Università degli Studi di Roma “Tor Vergata”
CORSO DI LAUREA IN FISICA E SCIENZE DEI MATERIALI
ESPERIENZE DIDATTICHE LABORATORIO 3
Esperienza IVa – Il Transistor Bipolare a Giunzione
1. Caratteristiche di ingresso ad emettitore comune
Dato un transistor BJT npn 2N3904 si realizzi il circuito nella configurazione ad
emettitore comune come rappresentato in Fig.1.
RB
VCE
IB
VBB
..
VBE
..
VCC
..
Fig.1 BJT in configurazione a emettitore comune (CE) per la misura delle caratteristiche di ingresso
Fissato il valore di RB=10k si studi la caratteristica di ingresso graficando la corrente di
base IB in funzione della tensione tra base e emettitore VBE con VCC scollegata. A tale
scopo si faccia variare la tensione di alimentazione VBB da 0 a 6V. Si colleghi una
tensione di alimentazione VCC alla maglia di uscita e si ripetano le misure per VCE=5V. Si
riportino tutte le misure sullo stesso grafico e si confrontino le curve ottenute dando una
interpretazione delle eventuali differenze osservate.
2. Caratteristiche di uscita ad emettitore comune
Si realizzi il circuito di Fig.2 con RC=1k per la misura delle caratteristiche di uscita. A
questo scopo si misuri la corrente di collettore IC in funzione della tensione tra collettore
ed emettitore (VCE) variando la tensione di alimentazione VCC e tenendo fissa la corrente
di base IB.
Cambiando la resistenza RB nella maglia di ingresso e tenendo fisso il valore di VBB=6V,
realizzare il grafico di IC in funzione di VCE per diversi valori di IB (≈25μA, 50μA, 75μA,
100μA, 150 μA).
Fig.2 BJT in configurazione a emettitore comune (CE) per la misura delle caratteristiche di uscita
Note: Fare attenzione a non superare i valori massimi tollerati di VCE e IC riportati sul
datasheet
Controllare che la corrente di base non cambi al variare di VCE. Nel caso ciò accada,
regolare VBB.
3. Misura del parametro hFE
Nella regione attiva delle caratteristiche di uscita del transistor misurate nel punto 2 si
scelga un punto di coordinate (VCEQ,ICQ) giacente su una delle curve ottenute a IB=cost. e
si determini il valore del parametro hFE=ICQ/IB. Ripetere l’operazione per altri punti della
regione attiva e determinare la variazione di hFE nell’intervallo dei valori ICQ considerato.
1. Misura del parametro hfe
Nella regione attiva delle caratteristiche di uscita del transistor misurate nel punto 2 si
scelga un punto di coordinate (VCEQ,ICQ) giacente su una delle curve ottenute a IB=cost.
Variando di IB<<IB la corrente di base, si misuri il corrispondente valore di IC e si
calcoli il valore del parametro hfe=IC/IB
