raffaele

Spett.le
Ministero dell’Istruzione, dell’Università e
della Ricerca (MIUR)
Dipartimento per l’Università, l’Alta
Formazione Artistica, Musicale e Coreutica e
per la Ricerca
Direzione Generale per lo Sviluppo e il
Coordinamento della Ricerca
Ufficio VI
Piazzale J. F. Kennedy 20
00144 Roma
Candidatura per Albo Esperti – D.D. n. 79/2010/Ric.
Codice: NAE-524199
Il sottoscritto
Titolo
Cognome
Nome
Data di nascita
Nazionalità
Luogo di nascita
Sesso
Codice Fiscale
DR. ING.
RAFFAELE
LUIGI
15/08/1970
ITALY
PATTI (Messina)
M
RFFLGU70M15G377C
presenta la propria candidatura per la selezione pubblica internazionale di esperti da inserire in Albo ai sensi del D.D. n.
79/2010/Ric.
A tal fine dichiara quanto segue.
Categoria di appartenenza:
art. 1 comma 1c - Esperto
Specializzazione area disciplinare
Primaria
Area Disciplinare
Settore Disciplinare
Ordine di Competenza
09 - Ingegneria industriale e
dell`informazione
ING-INF/01 - ELETTRONICA
1
02 - Scienze fisiche
FIS/01 - FISICA SPERIMENTALE
2
09 - Ingegneria industriale e
dell`informazione
ING-INF/02 - CAMPI
ELETTROMAGNETICI
3
Area Disciplinare
Settore Disciplinare
Ordine di Competenza
09 - Ingegneria industriale e
dell`informazione
ING-INF/03 TELECOMUNICAZIONI
1
Secondaria
Settore ATECO2007 del comparto produttivo
Settore ATECO 2007 (prime 2 cifre)
Settore ATECO 2007 (ulteriori 4 cifre)
26 - FABBRICAZIONE DI COMPUTER E
PRODOTTI DI ELETTRONICA E OTTICA;
APPARECCHI ELETTROMEDICALI, APPARECCHI
DI MISURAZIONE E DI OROLOGI
11.01 - Fabbricazione di diodi, transistor e relativi
congegni elettronici
26 - FABBRICAZIONE DI COMPUTER E
PRODOTTI DI ELETTRONICA E OTTICA;
APPARECCHI ELETTROMEDICALI, APPARECCHI
DI MISURAZIONE E DI OROLOGI
11.09 - Fabbricazione di altri componenti elettronici
26 - FABBRICAZIONE DI COMPUTER E
PRODOTTI DI ELETTRONICA E OTTICA;
APPARECCHI ELETTROMEDICALI, APPARECCHI
DI MISURAZIONE E DI OROLOGI
30.29 - Fabbricazione di altri apparecchi elettrici ed
elettronici per telecomunicazioni
26 - FABBRICAZIONE DI COMPUTER E
PRODOTTI DI ELETTRONICA E OTTICA;
APPARECCHI ELETTROMEDICALI, APPARECCHI
DI MISURAZIONE E DI OROLOGI
70.11 - Fabbricazione di elementi ottici e strumenti ottici
di precisione
26 - FABBRICAZIONE DI COMPUTER E
PRODOTTI DI ELETTRONICA E OTTICA;
APPARECCHI ELETTROMEDICALI, APPARECCHI
DI MISURAZIONE E DI OROLOGI
70.12 - Fabbricazione di attrezzature ottiche di
misurazione e controllo
26 - FABBRICAZIONE DI COMPUTER E
PRODOTTI DI ELETTRONICA E OTTICA;
APPARECCHI ELETTROMEDICALI, APPARECCHI
DI MISURAZIONE E DI OROLOGI
80.00 - Fabbricazione di supporti magnetici ed ottici
72 - RICERCA SCIENTIFICA E SVILUPPO
19.09 - Ricerca e sviluppo sperimentale nel campo delle
altre scienze naturali e dell'ingegneria
61 - TELECOMUNICAZIONI
10.00 - Telecomunicazioni fisse
74 - ALTRE ATTIVITÀ PROFESSIONALI,
SCIENTIFICHE E TECNICHE
90.93 - Altre attività di consulenza tecnica nca
Settore ATECO 2007 (prime 2 cifre)
Settore ATECO 2007 (ulteriori 4 cifre)
99 - ORGANIZZAZIONI ED ORGANISMI
EXTRATERRITORIALI
00.00 - Organizzazioni ed organismi extraterritoriali
Parole chiave
In Italiano
In Inglese
Laser
Lasers
Semiconduttori
Semiconductors
Ottica
Optics
Fotonica
Photonics
Nanotecnologia
Nanotecnology
Esperienza professionale
Documentata esperienza tecnico- scientifica
(art. 2 comma 1b, c)
SI
Esperienza di ricerca e/o lavoro in ambito internazionale
SI
Denominazione del datore di lavoro
DNP Photomask Europe
Nazione
ITALY
Settore ATECO2007
72 - RICERCA SCIENTIFICA E SVILUPPO.
