1 - Cattaneo

1. Progettare la rete di polarizzazione di un amplificatore a BJT npn al silicio nello schema a
partitore di base. Il BJT, caratterizzato da un valore tipico di hFE = 150, deve funzionare a
regime nel punto Q (IC = 3 mA, VCE = 5 V). Determinare anche tutte le altre tensioni e
correnti del circuito.
[Punti 10]
a. Si determinino tutti i parametri dinamici del circuito collegandolo in emettitore
comune supponendo che le reattanze dei condensatori siano trascurabili e tenendo
presente la resistenza in serie all’emettitore. Il generatore di segnale all’ingresso ha
rs = 70 Ω mentre i parametri hre ed hoe del transistor sono trascurabili.
[Punti 7]
b. Determinare la tensione vi di ingresso e la tensione vu di uscita se vs = 2 mV.
[Punti 3]
2. Cos’è il modello a parametri ibridi di un transistor BJT? Si risponda andando nel maggior
dettaglio possibile.
[Punti 10]
3. Si illustri nel dettaglio il concetto di amplificazione riportando esempi opportuni.
[Punti 10]