Esercizio 1

Facoltà di Ingegneria
Corso di Laurea in Ingegneria Aerospaziale
Compito Scritto di Elettronica
17 Luglio 2009
Esercizio 1
Nel circuito in figura, si considerino i diodi D1 e D2 descritti dal modello a soglia V=0,6V. I valori
numerici dei parametri sono: R2=1k, Vcc=VEE=5V. Si chiede di:
1. Determinare il valore delle correnti che scorrono lungo D1 e D2 se R1=2 k
2. Determinare il valore delle correnti che scorrono lungo D1 e D2 se R1=1 k
Esercizio 2
Nel circuito in figura i BJT sono descritti da un modello a soglia V=0.7V, con F=100, VT=25mV e
IS=1fA. La tensione collettore-emettitore all’ingresso della saturazione vale VCESATn= VECSATp =0.2V. I
valori numerici delle resistenze sono: R1=1k, R2=1k e R3=1k, mentre l’alimentazione Vcc=5V.
Si chiede di:
1. Determinare la caratteristica statica Vout=Vout(Vin) per 0V< Vin<2V, evidenziando i punti dove i
BJT cambiano regione di funzionamento.
2. Determinare Vout, le regioni operative di tutti i BJT e le relative polarizzazioni nel punto di
riposo Vin=1.45V. SOLO per questo quesito, per tutti i BJT si usi il modello esponenziale.
3. Disegnare il circuito equivalente ai piccoli segnali, evidenziando i versi delle correnti.
4. Calcolare il guadagno di tensione Av=vout/vin
5. Scrivere la netlist PSpice del circuito, evidenziando le label dei nodi e mantenendo gli stessi
nomi dei componenti dello schematico in figura.