19.09 - Ricerca e sviluppo sperimentale nel campo delle
altre scienze naturali e dell'ingegneria
Anno inizio e termine del rapporto
2003 / In corso
Per un totale di mesi
95
Tipo di rapporto
Tempo indeterminato
Ruolo
Electron-Beam Lithography Group Leader
Principali mansioni e responsabilità
Da Giugno 2003 sono responsabile (Group Lader) del
gruppo di Electron-Beam Lithography presso la DNP
Photomask Europe – Divisione Development
Engineering, Agrate Brianza (Milano), joint-venture tra
STMicroelectronics (www.st.com) e la multinazionale
giapponese DNP (Dai Nippon Printing www.dnp.co.jp), azienda leader mondiale nella ricerca e
produzione di fotomaschere avanzate per la
microelettronica. Nell’ambito di questo incarico sono
responsabile dei progetti di sviluppo delle tecnologie di
nano-litografia a fascio elettronico. Le attività di mia
competenza includono:
- Project planning e management delle attività di
commissioning, messa in opera, testing e qualifica dei
sistemi di litografia a fascio elettronico (Jeol JBX9000 e
JBX3040, sistemi e beam tra i più avanzati attualmente
installati in Europa per la fabbricazione di fotomaschere
avanzate).
- Ricerca e sviluppo nell’ambito delle tecnologie di
electron-beam lithography e dei relativi processi per la
produzione di fotomaschere di ultima generazione, fino
al nodo tecnologico da 45nm, sia di tipo BIM (Binary
Mask) che di tipo PSM (Phase Shift Mask), con tecniche
di RET (Resolution Enhancement Techniques) di tipo
OPC (Optical Proximity Correction);
- Caratterizzazione dei processi di electron beam
lithography, sviluppo di modelli fisici avanzati e di
software avanzati di simulazione Matlab per la
correzione degli errori di e-beam-writing (Foggy Effect
Correction – FEC e Proximity Effect Correction – PEC)
e degli errori di processo (dry-etching process loading e
microloading, radial error) per la fabbricazione di
fotomaschere per i nodi tecnologici da 65nm e 45nm.
- Sviluppo di tecniche di analisi e metrologia mediante
microscopia elettronica a scansione (SEM) e strumenti
ottici.
- Trasferimento delle tecnologie in produzione in
conformità ai criteri di TQM.
- Definizione delle specifiche dei materiali e dei
prodotti, qualifica dei prodotti di ultima generazione,
controllo periodico e manutenzione dei sistemi di
electron-beam lithography, applicazione delle tecniche
di SPC per il controllo delle apparecchiature.
- Redazione di articoli scientifici, presentazioni
scientifiche per la partecipazione a conferenze e
seminari, report tecnici.
- Coordinamento e training di un gruppo di ingegneri e
tecnici specializzati.
Ho inoltre sviluppato competenze specifiche nei
seguenti settori:
- sorgenti e colonne per la generazione di fasci
elettronici nonché sistemi di ottica elettronica
(EOS-Electron Optics Systems);
- sistemi di tipo UHV (Ultra-High-Vacuum);
- amministrazione di sistemi e workstation Unix;
- microlitografia, sistemi di scrittura diretta a fascio
laser, sistemi di metrologia ed ispezione su
fotomaschere, sistemi interferometrici, caratterizzazione
di processi di dry e wet-etching, analisi statistica di dati
di processo, tecniche di DOE (Design of Experiments).
