocità
massima degli elettroni
GaAs: Si
700 Å
GaAs: Si
300 Å
AlGaAs: Si
300
Si -doped
-
AlGaAs
undoped
40
InGaAs
undoped
130
AlGaAs
undoped
40
Si -doped
-
AlAs
20
G
a
t
e
•
•
Un dispositivo di
potenza deve
avere:
• Potenza d’Uscita
• Guadagno
lineare
• Efficienza
•Affidabilità
Il canale conduttivo
negli HEMT non è
drogato e gli
elettroni possono
perciò acquisire
una grande velocità
Nei PHEMT (la P sta
per pseudomorfico)
il canale conduttivo
è realizzato con un
sottile strato di
InGaAs che
introduce una
(maggiore densità
di carica e
maggiore velocità
di saturazione)
WBG Semiconductors: Material Properties
 The intrinsic properties of wide bandgap semiconductor materials are
almost ideal for high power/high efficiency and/or high dynamic range
robust low noise microwave components
WIDE BANDGAP
4
GaN
SiC
3
2
InN
GaAs
Si
1
3
4H-SiC
2
1
Si
1
GaAs
2
3
BANDGAP ENERGY (eV)
2.5
3.0
3.5
4.0
LATTICE CONSTANT (A°)
High temperature electronics and
Short wavelength optical emission
for light emitting diodes, lasers
and detectors
HIGH THERMAL CONDUCTIVITY
(9 x GaAs)
GaN
High voltage operation
4
THERMAL CONDUCTIVITY (W/cm K)
5
CRITICAL FIELD (MV/cm)
AlN
6
BANDGAP ENERGY (eV)
HIGH CRITICAL ELECTRIC FIELD
(10 x Si AND GaAs)
5
4
3
2
1
0
GaAs
Si
GaN
AlN
SiC
Very good heat dissipation for
high power operation
Wide Bandgap Power Components: Why
• The intrinsic properties of wide bandgap semiconductor materials,
such as for example SiC and GaN, are almost ideal for high power /
high efficiency microwave components
PROPERTY
Si
GaAs
4H-SiC
GaN
ADVANTAGES OF
SiC/GaN DEVICES
BANDGAP (eV)
1.12
1.43
3.25
3.4
HIGH TEMPERATURE
OPERATION
BREAKDOWN
FIELD (MV / cm)
0.25
0.3
3
3
HIGH VOLTAGE OPERATION
1
2.0 (peak)
2.0
2.5 (peak)
HIGH FREQUENCY
OPERATION LIKE GaAs
SATURATED
ELECTRON
VELOCITY
(107cm/s)
THERMAL
CONDUCTIVITY
(W /cm K)
1.2 (sat.)
1.5
0.5
1.5 (sat.)
4.9
1.3
(on sapphire)
RELIABILITY AT HIGH POWER
DENSITY
Induced Charge for AlGaN/GaN
WBG Semiconductors: Power Performance
State-of-the-art power performance for small periphery (W  250m)
transistors. This data validates the potential of large periphery
(W  10mm) transistors with improved material quality.
GaN HEMT X-BAND POWER DENSITY
Power Density (W/mm)
16
14
Projected
12
10
8
6
Goal for large periphery
AlGaN HEMT’s
Best SiC
4
2
1/96
Best GaAs
1/98
1/00
Date
1/02
WBG Semiconductors: Small Signal Performance
State-of-the-art small signal performance of AlGaN HEMT devices are
equivalent to GaAs based transistors..
GaN HEMT SMALL SIGNAL PERFORMANCE
ROBUST LNA FIGURE OF MERIT
200
Frequency (GHz)
fmax (GHz)
METRIC
100
50
Equivalent to
GaAs
20
fT (GHz)
10
1/93
1/95
1/97
GaAs
InP
PHEMT HEMT
GaN
HEMT
Minimum NF @  0.5 dB  0.3 dB 0.6 dB
10 GHz
Associated Gain
14 dB
18 dB
13.5 dB
Breakdown
4V
3V
 50 V
112
180
1125
Voltage
1/99
1/01
FOM = GVbr/NF
Date
Higher frequency operation predicted
WBG Semiconductors: Component Performance
The GaN-HEMT devices on SI –SiC substrates will give performance
advantages for all next generation microwave applications:
 Order of magnitude increase in power density compared to GaAs
(10 W/mm)
 Increase in power amplifier circuit efficiency (circa 10%) resulting from
more efficient power combining of high output impedance devices
 Improved low-noise figure of merit for robust gain amplifiers
 High reliability and/or high temperature operation
 High voltage operation (50 to 60 V versus 8 to 10 V for GaAs)
resulting in increased system power efficiency
 Lower system cost resulting from simplified rf sub-system integration
and thermal management issues
 Lower system weight
MMIC Fabrication Procedure (1)
Active Layer: formed by selective ion-implantation into the semi-insulating
GaAs wafer and subsequent annealing to eliminate implant induced damage.
