Abstract completo

Corso di Dispositivi Elettronici allo Stato Solido
Prof. Arnaldo D’Amico
Questo corso viene impartito al primo anno della Laurea Magistralis e riguarda lo studio
approfondito dei dispositivi microelettronici più utilizzati nel campo della microelettronica:
diodi Schottky, diodi tunnel e avalanche, etc, transistori bipolari, ed in particolare la
famiglia dei dispositivi ad effetto di campo detti MISFET tra cui vengono evidenziati i
comportamenti dei MOSFET e dei MESFET.
Scopo particolare del corso è di illustrare i meccanismi intrinseci di funzionamento dei
suddetti dispositivi indicandone anche alcuni ambiti applicativi tra i più significativi.
Nella prima parte del corso viene illustrata la tecnica di progetto dei modelli a bande di
strutture di materiali semiconduttori anche in numero elevato(maggiore di 4) e vengono
fornite, con numerosi esempi, le modalità di espressione della carica distribuita lungo la
struttura, l’andamento del campo elettrico e del potenziale.
Nella seconda parte del corso si mettono in evidenza aspetti riguardanti il rumore elettronico
e le tecniche per il suo calcolo applicate ad esempi concreti riguardanti amplificatori
operazionali. Di particolare rilevanza viene studiato il comportamento della capacità dei
dispositivi in funzione della tensione applicata e nel contesto dello studio di dispositivi a
risposta veloce, viene illustrato in dettaglio il circuito in grado di elaborare segnali a velocità
massima.