Nell’ambito di questo incarico ho redatto, in qualità di
“main author”, un articolo scientifico sullo studio e
l’ottimizzazione delle performance del sistema di
e-beam lithography Jeol JBX9000-MVII in termini sia
metrologici (CD – Critical Dimension ed image
placement) che di processo, presentato al “25th Annual
Symposium on Photomask Technology” (BACUS 2005)
tenutosi a Monterey CA, USA, 3-7 Ottobre 2005.
Documentata esperienza tecnico- scientifica
(art. 2 comma 1b, c)
SI
Esperienza di ricerca e/o lavoro in ambito internazionale
SI
Denominazione del datore di lavoro
Corning Research Centre
Nazione
UNITED KINGDOM
Settore ATECO2007
72 - RICERCA SCIENTIFICA E SVILUPPO.
19.09 - Ricerca e sviluppo sperimentale nel campo delle
altre scienze naturali e dell'ingegneria
Anno inizio e termine del rapporto
2001 / 2003
Per un totale di mesi
25
Tipo di rapporto
Tempo indeterminato
Ruolo
Research Scientist
Principali mansioni e responsabilità
Ho condotto attività di ricerca scientifica, con la
qualifica di “Research Scientist” afferendo al Gruppo di
“Device Design and Fabrication – Science and
Technology Division”, presso il “Corning Research
Centre” - Ipswich, England (ex British Telecom
Research Laboratories, ora CIP Centre for Integrated
Photonics – www.ciphotonics.co.uk), centro di ricerca
europeo della multinazionale americana Corning e da
decenni considerato uno dei laboratori europei di
eccellenza per la ricerca in Optoelettronica. Sono stato in
particolare responsabile delle attività di ricerca di
medio/lungo termine finalizzate alla realizzazione di
dispositivi attivi integrati monoltici (Monolithically
Integrated Active Devices) basati su InP.
Nell’ambito di questo incarico, ho svolto attività di
ricerca avanzata nel settore dei dispositivi optoelettronici
per reti in fibra ottica di nuova generazione basati
sull’impiego di semiconduttori composti di tipo III-V
(sopratutto InP e relativi composti ternari e quaternari)
realizzati mediante litografia ottica e scrittura diretta a
fascio elettronico, tecniche di crescita e ri-crescita
epitassiale di tipo HP/LP MOVPE ed MBE, deposizione
di film sottili metallici/dielettrici, dry/wet etching di
semiconduttori III-V e di film sottili metallici/dielettrici,
impiantazione ionica. Mi sono occupato in particolare
del progetto (studio fisico, modellizzazione, process
integration) della fabricazione e della caratterizzazione
elettronica ed ottica di componenti optoelettronici attivi
integrati (laser, modulatori, amplificatori) realizzati
impiegando strutture epitassiali di tipo MQW (Multi
Quantum Well) e tecnologie di micro e
nano-fabbricazione tra le piu’ avanzate attualmente
disponibili, quali litografia a fascio elettronico e
dry-etching.
L’attività da me svolta ha incluso l’utilizzo diretto delle
apparecchiature di fabbricazione (sistemi di dry-etch,
deposizione di film sottili, e-beam lithography, optical
lithography), di caratterizzazione morfologica-strutturale
(SEM, EBIC analysis tools e 3-D surface profilers) e di
misura (analizzatori di spettro ottico ed a
Radio-Frequenza, componenti optoelettronici in fibra
ottica, sorgenti di segnale e strumenti di misura a
microonde, etc.), la realizzazione di banchi dedicati di
misura e caratterizzazione, la redazione di progetti di
ricerca e report scientifici, nonché il coordinamento
delle risorse umane coinvolte nei progetti. Mi sono
inoltre occupato dello sviluppo di modelli fisici e dei
relativi software di simulazione per la progettazione di
DBR (Distributed Bragg Reflectors) non-uniformi in
guida d’onda, di tipo Super Structure Grating (SSG),
Sampled Grating (SG) e Binary Superimposed Grating
(BSG) per l’impiego quali riflettori in laser tunabili
monolitici.
