Il transistor come quadripolo

Il transistor come quadripolo
i1
+
+
V1
V2
Ingresso
I2
I1
i2
Struttura dei transistor bipolari NPN ; PNP
Transistor
V1
Ingresso
P
V2
Guadagno di corrente A I =
Resistenza di ingresso Ri =
i2
i1
P
N
Al di sotto di una data corrente minima di base, il dispositivo non conduce e
la corrente di collettore si annulla (zona di interdizione). Una tale situazione
si realizza, generalmente, annullando la tensione applicata in base.
Abbiamo invece la saturazione quando la corrente di collettore non aumenta
più anche se la IB aumenta.
La zona attiva è quella in cui le caratteristiche sono all'incirca rettilinee e
parallele all'asse orizzontale. Le caratteristiche sarebbero davvero orizzontali
in un dispositivo ideale.
v1
i1
v2
Resistenza di uscita R0=
i2
P2
Guadagno di potenza A P =
P1
N
P
Uscita
Uscita
v1
Guadagno di tensione Av =
v2
N
IC
Il guadagno statico viene definito nel modo seguente: h FE =
IB
ZONE DI FUNZIONAMENTO DEL BJT
I C (mc)
Vcc
I B2
I B0
interdizione
I C (mc)
Vcc
Rc
IC
=
IE
Vce
Ib
Vbe
Ie
I B4
I B3
I B2
I B1
I B0
V CEQ
V CC
V CC =RC⋅I C V CE
IC
h FE =
IB
h FE = 
1−
V CE =V CC
V CC
I C=
RC
V CC −V CEsat 
I Csat =
RC
I B5
I CQ
V BB=R B⋅I BV BE
 A
V CE (V)
V BB ≤V CC
Rb
Vbb
I B4
I B3
⋅I C  I C3−I C2 
=
=
⋲costante
⋅I B   I B3−I B2 
I B1
Ic
Rc
I B5
Saturaz
ione
Circuito di polarizzazione di un NPN.
I C =h FE⋅I B  I CE0
 A
V CE (v)
Esperimento di laboratorio: rilievo caratteristiche di uscita transistor BC 107
Ic
Rb
BC 107
Ib
V
CARATTERISTICA DI USCITA
Ib= 20,3
Ic1
Vce
0,89
2,01
4,04
6,04
8,79
11,18
13,88
17,59
19,46
22,2
25,2
29
Ib=60,1
Ic2
3,9
3,9
4
4
4,1
4,1
4,2
4,2
4,3
4,3
4,4
4,4
Ib=80,0
Ic3
3,8
3,8
3,8
3,8
3,8
3,8
3,9
3,9
3,9
3,9
3,9
4
3,6
3,6
3,7
3,7
3,7
3,7
3,7
3,7
3,7
3,8
3,8
3,8
Caratteristiche di uscita
4,5
Ib=20,3 A
Ib=60,1 A
Ib=80,0 A
4
3,5
Ic(mA)
3
2,5
2
1,5
1
0,5
0
0,89
2,01
4,04
6,04
8,79
11,18
13,88 17,59 19,46
22,2
25,2
29
Vce(V)
Istituto Professionale Industria Artigianato – BOCCHIGLIERO (Cs) - Classe II a.s. 2005-2006