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DIODI P-I-N
I dispositivi pin trovano larga applicazione, tra l’altro, come:
- diodi ad elevata tensione di breakdown
- diodi Zener ad elevata tensione
- diodi a capacità di giunzione nota e costante
- “core” di dispositivi di commutazione a “controllo di campo (FCD)”
NA
Nd
ND
p+
n-
n+
d
Alla giunzione p+/n(asimmetrica) si ha:
2 s
Vbi  V 
W p  Wn 
qN d
d  Ln,p
ME-B-1
Dispositivi Elettronici a Semiconduttore - A.A. 2009/2010
regione di carica spaziale
p+
n-NA
N A  W p  N D  Wn
Wn
Nd
|Eo|
Wn Eo
Vbi  V  V 
2
Se Emax è il campo per cui si ha
la scarica nel semiconduttore,
la tensione massima inversa
applicabile è:
Vmax 
Wn
ME-B-2
Polarizzando inversamente il
diodo, sulla r.c.s. cade il
potenziale:
n+
 Si
2q N d
2
Emax
Nel Si si ha: Emax  2105 V/cm
Dispositivi Elettronici a Semiconduttore - A.A. 2009/2010
p+
n-
n+
-NA
Può accadere che la r.c.s. si
estenda nella regione n+. Ciò
può accadere anche per V=0.
In questo caso W  Wn  d.
V
d
Wn
Nd
E1 W 'd

E0
W'
|E1|
d
2
Eo e E1 sono legati dalla
relazione:
ND
|Eo|
Eo  E1  d
con:
2 s
W '
V
qN d
Quando Wn = d, il diodo presenta una CJ nota e costante al variare di V.
ME-B-3
Dispositivi Elettronici a Semiconduttore - A.A. 2009/2010
|Emax|
|E1|
d
Si noti che, fissato Emax, un diodo
“corto” sostiene una polarizzazione
inversa inferiore (area del trapezio
contro
area
del
triangolo).
Purtroppo un diodo lungo è
penalizzato nel funzionamento in
polarizzazione diretta (rischio di
funzionamento in regime ohmico
nella base).
L’utilizzo di semiconduttori con
Emax
maggiore
consente
di
fabbricare diodi con base più corta
a parità di VBD (dipendenza
quadratica).
ME-B-4
Dispositivi Elettronici a Semiconduttore - A.A. 2009/2010
DIODO PIN IN POLARIZZAZIONE DIRETTA
Un
diodo
pin
polarizzato
direttamente opera quasi sempre
in regime di “alti livelli di
iniezione” nella regione i. Per
preservare la neutralità di carica
nella regione i, quindi, si ha
sempre n(x) = p(x). Nel calcolo
della corrente nel diodo occorre
tenere presente la ricombinazione
e-h nella regione i :
d
J   q R dx
d
in cui :
ME-B-5
R
n( x )
 HL
B.J. Baliga “Modern Power Devices” Wiley-Interscience
Dispositivi Elettronici a Semiconduttore - A.A. 2009/2010
n(x) può essere determinato risolvendo l’eq. di continuità, come già fatto
per il diodo p-n. Questa volta però bisogna considerare che nella regione i
si ha contemporaneamente iniezione di elettroni e lacune. Se le condizioni
al contorno sono simmetriche in -d e in +d, la soluzione è:

x 
x 
cosh
senh
 L  1
 L 
 HL 
a
a


n p
J


2 q La  senh d  2 cosh d  
 L 
 L 

a
a 



in cui La è la lunghezza di diffusione ambipolare, definita come:
La  Da  HL
con:
Da 
n  p  Dn D p
n Dn  p D p
A questa corrente vanno poi sommate le iniezioni nelle due regioni terminali,
calcolabili come visto in precedenza, e la ricombinazione nella r.c.s.
ME-B-6
Dispositivi Elettronici a Semiconduttore - A.A. 2009/2010
Esempio di dispositivo a
controllo di campo:
Power Field-Controlled Diode
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Polarizzando inversamente il terminale di Gate rispetto al Catodo, la regione di
svuotamento può occupare tutto il canale e bloccare il passaggio di corrente fra
Anodo e Catodo (Field Controlled Diode). Quando fra Anodo e Catodo si ha
flusso di cariche, la conducibilità del materiale dipende dal livello di iniezione nel
canale, e non dal drogaggio N (come invece accade nei FET).
ME-B-7
Dispositivi Elettronici a Semiconduttore - A.A. 2009/2010
TEMPI DI COMMUTAZIONE DEL DIODO
vi
VF
-
VR
+
+
- VF
-VR
Le capacità CD e Cj determinano la nascita
di transitori quando il diodo passa dalla
polarizzazione inversa alla diretta, e
viceversa.
In genere il tempo il tempo di recupero
diretto tfr è trascurabile
v
V
0.9 V
- 0.9 VR
-VR
tfr
ME-B-8
Dispositivi Elettronici a Semiconduttore - A.A. 2009/2010
vi
VF
t
-
VR
+
+
- VF
-VR
V
 F
R
Il tempo di recupero inverso (ts
+ tt ) è legato all’eccesso di
portatori minoritari iniettati la
cui concentrazione deve portarsi
al valore di equilibrio per
ottenere lo spegnimento del
diodo.
ME-B-9
 