In totale, ho portato a compimento con successo 4
progetti, realizzando i prototipi dei seguenti dispositivi
optoelettronici integrati monolitici su InP:
- Self-Pulsating Laser Diode (SPLD): dispositivo DFB
multisezione auto-oscillante per applicazioni in sistemi
di generazione e rigenerazione di segnali di clock ottico
per trasmissioni in fibra con bit rate di 40Gb/s.
- Monolithically Integrated Mach-Zehnder
Interferometric Switch (MZI-SOA): dispositivo
optoelettronico integrato basato sull’utilizzo di
interferometri di Mach-Zehnder asimmetrici ed
amplificatori ottici non-lineari a semiconduttore(SOA),
per applicazioni quali switch ottici ultraveloci e
convertitori di lunghezza d’onda.
- Monolithically Integrated Widely Tunable Lasers:
dispositivi laser multisezione, con meccanismo di tuning
basato sull’effetto Vernier e DBR (Distributed Bragg
Reflectors) non-uniformi (SSG, SG, BSG), per
applicazioni in reti ottiche riconfigurabili e
spare/inventory management in reti DWDM in C-band.
- Monolithically Integrated EAM-SOA: modulatore
ottico a basse perdite per trasmissioni ottiche a 10Gb/s,
comprendente un amplificatore ottico lineare a
semiconduttore (SOA) ed un modulatore ad
elettroassorbimento(EAM).
Documentata esperienza tecnico- scientifica
(art. 2 comma 1b, c)
SI
Esperienza di ricerca e/o lavoro in ambito internazionale
SI
Denominazione del datore di lavoro
Università di Glasgow
Nazione
UNITED KINGDOM
Settore ATECO2007
72 - RICERCA SCIENTIFICA E SVILUPPO.
19.09 - Ricerca e sviluppo sperimentale nel campo delle
altre scienze naturali e dell'ingegneria
Anno inizio e termine del rapporto
1999 / 2000
Per un totale di mesi
19
Tipo di rapporto
Contratto a progetto
Ruolo
Visiting Researcher
Principali mansioni e responsabilità
Ho svolto attività di ricerca in qualità di “Visiting
Researcher” presso l’Università di Glasgow con
l’“Optoelectronics Research Group” per lo sviluppo di
microlaser a semiconduttore su GaAs/InGaAs
(emissione a 980 nm) con specchi a cristalli fotonici
monodimensionali, fabbricati utilizzando nanotecnologie
avanzate, quali scrittura diretta a fascio elettronico e
dry-etching profondo su semiconduttori composti III V.
Nell’ambito di questo progetto sono stato responsabile
delle seguenti attività:
- Studio teorico e modellizzazione dei dispositivi e della
propagazione della radiazione ottica negli specchi
microstrutturati.
- Progetto strutturale dei laser e definizione delle
maschere per i processi microlitografici mediante l’uso
di CAD per sistemi di scrittura diretta a fascio
elettronico.
- Definizione dei passi di process-integration per la
fabbricazione sperimentale dei dispositivi.
- Caratterizzazione sperimentale dei processi di
nanolitografia a fascio elettronico e di dry-etch.
- Caratterizzazione dei materiali e dei dispositivi
mediante misure elettriche ed ottiche, ed interpretazione
dei dati sperimentali.
- Analisi morfologica SEM dei dispositivi.
- Redazione di articoli scientifici pubblicati su riviste
internazionali e delle presentazioni per la partecipazione
a congressi.
I microlaser che ho fabbricato sono tra i più piccoli diodi
laser planari finora riportati nella letteratura scientifica,
con una lunghezza di cavità di appena 20 um (world
record nel 2000), bassa corrente di soglia e struttura
monolitica. Essi assumono notevole importanza quali
sorgenti nei circuiti integrati optoelettronici di prossima
generazione.
Documentata esperienza tecnico- scientifica
(art. 2 comma 1b, c)
SI
Esperienza di ricerca e/o lavoro in ambito internazionale
SI
Denominazione del datore di lavoro
Università di Palermo
Nazione
ITALY
Settore ATECO2007
72 - RICERCA SCIENTIFICA E SVILUPPO.