Said layer is used for FET, diode and ion-implanted resistors.
Alloyed Contact Layer: formed by alloying a Au:Ge/Ni/Au metallization scheme
to GaAs. Said layer functions as an ohmic contact (i.e. source and drain
contacts of FET’s and diodes) when alloyed to an active layer and as an
adhesion barrier to GaAs (i.e. via-holes and bonding-pads ) when alloyed to the
semi-insulating substrate.
29
Key technology: Lithography
 Lithography is the process to transfer a define pattern (mask set) to a photosensitive
material by selective exposure to a radiation source such as light or electron beam.
 A photosensitive material (photoresist ) is a material that changes in its physical
properties when exposed to a radiation source. When we expose the resist to a radiation
source of a specific a wavelength, the chemical resistance of the resist to developer
solution changes
 When resist is placed in a developer solution it will etch away one of the two regions
(exposed or unexposed). If the exposed material is etched away by the developer the
resist is considered to be a positive resist. If the exposed material is resilient and the
unexposed region is etched away, it is considered to be a negative resist
Mask
RESIST
SUBSTRATE
Negative Resist
SUBSTRATE
Positive Resist
SUBSTRATE
30
MMIC Fabrication Procedure (2)
Isolation Layer (IL): formed by selective implantation of the GaAs substrate
or by MESA etch. Said layer is used to increase the resistivity of the undoped
regions, which can degrade after implant annealing or to isolate doped epi
layer
31
Key technology: Ion Implantation
•
Ion implantation is a “material engineering” process by
which specific ions of different materials can be implanted
into another solid, thereby changing the physical
properties of the solid. The ions introduce both a chemical
change in the target, in that they are a different element
than the target, and a structural change, in that the crystal
lattice of the target can be damaged or even destroyed by
the energetic collision ions
Ion implanted Profile
32
MMIC Fabrication Procedure (3)
Thin Film Resistor Layer (RL): formed by the deposition and subsequent
stabilisation of a NiCr metallization. Said layer is used in applications, which
require small resistance
Schottky Barrier Layer (SL): is formed by depositing an appropriate metallization
scheme (i.e. Al, Ti/Al, Ti/Pt/Au) to the active layer after selective wet or dry etching
of active layer. Schottky layer is used in FET's (gate contact) and diodes. Said
contact is subsequently passivated by a PECVD Si3N4 film
33
Key technology: Lift-off technology
The lift-off technique is one of the most common methods
for fabricating microelectrodes on a GaAs wafer. It
represents an alternative for metal etching techniques that
often utilize hazardous chemicals in order to define a
pattern or high energy physical etching
Figure shows a sequence of steps in the lift-off process in
which a negative photoresist is used. Regions which are
exposed to the light are insoluble in the developer solution.
A negative slope of the photoresist profile following the
development is preferred. This negative slope facilitates the
subsequent metal deposition and lift-off since it prevents
metal to deposit on sidewalls of the resist, and allows for
the solvent to reach the sacrificial layer
Vacuum, 1.5E-6 torr
Crystal
Monitor
Evaporator
chamber
E-beam
Metal
source
OR
Current
34
Channel cross sections Optimization
Gate
Source
Drain
Source
n
n+
Drain
n
2. n-n+ boundary in
an ion-implanted
FET
n+
1
Gate
Source
1. Edge of the drain
electrode in a planar
FET
Gate
3. Edge of the gate
electrode in a
2 steeply recessed
FET
4. Substrateepitaxial layer
interface for a
recessed FET
Gate
Drain
Source
n
Drain
n
3
4
Gate breakdown voltage as function of recess
geometry and surface depletion layer
ND=1.5x1017 cm-3
a=0.12 m
d=0.38 m
Lg=0.7 m
Leff=0.5 m
ds=0.085 m
Ea=7x105 V/cm
a)
Planar structure
VdgB = (leffEa2)(1-qNDa/Ea)2/(2qND(a-ds))
b) Recessed structure
VdgB =(leffEa2)(1-qNDa/Ea)2/(2qND(a-ds)+ (1(a-ds)/(a+d-ds))( EalR(1-qNDa/Ea)(qND(a- ds) lR2/(leff)))
Donor charge in surface depletion layer interacts with
electrons. Therefore it is important to apply surface
treatments that reduce surface depletion layer.