i
Io
t
VR
R
V
-VR
v
t
t1
ts
t2
tt
t3
Dispositivi Elettronici a Semiconduttore - A.A. 2009/2010
Il tempo di recupero inverso (ts + tt ) è legato all’eccesso di portatori minoritari
iniettati la cui concentrazione deve portarsi al valore di equilibrio per ottenere lo
spegnimento del diodo.
t  t1 
p 
t1  t  t 2 
p
;
no
p 
V F
i 
; v  V
R L
p
no
(questo intervallo, in cui conta la CD, è chiamato
storage time ts)
;
VR
i  
; v  V
RL
V
t 2  t  t 3  p  p no ;
i  
R
(questo intervallo, in cui conta la Cj, è chiamato transition
time tt)
v  V
ME-B-10

  V

R
 0
L
R
Dispositivi Elettronici a Semiconduttore - A.A. 2009/2010
vi
VF
-
VR
+
t
+
- VF
-VR
V
 F
R
La corrente inversa è sostenuta
dalle lacune che, venuta meno
l’iniezione, ora attraversano la
giunzione in senso opposto sotto la
spinta del C.E. nella rcs.
Contemporaneamente buona parte
delle lacune si ricombinano nel
catodo. Se la ricombinazione è
rapida, la corrente si arresta prima.
In alcuni casi la VR viene molto
aumentata per favorire l’estrazione
più rapida dei portatori minoritari.
Generalmente si preferisce però
agire sulla ricombinazione.
ME-B-11
i
Io
t
 
VR
R
p(0+)
t
V
v
t
-VR
t1
t2
ts
tt
t3
Dispositivi Elettronici a Semiconduttore - A.A. 2009/2010
Regolazione della velocità di spegnimento di un PIN
attraverso il controllo della vita media 
Il tempo di spegnimento (toff) di un diodo
PIN è legato allo smaltimento di portatori
iniettati nella regione “i” in polarizzazione
diretta:
toff  
0
Qmax
dQ
ioff
in cui:
d
Qmax  q  n dx
0
è la carica iniettata in polarizzazione diretta
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ME-B-12
con corrente IF, ed ioff è la corrente di
scarica (imposta dal circuito esterno). E’
evidente che il tempo di scarica può essere
ridotto se si riduce Qmax.
Dispositivi Elettronici a Semiconduttore - A.A. 2009/2010
D’altra parte anche la corrente IF è legata alla quantità di cariche iniettate, essendo:
d
n( x )
0
 HL
IF  q A 
dx  q A
n
 HL
d
in cui n è la concentrazione media nella regione
“i”. Quindi, per ridurre toff mantenendo IF al
livello desiderato, occorre ridurre in
proporzione la vita media dei portatori iniettati.
La vita media può essere ridotta introducendo
nella banda proibita del silicio centri di
ricombinazione collocati ad energie prossime ad
Eg/2.
Il metodo più comune per ottenere questo
risultato è il drogaggio con oro.
Purtroppo questa tecnica produce un aumento
spesso considerevole della corrente di
saturazione inversa del diodo e ddp ai capi del
diodo in diretta.
ME-B-13
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Dispositivi Elettronici a Semiconduttore - A.A. 2009/2010
CALCOLO DELLA DISTANZA MEDIA PERCORSA DA PORTATORI INIETTATI (1)
n(x)
regione P
p(x)
Se pk è il numero di lacune che compie
un tragitto tk prima di ricombinarsi,
allora il percorso medio delle lacune è:
regione N
P(0)
t
p1  t1  p2  t 2  ...  p N  t N
p1  p2  ...  p N
n(0)
L’eccesso di lacune è distribuito
come:
x
Pn0
np0
x=0
x
p ( x)  p (0)e
'
x+x
lim
ME-B-14