19.09 - Ricerca e sviluppo sperimentale nel campo delle
altre scienze naturali e dell'ingegneria
Anno inizio e termine del rapporto
1997 / 1999
Per un totale di mesi
18
Tipo di rapporto
Contratto a progetto
Ruolo
Dottorando di Ricerca
Principali mansioni e responsabilità
Mi sono occupato dello sviluppo di sensori
interferometrici in fibra ottica basati su microcavità di
Fabry-Perot, realizzati su fibre di tipo D-shaped
mediante processi di microfabbricazione quali: ablazione
con laser ad eccimeri, deposizione di film sottili,
electroplating e scrittura diretta a fascio laser. Ho inoltre
progettato e realizzato un sistema ottico di proiezione
per laser ad eccimeri per processi di microlitografia ed
ablazione. La ricerca è stata condotta presso il
Laboratorio di Tecnologie Optoelettroniche
dell’Università di Palermo in collaborazione con il
Dipartimento di Fisica dell’Università del New England
– Australia.
Documentata esperienza tecnico- scientifica
(art. 2 comma 1b, c)
SI
Esperienza di ricerca e/o lavoro in ambito internazionale
NO
Denominazione del datore di lavoro
Università di Palermo
Nazione
ITALY
Settore ATECO2007
72 - RICERCA SCIENTIFICA E SVILUPPO.
19.09 - Ricerca e sviluppo sperimentale nel campo delle
altre scienze naturali e dell'ingegneria
Anno inizio e termine del rapporto
1995 / 1997
Per un totale di mesi
24
Tipo di rapporto
Stage
Ruolo
Tesista
Principali mansioni e responsabilità
Mi sono occupato dello sviluppo di processi di attacco
superficiale tramite fascio ionico, presso il Laboratorio
di Tecnologie Optoelettroniche del Dipartimento di
Ingegneria Elettrica dell’Università di Palermo. Ho
progettato, costruito installato e messo in opera con
successo un apparato sperimentale per la realizzazione di
processi di attacco a fascio ionico (CAIBE -Chemically
Assisted Ion Beam Etching ed Ar Ion Milling). La
tecnologia sviluppata assume importanza rilevante per la
fabbricazione di micro-componenti ottici diffrattivi a
rilievo superficiale continuo mediante un solo processo
di esposizione (realizzato attraverso sistemi di scrittura
analogica diretta a fascio elettronico o laser, oppure con
fotomaschere a livelli di grigio) ed un solo processo di
dry etching.
Istruzione e formazione
Documentata esperienza tecnico- scientifica
(art. 2 comma 1b, c)
SI
Anno inizio e termine
1997 / 2000
Formazione post-lauream
SI
Tipologia
Dottorato di ricerca
Titolo conseguito
Dottore di Ricerca in Ingegneria Elettronica, Informatica
e delle Telecomunicazioni
Votazione/valutazione conseguita
Titolo conseguito
Tipo di organizzazione erogatrice
Università
Denominazione dell’organizzazione erogatrice
Università degli Studi di Palermo
Descrizione principali tematiche/competenze
professionali acquisite
Dottorato di Ricerca in Ingegneria Elettronica,
Informatica e delle Telecomunicazioni conseguito il 19
Febbraio 2001 presso l’Università di Palermo discutendo
una tesi sperimentale su “Microlaser a semiconduttore
con specchi a cristalli fotonici monodimensionali”.
Competenze acuisite nel settore delle nanotecnologie e
dei dispositivi optoelettronici.
Documentata esperienza tecnico- scientifica
(art. 2 comma 1b, c)
SI
Anno inizio e termine
1989 / 1997
Formazione post-lauream
NO
Tipologia
art. 2 comma 1 – Diploma di Laurea precedente D.M.
509/99
Titolo conseguito
Laurea in Ingegneria Elettronica
Votazione/valutazione conseguita
110/110 e lode
Tipo di organizzazione erogatrice
Università
Denominazione dell’organizzazione erogatrice
Università degli Studi di Palermo
Descrizione principali tematiche/competenze
professionali acquisite
Laurea in Ingegneria Elettronica conseguita il 10 Luglio
1997 presso l’Università degli Studi di Palermo con la
votazione di 110/110 e Lode discutendo una tesi
sperimentale su “Processi di attacco a fascio ionico per
la fabbricazione di componenti ottici diffrattivi”, relatore
prof. Claudio Arnone.
