anno scolastico 2009/2010 indirizzo: iti elettr. e telecom. classe
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ANNO SCOLASTICO 2009/2010 INDIRIZZO: ITI ELETTR. E TELECOM. MATERIA: ELETTRONICA CLASSE: QUARTA DOCENTE: A. BARONI PROGRAMMA SVOLTO Trattazione Quadrimestrale dei contenuti didattici Primo Quadrimestre: Dispositivi a semiconduttore Diodi: principio di funzionamento e caratteristica. Diodo ideale e diodo reale. Applicazioni: circuiti raddrizzatori a semionda e ad onda intera con trasfornmatore a presa centrale e a ponte di Graetz. Diodo Zener, Circuiti limitatori, circuiti clamper, diodi Led, Fotodiodi, Varicap e Schottky e loro applicazioni principali. Principio di funzionamento e caratteristica del transistor bipolare. Funzionamento ON OFF del transistor bipolare. La polarizzazione del transistor bipolare BJT: configurazione ad emettitore comune, a collettore comune ed autopolarizzante. L’amplificatore a BJT ad emettitore comune. Secondo Quadrimestre: L’Amplificazione Quadripoli e amplificatori: generatori dipendenti, gli amplificatori in tensione e corrente e i decibel, schemi a blocchi ad anello aperto e retroazionati. Vantaggi e svantaggi dei sistemi ad anello chiuso. L’Amplificatore operazionale ideale: configurazione invertente, non invertente, sommatore e differenziale. Il rapporto di reiezione comue e l’amplificatore operazionale reale. Analisi dei segnali nel dominio della frequenza Dominio del tempo e della frequenza; risposta al gradino di un circuito, la funzione di trasferimento. Poli e zeri di un circuiti diagrammi di Bode e risposta in frequenza. Filtri passivi del primo ordine: filtri RC passa alto e passa basso. ANNO SCOLASTICO 2009/2010 INDICAZIONI E COMPITI PER GLI STUDENTI CON DEBITO FORMATIVO L’esame scritto di recupero a settembre farà riferimento al fac-simile allegato, è possibile portare i datasheet e gli appunti. L’esame orale di recupero vertirà in particolarmdo su di un argomento a scelta da cui poi si svilupperanno altri argomenti. L’esame pratico consisterà nel disegno e nell’assemblaggio di uno schema circuitale ORALE argomenti (confronta il programma e il testo): diodi: struttura, proprietà e applicazioni (raddrizzatori, limitatori, led…) Tipi e applicazioni dei diodi studiati. Transistor bipolare Bjt: struttura, proprità e applicazioni. Polarizzazioni studiate: collettore comune, emettitore comune e automatica La retroazione negativa e i relativi vantaggi Definizione di AO e proprietà dell’AO ideale, configurazioni di base, invertente, non invertente, sommatore e differenziale. AO reale: il segnale comune, le correnti di bios e il CMMR Risposta nel tempo e in frequenza di un circuito RC, RL SCRITTO E LABORATORIO Capacità richieste Saper risolvere circuiti con diodi Saper risovere circuiti con Bjt nelle configurazioni studiate Saper risolvere e progettare semplici circuiti con l’A.O. ideale Saper tracciare i diagramma di Bode in Ampiezza per semplici filtri passivi COMPITI VACANZE PROPOSTI Esercizi al termine del Modulo A2 del modulo B2 del modulo C1,C3 e D2. Molti degli esercizi sono svolti e tutti hanno le soluzione alla fine del libro ANNO SCOLASTICO 2009/2010 ESEMPIO DI ESAME DI RECUPERO CLASSE E INDIRIZZO: IV° ANNO ITI ELETTRONICA E TELECOMUNICAZIONI MATERIA: ELETTRONICA DOCENTE: proff. BARONI Esercizio 1 Vacpicco 12 Volts 3.3 Volts Dati i circuiti a lato alimentati con un onda VZener R 220 Ω triangolare : a) Disegnare le tensioni di uscita Vout1 e Vout2 b) Calcolare la corrente che fluisce nella R e la potenza max dissipata dagli Zener Esercizio 2 Determinare se il transistor BJT è in zona attiva lineare o in saturazione (supporre Ic=Ie e Vbe=0.7 Volts) Vcc hfe Rb Rc 12 Volts 100 113 KΩ 1.2 KΩ Esercizio 3 Calcolare Ra e Rb da inserire per fare in modo che la V out dell’invertente sia pari a -10 V se Vin è un onda sinusoidale con 2 mV di picco. Disegnarne l’uscita nel caso di un onda sinusoidale di 1 Khz di frequenza: quotare sia l’asse delle X e delle Y Esercizio 4 Data la catena di Operazionali in figura:: • calcolare il guadagno di ogni singolo stadio • disegnare lo schema a blocchi che lo rappresenta • Calcolare l’uscita se all’ingresso mettiamo una tensione di 10uVolts di picco R1 R2 R3 R4 1KΩ 1KΩ 1KΩ 12KΩ R5 R6 R7 R8 1KΩ 18KΩ 1KΩ 180KΩ Esercizio 5 a) Calcolare le R da inserire per limitare la corrente nei diodi a 20mA posto Vcc e Vz come in tabella b) Calcolare, viceversa, le correnti che fluiscono nei diodi supposti i valori delle R e dell’alimentazione a lato Vcc VZener Ra Rb Rc Rd 12V. 4V. 2KΩ 3KΩ 4KΩ 5KΩ
