v 1
annuncio pubblicitario
Dispositivi unipolari – Il contatto metallo-semiconduttore – Il transistor JFET – Il transistor MESFET – Il diodo MOS – Il transistor MOSFET Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello 1 Generatore ideale controllato in Tensione (1) È un dispositivo con tre terminali (1,2,3) che genera una corrente i2 controllata da una tensione v1, isolando la parte in uscita da quella in ingresso. La corrente gmv1 che si ottiene dipende dal parametro gm = transconduttanza + gmv1 v2 v1 - Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello 2 Generatore ideale controllato in Tensione (2) Segnale di controllo Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello Circuito di output 3 JFET = Junction Field Effect Transistor JFET (1) Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello 4 JFET (2) Il principio di funzionamento è paragonabile al caso di un tubo per l'acqua dove fluisce una corrente che possa venire “strozzato” in un punto da un controllo esterno. Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello 5 JFET (3) •Un canale conduttore tra sorgente (source) e collettore (drain). •Un elettrodo di controllo (porta o gate) •In funzionamento normale VD > 0 e VG = 0 o negativa la giunzione gate-canale conduttore è polarizzata inversa. fluiscono cariche attraverso il canale, e sono elettroni (semiconduttore di tipo n) Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello 6 Esempio di cella di memoria EPROM (1) Applicando una tensione elevata tra G e D (~25 V), si ha un elevato campo elettrico nella regione di svuotamento pn Elettroni veloci penetrano e giungono al gate fluttuante. Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello 7 Esempio di cella di memoria EPROM (2) Allora il gate fluttuante si carica negativamente. Quando si rimuove la polarizzazione le cariche rimangono intrappolate perché l’ossido è un isolante Se si applica a G una tensione di 5 V, la carica presente sul gate fluttuante controbilancia il campo, che il canale tra source e drain rimane chiuso ho sempre lo stesso stato Cioè ho memorizzato un bit di informazione. Il 70% della carica si mantiene anche per 10 anni. Può essere cancellata se esposta per breve periodo a luce UV. Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello 8 Componenti integrati (1) Schema di resistenza integrata Si usa la resistenza di volume del silicio drogato R = 20 – 30 k Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello 9 Componenti integrati (2) Cmax = 4x10-4pF/m2 J2 = giunzione polarizzata inversa da cui si ricava la capacità C2 (a) Modello di Capacità integrata (b)Circuito equivalente Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello 10 Diodo MOS Il diodo MOS (Metal-OxideSemiconductor) è un dispositivo fondamentale per la maggior parte delle applicazioni VLSI. p+ Si ottiene interponendo uno strato di ossido isolante (Si02) tra il semiconduttore ed il metallo Il semiconduttore può essere drogato tipo p (a) o n (b). Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello n- 11 Transistor MOSFET (1) Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello 12 Transistor MOSFET (2) 1) Se si applica un differenza di potenziale tra Source e Drain non scorre corrente tra le regioni di tipo n perché il potenziale del substrato p viene reso negativo due giunzioni n-p polarizzate inversamente. 2) Se si applica una tensione positiva al gate metallico gli elettroni delle regioni n saranno attirati nella regione sottostante che diventerà anche essa di tipo n si crea un canale di tipo n tra Source e Drain passa una corrente. Questa tecnica si chiama FET ad arricchimento Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello 13 Tipi di MOSFET NMOS NMOS PMOS PMOS Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello 14 A che serve un MOSFET? • • • • Amplificatore; Condensatore; Resistenza; Interruttore un circuito integrato complesso può essere realizzato quasi soltanto con MOSFET! Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello 15 IL MOSFET come resistenza VGS = VDS Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello 16
