nMOS: caratteristiche statiche - Corsi a Distanza
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Dispositivi e Circuiti Elettronici nMOS: caratteristiche statiche Il transistore MOSFET Il transistore MOSFET Il sistema MOS Il sistema MOS in inversione Il transistore nMOS nMOS: caratteristiche statiche I quattro transistori MOS Modelli circuitali del MOS 2 © 2005 Politecnico di Torino 1 Dispositivi e Circuiti Elettronici nMOS: caratteristiche statiche Obiettivi della lezione Studio della corrente del transistore nMOS calcolo delle caratteristiche statiche 3 Obiettivi della lezione Studio della corrente del transistore nMOS calcolo delle caratteristiche statiche Effetti di non idealità modulazione del canale, effetto di substrato, breakdown 4 © 2005 Politecnico di Torino 2 Dispositivi e Circuiti Elettronici nMOS: caratteristiche statiche nMOS: caratteristiche statiche nMOS: caratteristiche statiche La corrente di canale Caratteristiche statiche Effetti di non idealità riferimenti bibliografici: “Dispositivi per la microelettronica” di Giovanni Ghione McGraw-Hill, 1998 capitolo 11 6 © 2005 Politecnico di Torino 3 Dispositivi e Circuiti Elettronici nMOS: caratteristiche statiche La corrente di canale 7 La corrente di canale 8 © 2005 Politecnico di Torino 4 Dispositivi e Circuiti Elettronici nMOS: caratteristiche statiche La corrente di canale 9 La corrente di canale 10 © 2005 Politecnico di Torino 5 Dispositivi e Circuiti Elettronici nMOS: caratteristiche statiche La corrente di canale 11 Regione lineare 12 © 2005 Politecnico di Torino 6 Dispositivi e Circuiti Elettronici nMOS: caratteristiche statiche Regione lineare 13 Regione lineare 14 © 2005 Politecnico di Torino 7 Dispositivi e Circuiti Elettronici nMOS: caratteristiche statiche Regione lineare 15 Regione lineare 16 © 2005 Politecnico di Torino 8 Dispositivi e Circuiti Elettronici nMOS: caratteristiche statiche Conduttanza di canale 17 Conduttanza di canale 18 © 2005 Politecnico di Torino 9 Dispositivi e Circuiti Elettronici nMOS: caratteristiche statiche Conduttanza di canale 19 Conduttanza di canale 20 © 2005 Politecnico di Torino 10 Dispositivi e Circuiti Elettronici nMOS: caratteristiche statiche Calcolo di Gch 21 Calcolo di Gch 22 © 2005 Politecnico di Torino 11 Dispositivi e Circuiti Elettronici nMOS: caratteristiche statiche Calcolo di Gch 23 Regione di ginocchio 24 © 2005 Politecnico di Torino 12 Dispositivi e Circuiti Elettronici nMOS: caratteristiche statiche Regione di ginocchio 25 Regione di ginocchio 26 © 2005 Politecnico di Torino 13 Dispositivi e Circuiti Elettronici nMOS: caratteristiche statiche Regione di ginocchio 27 Strozzamento del canale 28 © 2005 Politecnico di Torino 14 Dispositivi e Circuiti Elettronici nMOS: caratteristiche statiche Strozzamento del canale 29 Strozzamento del canale 30 © 2005 Politecnico di Torino 15 Dispositivi e Circuiti Elettronici nMOS: caratteristiche statiche Strozzamento del canale 31 Tensione di saturazione 32 © 2005 Politecnico di Torino 16 Dispositivi e Circuiti Elettronici nMOS: caratteristiche statiche Tensione di saturazione 33 Tensione di saturazione 34 © 2005 Politecnico di Torino 17 Dispositivi e Circuiti Elettronici nMOS: caratteristiche statiche Tensione di saturazione 35 Saturazione 36 © 2005 Politecnico di Torino 18 Dispositivi e Circuiti Elettronici nMOS: caratteristiche statiche Saturazione 37 Saturazione 38 © 2005 Politecnico di Torino 19 Dispositivi e Circuiti Elettronici nMOS: caratteristiche statiche Saturazione 39 Corrente di saturazione 40 © 2005 Politecnico di Torino 20 Dispositivi e Circuiti Elettronici nMOS: caratteristiche statiche Corrente di saturazione 41 Corrente di saturazione 42 © 2005 Politecnico di Torino 21 Dispositivi e Circuiti Elettronici nMOS: caratteristiche statiche nMOS: caratteristiche statiche nMOS: caratteristiche statiche La corrente di canale Caratteristiche statiche Effetti di non idealità riferimenti bibliografici: “Dispositivi per la microelettronica” di Giovanni Ghione McGraw-Hill, 1998 capitolo 