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DISPOSITIVI A SEMICONDUTTORE
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Dispositivi a semiconduttore
(ultimo aggiornamento: 23 Marzo 2001)
In questo capitolo vengono descritti i piu comuni dispositivi a semiconduttore: diodo a giunzione, transistore bipolare a giunzione, transistore ad eetto di campo a giunzione, transistore MOS.
7.1 La giunzione pn
Vedere [1, pagine 359{360].
7.2 Il diodo a giunzione
Vedere [1, pagine 360{368].
7.3 Circuiti con diodi
Vedere [1, pagine 368{371].
7.4 Il diodo ideale
Vedere [1, pagine 371{376].
Molto spesso, nella soluzione dei circuiti con diodi, si tiene conto della caduta di tensione ai capi della
giunzione polarizzata direttamente. Tale caduta di tensione, di solito indicata con V , vale circa 0.7 V
per i diodi al silicio e 1.3 V per i diodi all'arseniuro di gallio.
7.5 Porte logiche con diodi
Utilizzando diodi a giunzione e resistenze si possono realizzare porte logiche AND e OR, mentre non
e posibile realizzare un inverter. Come si vedra nel seguito, la realizzazione di un circuito invertente
richiede l'utilizzo di almeno un transistore.
Per la realizzazione delle porte AND e OR, si veda [1, pagine 377{381].
7.6 Il diodo Zener
Vedere [1, pagine 393{397].
7.7 Capacita e tempo di recupero di un diodo
Vedere [1, pagine 403{407].
7.8 Il transistore bipolare a giunzione
Vedere [1, pagine 417{430].
7.9 Interdizione e saturazione
Vedere [1, pagine 434{435].
7.10 L'inverter realizzato con un transistore bipolare
Vedere [1, pagine 443{445].
7.11 La porta NAND in logica TTL
Vedere [1, pagine 459{463].
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DISPOSITIVI A SEMICONDUTTORE
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7.12 Il transistore ad eetto di campo a giunzione
Vedere [1, pagine 503{511].
7.13 Il transistore MOS a svuotamento
Vedere [1, pagine 516{519].
7.14 Il transistore MOS ad arricchimento
Vedere [1, pagine 522{529].
7.15 Il transistore MOS come interruttore
Vedere [1, pagine 544{545].
7.16 La tecnologia CMOS
Vedere [1, pagine 546{548].
7.17 L'inverter CMOS
Vedere [1, pagine 548{550].
Ossevazione importante: nella caratteristica ingresso uscita dell'inverter CMOS (gura 8.39 in [1,
pagina 549]), in pratica non si osserva mai il tratto con pendenza verticale, in cui l'inverter avrebbe un
guadagno per piccoli segnali tendente ad innito. Il tratto verticale nella caratteristica si avrebbe soltanto
nel caso in cui le caratteristiche di uscita dei transistori M1 e M2 (gura 8.38 in [1, pagina 549]) fossero
perfettamente orizzontali.
