Non smontare il circuito e procedere alla realizzazione del secondo

Phase Splitter
Obiettivi:
Sintesi e studio di un phase splitter (amplificatore parafase).
Componenti da utilizzare:
BJT BC107, Resistenze R1, R2, RC, RE con valori da determinare C1> 100nF.
Setup:
Il phase splitter può essere realizzato con il
circuito mostrato in figura.
Per massimizzare la dinamica dei segnali sul
collettore e sull’emettitore si sceglie VC = VCC*3/4
e VE = VCC/4,e VCEQ=VCC/2 (VC tensione sul
collettore, VE tensione sull’emettitore, VB tensione
sulla base ).
Per utilizzare le informazioni contenute nel data
sheet si scelgono le seguenti condizioni di lavoro:
VCEQ=5V, ICQ=2mA, VBEQ=0.65V. Pertanto
VCC=10V, VE =2.5V e VC =7.5V.
VCC
R1
RC
VO1
C1
BJT
Rs
+
VO2
Vin
Vs
RE
-
R2
Misure da effettuare:
1) Mediante l’oscilloscopio visualizzare le forme d’onda sulle uscite e nel caso in cui non siano
identiche introdurre un trimmer da due 200Ω dove si ritiene più opportuno.
2) Ottenute sulle uscite due forme d’onda identiche osservare cosa succede variando
l’ampiezza del segnale in ingresso.
Non smontare il circuito e procedere alla realizzazione del secondo.
Tale circuito ha due ingressi che potranno essere connessi alle uscite
del phase splitter.
Amplificatore differenziale realizzato mediante 2 BJT accoppiati sull’emettitore
Obiettivi:
Sintesi dell’amplificatore differenziale e misura
del suo CMRR.
VCC
Componenti da utilizzare:
2 BJT BC107, Resistenze 2 RC, 2 RB, 2 RE, REE
e C1= C2=C3= 680nF ( C1 e C2).
RC
RC
C3
C1
Setup:
Questo stadio idealmente fornisce in uscita un Vin1
segnale (Vout) dipendente solo dalla differenza
dei due segnali in ingresso (Vin1, Vin2). D’altra
parte, per un amplificatore differenziale reale, in
generale, si può scrivere:
C2
BJT1
Vout
BJT2
E
RE
Vin2
A
RE
RB
RB
REE
-VEE
Vout= Ad(Vin1-Vin2) + As(Vin1+Vin2)/2.
Si proceda alla sintesi della rete considerando:
VCC= VEE =10V, ICQ=1mA, VCEQ=5V e VBEQ=0.65V e RB=10 KΩ .
Misure da effettuare:
Per verificare la corretta polarizzazione dei due transistori rilevare le tensioni in continua nel punto
A, sui collettori, emettitori e basi dei BJT.
Effettuare la misura di As, Ad e valutare il CMRR corrispondente.
In particolare si faccia uso di segnali di test sinusoidali con frequenza intorno a 10kHz ed ampiezza
Vtest opportuna (in uscita il segnale non deve essere distorto).
Confrontare i valori ottenuti con quelli stimati (calcolo teorico di As e Ad) considerando per hfe e hie
i valori riportati nel data sheet .
Valori misurati:
Valori stimati:
VA=
VE1 =
VB1 =
VE2=
VB2=
VC1=
VC2=
As=
As =
Ad=
Ad=
CMRR=
CMRR=
Sorgente di corrente
Obiettivi:
Sintesi e studio di una sorgente di corrente
Componenti da utilizzare:
2 BJT BC107, Resistenza RRef da definire.
Setup:
Questo stadio realizza una sorgente di corrente caratterizzata da:
Corrente Æ IC2
Resistenza dinamica Æ Inverso della pendenza della caratteristica IC2(IB2,VCE2 )
Si calcoli RRef considerando la giunzione base emettitore del BJT1 polarizzata direttamente (VBEQ = 0.65V) e
scegliendo IRef=2mA, VCC=0 e VEE=-10V.
VCC=0V
RRef
IC1
IC2
IRef
IC2
Rt
BJT1
BJT2
IB1
IB2
+
VCE2
-
ΔIC2
IB2
IC2
-5V
VEE=-10V
VCE2
ΔVCE
Misure da effettuare:
1) Montare sulla breadboard il circuito mostrato in figura utilizzando per Rt i valori 4 KΩ, 2
KΩ, 1 KΩ e 500 Ω, misurare la tensione ai capi di Rt e dedurre la corrente IC2.
2) Utilizzando Rt =2 KΩ, inserire un trimmer con resistenza massima pari a 2kΩ tra
l’emettitore del BJT2 e la batteria VEE. Aggiustare il trimmer in modo tale che la corrente
IC2 sia 1/10 della IRef. ( VBE1 = VBE 2 + R2 I C ⇒ VT ln
I C1
= R2 I C 2
IC 2
ottenuta dalla I C = I S eV
BE
/ VT
)
3) Connettere il generatore di segnale e tramite oscilloscopio si rilevino le tensioni picco picco VA e VB,
da cui, si calcoli la resistenza dinamica della sorgente di corrente.
VA
Rs
Vs
Generatore di segnale
Rt
VB
ΔIC2