Nell’ambito dello svolgimento della tesi di laurea, mi
sono occupato dello sviluppo di processi di attacco
superficiale tramite fascio ionico, presso il Laboratorio
di Tecnologie Optoelettroniche del Dipartimento di
Ingegneria Elettrica dell’Università di Palermo. Ho
progettato, costruito installato e messo in opera con
successo un apparato sperimentale per la realizzazione di
processi di attacco a fascio ionico (CAIBE -Chemically
Assisted Ion Beam Etching ed Ar Ion Milling). La
tecnologia sviluppata assume importanza rilevante per la
fabbricazione di componenti ottici diffrattivi a rilievo
superficiale continuo.
Capacità e conoscenze linguistiche
Lingua
Madrelingua
Capacità di
lettura
Capacità di
scrittura
Capacità di
ascolto
Capacità di
espressione
orale
Italiano
SI
--
--
--
--
Inglese
NO
Eccellente
Eccellente
Eccellente
Eccellente
Pubblicazioni internazionali su riviste ISI
Tipologia di articolo
N° totale
Original paper
Review article
Case report
Editorial Comment
Letter to the editor
4
0
0
0
0
Impact Factor
Totale
0,000
Impact Factor
negli ultimi 5
anni
0,000
N° negli ultimi 5
anni
1
0
0
0
0
Citation Index
totale
14
Citation Index
medio per la
pubblicazione
0,000
N° come Primo
Autore
4
0
0
0
0
IF medio
personale
N° come Ultimo
Autore
0
0
0
0
0
0,000
Mediana IF
riviste dello
specifico SSD
0,000
Media IF
riviste dello
specifico SSD
0,000
Pubblicazioni monografiche e pubblicistica nazionale
Pubblicazioni
Libri
Capitoli
Articoli
scientifici
TOT
TOT
1
0
4
IT
1
0
0
EN
0
0
4
Altra lingua
0
0
0
Censite
0
0
4
Non censite
1
0
0
5
1
4
0
4
1
N° dei brevetti N° Premi
registrati
Scientifici
nazionali
N° Premi
Scientifici
internazionali
N°
Partecipazioni
a Comitati
Tecnico Scientifici
0
N° delle
riviste
internazionali
in cui si
svolge attività
di Referee
0
N°
Partecipazioni
a Comitati
Scientifici
0
N° delle
riviste
internazionali
in cui si
svolge attività
di Editor
0
0
0
Brevetti e premi scientifici
0
Attività congressuali
Congressi
Nazionali
Internazionali
TOT
N° di "Invited lecture"
0
4
4
Incarichi di valutazione
Progetto valutato in ambito internazionale
SI
N° di "Chairmanship"
0
0
0
Tipo di iniziativa
Seventh Framework Programme - FP7
Identificativo del progetto (Titolo)
Strategic Objective “Nanoelectronics Technology”
Abstract del progetto
Costo del progetto in migliaia di euro
Ruolo svolto
Auditor
Tipo di Amministrazione titolare del progetto
Pubblica Amministrazione Centrale
Denominazione dell’Amministrazione titolare del
progetto
European Commission
Progetto valutato in ambito internazionale
SI
Tipo di iniziativa
Seventh Framework Programme - FP7
Identificativo del progetto (Titolo)
Strategic Objective "Microsystems and Smart
Miniaturised Systems"
Abstract del progetto
Costo del progetto in migliaia di euro
Ruolo svolto
Auditor
Tipo di Amministrazione titolare del progetto
Pubblica Amministrazione Centrale
Denominazione dell’Amministrazione titolare del
progetto
European Commission
Progetti coordinati
Progetto coordinato in ambito internazionale
NO
Identificativo del progetto (Titolo)
Progetto di sviluppo delle tecnologie di nano-litografia a
fascio elettronico
Abstract del progetto
- Project planning e management delle attività di
commissioning, messa in opera, testing e qualifica dei
sistemi di litografia a fascio elettronico (Jeol JBX9000 e
JBX3040, sistemi e beam tra i più avanzati attualmente
installati in Europa per la fabbricazione di fotomaschere
avanzate).
