Es_4_07 - Docenti.unina

Esercitazione n. 4
Studente:
Analisi degli effetti del drogaggio di emettitore e base sul  di BJT con simulatore PC1D
a) realizzare un BJT con le seguenti caratteristiche (per trascurare gli effetti del collettore sul ):
area 1 mm2 spessore 6 micron
Drogaggio di background ND 5 1015
Regione di emettitore:
profilo ERFC valore max 1019 diffusione ERFC profondita’ di giunzione 1.5 micron
Regione di base:
profilo gaussiano, valore max 2.1017 giunzione 5 micron
Substrato (diffusione rear):
profilo ERFC valore max 1020 diffusione ERFC profondita’ 1 micron
per i valori di ricombinazione: taup = taun =0.5 s; SS (front surface) = 10000 (per simulare il
metallo di contatto) SR (rear surface) = 100 (per la transizione NN+);
Temperatura 25 °C
b) Realizzare il circuito di eccitazione nel modo seguente:
transitorio: 100 punti, 1 s/punto
circuito di base: resistenza 100 tensione di collettore 11V (per forzare una corrente di base
praticamente costante, pari a 0.1 A)
circuito di collettore: resistenza 0 tensione di collettore da 0.2 a 10 V
Dipendenza dalla temperatura
Ricavare la curva Ic - Vce e determinare i valori di C/IB (a VCE = 5V), per i seguenti valori di
T: 25, 50, 75, 100, 125 °C, riportando in un diagramma la curva di  = f(T)
Effetti del drogaggio di emettitore:
Ricavare la curva Ic - Vce modificando i valori max del drogaggio di emettitore come segue:
1019, 2 1019 , 5 1019 , 1020, mantenendo sempre una profondità di giunzione di emettitore di 1.5
micron, e determinare, per ognuno di questi valori di drogaggio, i valori di (per VCE = 5V),
riportando in un diagramma le curve di  = f(NEMAX) per ognuno dei valori di drogaggio di
collettore
Effetti del drogaggio di base:
e) ricavare le curve Ic - Vce modificando i valori max del drogaggio di base come segue:
1017, 5 1016, 1016 , e mantenendo sempre le stesse profondità delle giunzioni di emettitore e di base.
Per ogni valore di NB determinare i valori di  (per VCE = 5V) per correnti di base variabili da 1mA
a 10A (1 mA, 10mA, 0.1A, 0.2A -0.5A -1A- 2A- 5A- 10A ) e riportare le curve di  = f(IC)
corrispondenti ai diversi valori max di drogaggio di base, in un unico grafico.