Gate breakdown voltage can be controlled adjusting donor
density, layer thickness, recess shape, surface treatment
Gate length
Gate length has the greatest effect on cut-off
frequency and small signal gain by directly
determining the gate source capacitance.
For high power FET reduction of gate length is
limited by epilayer structure
The aspect ratio, ratio of gate length to active
layer thickness (i.e., the distance from deepest
part of the channel to the gate metal), normally
has a value at least 5
Shortening gates may be effective in increasing
the gain and high frequency performance but it is
not an effective means of increasing output
power
In HEMT structure when the effective gate length
becomes less than 0.25 µm, electrons, when
subject to a high field, can attain a high ballistic
overshoot velocity above bulk carrier saturation
velocity
MMIC Fabrication Procedure (4)
Base Metallisation Layer ): is formed by depositing Ti/Pt/Au by electron-beam
evaporation. Said layer is used as over-layer metallization of the contact layers (i.e.
source-drain fingers of FET's and via-hole and bonding pads), as base metallization
for capacitors, interconnect lines, text and lines under the air-bridges when
deposited on the semi-insulating substrate.
Dielectric Layer : is formed by a PECVD film of Si3N4 film. Said layer is used as
the dielectric spacer for metal-insulator-metal (MIM) capacitors
38
Key technology: Plasma Enhanced
Chemical Vapor Deposition (PECVD)
• Represent s an excellent alternative used to deposit inorganic and
organic, doped and undoped films for a wide range of applications in
Photonics, Compound Semiconductors, MEMS and Advanced
Packaging applications at lower temperatures than those utilized in
CVD reactors
• For example, high quality silicon nitride films can be deposited at
250°C to 350°C while CVD requires temperatures in the range of 650°C
to 850 °C. This option is particularly useful in III-V compound
semiconductor device manufacture
• PECVD uses RF energy to generate a glow discharge (plasma) in
which the energy is transferred into a gas mixture. This transforms the
gas mixture into reactive radicals, ions, neutral atoms and molecules.
These atomic and molecular fragments interact with a substrate and,
depending on the nature of these interactions, either etching (Reactive
Ion Etch) or deposition processes occur at the substrate.
• Since the formation of the reactive and energetic species occurs by
collision in the gas phase, the substrate can be maintained at a low
temperature.
• Some of the desirable properties of PECVD films are good adhesion,
low pinhole density, good step coverage, and uniformity. Sequential
deposition of different films and the introduction of various dopants
for oxide layers can be possible
39
MMIC Fabrication Procedure (5)
Etch Layer: is formed by reactive ion etching through the Si3N4 film to open regions
that must be connected by contact metallic layers .
Top Metallization: is formed by depositing a “blanket” Ti/Pt/Au metallization to define
“air bridges”. Air-bridges are used as cross-over structures in FET's, MIM capacitors,
spiral inductors and transmission lines
Thick Metal Layer (ML): is formed by selective electro-deposition of a gold film. Said
layer is used as a low resistance structure for transmission lines, spiral inductors and
interconnections
40
Key technology: ElectroPlating (1)
• Italian chemist, Luigi Brugnatelli invented
electroplating in 1805. Brugnatelli
performed electrodeposition of gold using
the Voltaic Pile, discovered by his
colleague Alessandro Volta in 1800..
• The process is analogous to a galvanic
cell acting in reverse. The part to be plated
is the cathode of the circuit.
• Usually there is an anode (positively
charged electrode), which is the source of
the material to be deposited on the
cathode (the negatively charged electrode.
Both components are immersed in a
solution called an electrolyte containing
metal ions that are transferred to the
substrate as well as other ions that permit
the flow of electricity.
41
Key technology: ElectroPlating (2)
• The anode is connected to the positive terminal of the power
supply
• The cathode is the substrate to be plated. This is connected
to the negative terminal of the power supply.
• The power supply is well regulated to minimize ripples as
well to deliver a steady predictable current, under varying
loads such as those found in plating tanks.
• As the current is applied, positive metal ions from the
solution are attracted to the negatively charged cathode and
deposit on the cathode. As a replenishment for these
deposited ions, the metal from the anode is dissolved and
goes into the solution and balances the ionic potential.
• In the case of materials such as gold, the anode is not
sacrificial (gold does not dissolve easily!), but it is made out
of material that does not dissolve in the electrolyte, such as
titanium. The deposited gold comes out of the solution.
Plating is an oxidation-reduction reaction, where one
material gives up electrons (gets oxidized) and the other
material gains electrons (gets reduced).
• The anode is the electrode at which oxidation occurs, and
the cathode is the electrode at which reduction occurs.