11 44 © 2005 Politecnico di Torino 22 Dispositivi e Circuiti Elettronici nMOS: caratteristiche statiche La corrente I DS 45 La corrente I DS 46 © 2005 Politecnico di Torino 23 Dispositivi e Circuiti Elettronici nMOS: caratteristiche statiche La corrente I DS 47 La corrente I DS 48 © 2005 Politecnico di Torino 24 Dispositivi e Circuiti Elettronici nMOS: caratteristiche statiche Calcolo di I DS 49 Calcolo di I DS 50 © 2005 Politecnico di Torino 25 Dispositivi e Circuiti Elettronici nMOS: caratteristiche statiche Calcolo di I DS 51 Caratteristica di uscita 52 © 2005 Politecnico di Torino 26 Dispositivi e Circuiti Elettronici nMOS: caratteristiche statiche Caratteristica di uscita 53 Caratteristica di uscita 54 © 2005 Politecnico di Torino 27 Dispositivi e Circuiti Elettronici nMOS: caratteristiche statiche Caratteristica quadratica 55 Caratteristica quadratica 56 © 2005 Politecnico di Torino 28 Dispositivi e Circuiti Elettronici nMOS: caratteristiche statiche Caratteristica quadratica 57 Caratteristiche nMOS 58 © 2005 Politecnico di Torino 29 Dispositivi e Circuiti Elettronici nMOS: caratteristiche statiche Caratteristiche nMOS 59 Caratteristiche nMOS 60 © 2005 Politecnico di Torino 30 Dispositivi e Circuiti Elettronici nMOS: caratteristiche statiche Regioni di funzionamento 61 Regioni di funzionamento 62 © 2005 Politecnico di Torino 31 Dispositivi e Circuiti Elettronici nMOS: caratteristiche statiche Regioni di funzionamento 63 Regioni di funzionamento 64 © 2005 Politecnico di Torino 32 Dispositivi e Circuiti Elettronici nMOS: caratteristiche statiche Regioni di funzionamento 65 Fattori di merito 66 © 2005 Politecnico di Torino 33 Dispositivi e Circuiti Elettronici nMOS: caratteristiche statiche Fattori di merito 67 Fattori di merito 68 © 2005 Politecnico di Torino 34 Dispositivi e Circuiti Elettronici nMOS: caratteristiche statiche Fattori di merito 69 Fattori di merito 70 © 2005 Politecnico di Torino 35 Dispositivi e Circuiti Elettronici nMOS: caratteristiche statiche nMOS: caratteristiche statiche nMOS: caratteristiche statiche La corrente di canale Caratteristiche statiche Effetti di non idealità riferimenti bibliografici: “Dispositivi per la microelettronica” di Giovanni Ghione McGraw-Hill, 1998 capitolo 11 72 © 2005 Politecnico di Torino 36 Dispositivi e Circuiti Elettronici nMOS: caratteristiche statiche Effetti di non idealità 73 Effetti di non idealità 74 © 2005 Politecnico di Torino 37 Dispositivi e Circuiti Elettronici nMOS: caratteristiche statiche Effetti di non idealità 75 Caratteristiche nMOS reale 76 © 2005 Politecnico di Torino 38 Dispositivi e Circuiti Elettronici nMOS: caratteristiche statiche Caratteristiche nMOS reale 77 Caratteristiche nMOS reale 78 © 2005 Politecnico di Torino 39 Dispositivi e Circuiti Elettronici nMOS: caratteristiche statiche Breakdown 79 Breakdown 80 © 2005 Politecnico di Torino 40 Dispositivi e Circuiti Elettronici nMOS: caratteristiche statiche Breakdown 81 Breakdown 82 © 2005 Politecnico di Torino 41 Dispositivi e Circuiti Elettronici nMOS: caratteristiche statiche Breakdown 83 IDS con breakdown 84 © 2005 Politecnico di Torino 42 Dispositivi e Circuiti Elettronici nMOS: caratteristiche statiche IDS con breakdown 85 IDS con breakdown 86 © 2005 Politecnico di Torino 43 Dispositivi e Circuiti Elettronici nMOS: caratteristiche statiche Terminale di substrato 87 Terminale di substrato 88 © 2005 Politecnico di Torino 44 Dispositivi e Circuiti Elettronici nMOS: caratteristiche statiche Terminale di substrato 89 Misura di Vth 90 © 2005 Politecnico di Torino 45 Dispositivi e Circuiti Elettronici nMOS: caratteristiche statiche Misura di Vth 91 Misura di Vth 92 © 2005 Politecnico di Torino 46 Dispositivi e Circuiti Elettronici nMOS: caratteristiche statiche Misura di Vth 93 Sommario della lezione La corrente di canale Caratteristiche statiche Effetti di non idealità riferimenti bibliografici: “Dispositivi per la microelettronica” di Giovanni Ghione McGraw-Hill, 1998 capitolo 11 94 © 2005 Politecnico di Torino 47