- Ricerca e sviluppo nell’ambito delle tecnologie di
electron-beam lithography e dei relativi processi per la
produzione di fotomaschere di ultima generazione, fino
al nodo tecnologico da 45nm, sia di tipo BIM (Binary
Mask) che di tipo PSM (Phase Shift Mask), con tecniche
di RET (Resolution Enhancement Techniques) di tipo
OPC (Optical Proximity Correction);
- Caratterizzazione dei processi di electron beam
lithography, sviluppo di modelli fisici avanzati e di
software avanzati di simulazione Matlab per la
correzione degli errori di e-beam-writing (Foggy Effect
Correction – FEC e Proximity Effect Correction – PEC)
e degli errori di processo (dry-etching process loading e
microloading, radial error) per la fabbricazione di
fotomaschere per i nodi tecnologici da 65nm e 45nm.
-Sviluppo di tecniche di analisi e metrologia mediante
microscopia elettronica a scansione (SEM) e strumenti
ottici.
- Trasferimento delle tecnologie in produzione in
conformità ai criteri di TQM.
- Definizione delle specifiche dei materiali e dei
prodotti, qualifica dei prodotti di ultima generazione,
controllo periodico e manutenzione dei sistemi di
electron-beam lithography, applicazione delle tecniche
di SPC per il controllo delle apparecchiature.
- Redazione di articoli scientifici, presentazioni
scientifiche per la partecipazione a conferenze e
seminari, report tecnici.
- Coordinamento e training di un gruppo di ingegneri e
tecnici specializzati.
Nell’ambito di questo incarico ho redatto, in qualità di
“main author”, un articolo scientifico sullo studio e
l’ottimizzazione delle performance del sistema di
e-beam lithography Jeol JBX9000-MVII in termini sia
metrologici (CD – Critical Dimension ed image
placement) che di processo, presentato al “25th Annual
Symposium on Photomask Technology” (BACUS 2005)
tenutosi a Monterey CA, USA, 3-7 Ottobre 2005.
Costo del progetto in migliaia di euro
Tipo di Amministrazione titolare del progetto
Altro
Denominazione dell’Amministrazione titolare del
progetto
DNP Photomask Europe
Progetto coordinato in ambito internazionale
SI
Identificativo del progetto (Titolo)
Monolithically Integrated Active Devices
Abstract del progetto
Progetto di ricerca avanzata di medio/lungo termine
finalizzato alla realizzazione di dispositivi
optoelettronici attivi integrati monoltici (Monolithically
Integrated Active Devices) per reti in fibra ottica di
nuova generazione basati sull’impiego di semiconduttori
composti di tipo III-V (sopratutto InP e relativi composti
ternari e quaternari) realizzati mediante litografia ottica
e scrittura diretta a fascio elettronico, tecniche di crescita
e ri-crescita epitassiale di tipo HP/LP MOVPE ed MBE,
deposizione di film sottili metallici/dielettrici, dry/wet
etching di semiconduttori III-V e di film sottili
metallici/dielettrici, impiantazione ionica.
Costo del progetto in migliaia di euro
Tipo di Amministrazione titolare del progetto
Altro
Denominazione dell’Amministrazione titolare del
progetto
Corning Research Centre
Il sottoscritto dichiara di non aver riportato condanne penali e di non essere sottoposto a procedimenti penali e/o
provvedimenti disciplinari e di essere consapevole delle responsabilità penali previste dall’art. 76 del D.P.R. 445/2000
per le ipotesi di falsità in atti e dichiarazioni mendaci ivi indicate.
Si allega la seguente documentazione:
1. Documento d'identità
2. Lista delle attività scientifiche
Residenza
Indirizzo
VIA MERCE', 4, 98077 SANTO STEFANO DI CAMASTRA (Messina)
Residenza lavorativa e recapiti
Indirizzo
VIA MERCE', 4, 98077 SANTO STEFANO DI CAMASTRA (Messina)
Telefono
3498482912
Cellulare
3498482912
Fax
Email
[email protected]
URL
Preso atto delle informazioni sulla Legge 675/96, il sottoscritto esprime il proprio consenso al trattamento di tutto il
materiale trasmesso per l’espletamento degli adempimenti connessi all’accertamento di cui all’art. 3 del Decreto.
Data
LUIGI­RAFFAELE