• In these techniques, ions of the metal to be plated must be
periodically replenished in the bath as they are drawn out of
the solution
42
MMIC Fabrication Procedure (6)
Lapping and polishing: After wafer
mounting on a glass support with
front side onto glass, wafer are
thinned to designed thickness by
lapping and polishing process
Via-Holes (VH): are formed by
etching through the GaAs
substrate from the rear to the
front-face. Said vias provide direct
connection between elements on
the front face of the substrate and
the backside
Backside Gold Plating: is formed
by the deposition of a Ti/Pt/Au
adhesion/barrier layer and
subsequent gold plating of the
entire wafer back-side including
via-holes. Said layer is used as a
ground plane in microstrip circuit
design and also as a bonding
interface for component die-attach
43
Key technology: Lapping & Polishing (1)
• Lapping and polishing is a process to produce
sample with a desired thickness and surface finish.
Said techniques could be applied to a wide range of
materials i.e. glasses, optics, semiconductors, and
ceramics.
• There are several techniques for removing material
from a particular sample: Grinding, lapping, polishing,
and CMP (chem.-mechanical polishing)
• Grinding can be defined as the rapid removal of
material from a sample. The grinding wheel or plate
typically rotates at a high speed (around 200-1000rpm)
and a coarse, bonded abrasive (> 40µm) is used.
Grinding is quick and relatively easy process but can
cause deep subsurface damage in delicate materials.
Typically grinding is applied to hard metals such as
high carbon steels where rapid removal is essential
and subsurface damage is not a critical parameter.
44
Key technology: Lapping & Polishing (2)
• Lapping is the removal of material to produce a smooth, flat, unpolished
surface. The lapping plate will rotate at a low speed (<80 rpm) and a mid-range
abrasive particle (5-20µm) is typically used. Lapping removes subsurface
damage caused by sawing or grinding and produces the required thickness
and flatness.
• Polishing is the removal of material to produce a scratch-free, specular
surface using fine (<3µm) abrasive particles. Polishing is typically done at very
low speeds using either polishing cloths, abrasive films, or specially designed
lapping plates.
• Chemical-mechanical polishing (CMP) is a technique that combines both
chemical and mechanical polishing principles to achieve uniform removal rates
of a highly composite specimen (such as integrated circuit device fabrication).
CMP is typically done using a hard polyurethane polishing pad combined with a
slurry of finely dispersed alumina or silica particles in an alkaline solution. CMP
combines the selectivity of chemical polishing with the mechanical removal
properties of standard mechanical polishing techniques. The two combined give
excellent selectivity and planarity and can be tailored to many different materials
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Key technology: Via Holes
• The typical procedure used for forming a via hole in a thinned GaAs substrate involves using
reactive ion etching (RIE) or inductively coupled plasma etching (ICP) to etch holes in a
photoresist windows to a depth of between 100μm-300μm so as to electrically connect the
backside with grounding pads on the front surface. Chlorine based gases such as BCl3/Cl2,
SiCl4/Cl2 and CCl2F2/CCl enable etch rates of 2μm/min
• Etch rates for 4H and 6H SiC substrates in F2- or Cl2-based plasmas range between 0.2
µm/min and 1.3 µm/min, meaning that even for a thinned-down substrate of 50 µm, the etch
time is generally long and as much as 4–5 h under ion energy conditions where mask
erosion is not prohibitive. A significant drawback with dry etching for creating via holes in
SiC is the need for a very robust, typically metal, mask material such as Ni, Al, or Cr. The
deposition, patterning, and subsequent removal of such masks adds considerable
complexity to the via fabrication process
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Foundry Capabilities
Thin-film deposition / etch
400 kV Ion-implanter
DC parametric testing
I-line Stepper lithography
Component design/simulation
and mask lay-out/DRC
Back-end processing
4-inch GaAs & 4- 3-2 inch GaN
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GaAs Foundry: 1975 – “For Ever”
Novembre 1982: Primi risultati con MESFET su GaAs
GaN Technology: Status after KORRIGAN (2009)
Status after KORRIGAN: Demonstrated capability for the
manufacture of GaN MMICs
BAE / SAAB
SELEX-SI
INDRA
SELEX-SI
Material EBL Lithography
QIN, PCG, TRT
CNR-IFN
RF Characterisation & Models
Univ. Roma II
Polit. Torino
Reliability
Univ. Padova
SELEX-SI
ELETTRONICA / SELEX-SAS
“Users/Designers”
© 2010 SELEX Sistemi Integrati. All rights reserved
ELETTRONICA
Co-Planar Waveguide MMICs
GaN FOUNDRY
LNAs
Micro-Strp MMICs
INDRA
SELEX-SAS