Lp
ed il numero di lacune che compie un
percorso x prima di ricombinarsi è pari al
numero
di
lacune
che
si
ricombina
nell’intorno di x. Questo si può ottenere da:
densità dei portatori minoritari
x 
 0
'

p ' ( x)  p ' ( x  x)
cm 3cm 1
x

(lacune che si ricombinano per unità di volume
in un intorno di x con estensione unitaria)
Dispositivi Elettronici a Semiconduttore - A.A. 2009/2010
CALCOLO DELLA DISTANZA MEDIA PERCORSA DA PORTATORI INIETTATI (2)
n(x)
regione P
p(x)
lim
regione N
P(0)
x
 0
p ' ( x)  p ' ( x  x)
dp ' p ' (0)


e
x
dx
Lp

x
Lp
da cui:
n(0)
Pn0
np0
x=0
x


0
p ' (0)e
x
Lp
x
Lp
dx
x+x
dove p’TOT=p’(0), per cui:
1
t
Lp


0
xe

x
Lp
dx
 f  g dx  f  g dx    f '  g dx dx
ME-B-15
1
t
p 'TOT

che può essere risolto per parti:
con f=x e g=exp(-x/Lp)
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MODELLO SPICE DEL
DIODO
Rs = resistenza delle regioni n e p
C = Cj + Cdiff
Anodo
C
Rs
I
Catodo
diodo intrinseco
ME-B-16
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I  K HI I D  I GR  I B
ID = corrente di diffusione
IGR = corrente di generazione – ricombinazione
IB = corrente di breakdown

I D  IS e

K HI 
IKF
IKF  I D
K HI  1
ME-B-17
Vdi
N Vth

 1

IS = corrente di sat. inversa
N = fattore di idealità
KHI = fattore per gli elevati livelli
di iniezione
per IKF > 0
altrimenti
IKF è la corrente a cui
iniziano a manifestarsi i
fenomeni dovuti agli
elevati livelli di iniezione
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 V 

 ISR 1  di   0.001
 VJ 

2
I GR
M
2
 NRVdiV

e th  1


ISR = corrente di saturazione
NR = fattore di emissione o di idealità
M = fattore di gradualità della giunzione (1/2 per giunzione brusca,
1/3 per giunzione lineare)
VJ = potenziale di built-in
la quantità 0.001 serve solo a prevenire problemi di convergenza nel simulatore
ME-B-18
Dispositivi Elettronici a Semiconduttore - A.A. 2009/2010
I B  IVB e

Vdi  BV
N Vth
IVB = corrente del “ginocchio” del breakdown
BV = tensione di breakdown
dI
C D  TT Gd  TT
dVdi
TT = transit time
ME-B-19
Dispositivi Elettronici a Semiconduttore - A.A. 2009/2010
 Vdi 

CJ 01 
 VJ 
CJ 01  FC 
 1 M 
in cui
ME-B-20
M
per Vdi  FC  VJ

Vdi 
1  FC 1  M   M VJ 


per Vdi  FC VJ
FC = coefficiente della capacità di
giunzione in polarizzazione diretta
Dispositivi Elettronici a Semiconduttore - A.A. 2009/2010
DETERMINAZIONE DIRETTA DEL FATTORE n DALLE
MISURE SPERIMENTALI
Sulla curva log10(I)-V si determinano due punti tali che I1/I2=10
I1  I o e
I1
e
I2
V1
nVT
V1 V2
nVT
I 2  I oe
V2
nVT
V1  V2
 2.3
n VT
 10
e quindi, a temperatura ambiente:

V1  V2 
n
0.06
ME-B-21
Dispositivi Elettronici a Semiconduttore - A.A. 2009/2010
Esercizi
1) E’ dato un diodo pn ideale. Dimostrare che il rapporto fra la corrente di lacune e quella
totale () può essere controllato attraverso il rapporto della concentrazione di drogante nelle
regioni di anodo e catodo. Esprimere  in funzione di Na/Nd e calcolarne il valore per una
giunzione in cui la resistività della zona n è pari a 0.001 cm e nella zona p è pari a 0.01
cm. Si assuma n=10p , n=3p e che le regioni neutre siano molto lunghe rispetto alla
lunghezza di diffusione dei portatori minoritari.
2) Una barra di silicio drogato ND=1016 cm-3 è illuminata da una radiazione che produce
uniformemente 1021 cm-3s-1 coppie e-h. Nel silicio sono presenti 1015 cm-3 centri di
ricombinazione ad Et=Ei, con sezione di cattura =10-14 cm2. Calcolare la concentrazione di
lacune ed elettroni in regime stazionario ed a seguito dello spegnimento della sorgente
luminosa. Si assuma vth=107 cm/s.
3) In un blocco di silicio, la concentrazione di elettroni liberi decade, a partire da x=0, da 1018
cm-3 a zero in uno spazio pari a W=1 m. Nell’ipotesi che non valga la neutralità di carica,
calcolare quanto vale il campo elettrico e la corrente in x=0. Si assuma Dn=7 cm2V-1.
4) La densità massima di corrente che può essere sopportata da un semiconduttore è
dell’ordine di alcune migliaia di A/cm2. Ponendo nel silicio Jmax=5 kA/cm2, qual è il campo
elettrico massimo che può essere presente in un blocco drogato ND=1018 cm-3.
ME-B-22
Dispositivi Elettronici a Semiconduttore - A.A. 2009/2010
Esercizi
5) Nel diodo rappresentato in basso, un fascio di luce determina una generazione di coppie e-h
pari a Go [cm-2 s-1] all’ascissa –W/2. Assumendo:
NA=ND=N>>ni
W<<L, e L1>>L, con L lunghezza di diffusione dei minoritari
tutte le D uguali e tutte le  uguali
ampiezza della r.c.s. trascurabile
ricavare le concentrazioni dei portatori minoritari nelle regioni del diodo in ipotesi di b.l.i.
calcolare la corrente che scorre nel diodo sotto illuminazione e senza illuminazione
-
p
- L1
ME-B-23
+
n
-W/2
0
W
x
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IL CONDENSATORE MOS
Eg  9 eV
q = lavoro di estrazione
q = affinità elettronica
(drogaggio NA)
ME-B-24
bande di energia prima del contatto
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FORMAZIONE DEL DIAGRAMMA A BANDE
NA
Ec
ND ++
qms
Assenza di polarizzazione
EF
?
(caso di una gate in polisilicio ND++ con    )
Ev
La posizione delle bande lontano dall’ossido
è dettata dall’allineamento dei livelli di fermi
che si realizza a seguito di un trasferimento
di elettroni dal Si(n) al Si(p).
m - s = ms sostituisce il potenziale di built-
in di una giunzione p-n
ME-B-25
Dispositivi Elettronici a Semiconduttore - A.A. 2009/2010
FORMAZIONE DEL DIAGRAMMA A BANDE
NA
Ec
ND ++
qms
Assenza di polarizzazione
EF
?
(caso di una gate in polisilicio ND++ con    )
Ev
La posizione delle bande lontano dall’ossido
è dettata dall’allineamento dei livelli di fermi
che si realizza a seguito di un trasferimento
di elettroni dal Si(n) al Si(p).
m - s = ms sostituisce il potenziale di built-
in di una giunzione p-n
ND
SiO2
++
 3.2 eV
Ec
NA
EF
Ev
Nei pressi dello strato di ossido le bande si
piegano l’una verso l’altra ma non si portano
allo stesso livello di energia poichè una parte
del potenziale ms cade attraverso l’ossido.
Le bande nell’ossido sono rettilinee per
l’ipotesi di assenza di cariche elettriche:
 4.7 eV
d 2V
dE


0
2
dx
dx
ME-B-26
nell’ossido
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(x)
qND ++
Ai lati del SiO2 la carica spaziale coincide (al più) con la
densità di drogante, e quindi si estende maggiormente
nella regione di Si(p).
-qNA
d
E(x)
Come al solito, il campo elettrico è rettilineo e il suo
gradiente è proporzionale al drogaggio nelle varie zone.
ND ++
NA
SiO2
Ec
Ei
EF
Ai lati del SiO2 il piegamento delle bande è dunque noto
Ev
ME-B-27
Dispositivi Elettronici a Semiconduttore - A.A. 2009/2010
ND ++
NA
SiO2
Ec
Ei
EF
Ev
Applicando una polarizzazione fra le due regioni di
silicio (positivo verso la regione Si(p)), è possibile
ridurre, fino ad annullare, il campo elettrico attraverso
l’ossido ed attraverso le regioni di carica spaziale, con il
risultato di ottenere un allineamento delle bande e la
scomparsa della carica spaziale: condizione di Flat Band
o di Bande Piatte. La concentrazione di lacune
all’interfaccia SiO2/Si(p) è pari al drogaggio.
SiO2
(x)
qND ++
ND ++
NA
Ec
-qNA
EF
d
ME-B-28
La
d.d.p.
da
applicare è pari a
ms ed è chiamata
tensione di flatband VFB
Ev
Dispositivi Elettronici a Semiconduttore - A.A. 2009/2010
ms può essere valutata considerando che:
q ms
livello del vuoto
Eg


 q m  q  s 
  F 
2q


qs
Ec
con qF distanza fra il livello di fermi ed Ei:
Eg /2
NA
q  F  Ei  EF  kT ln
ni
qF
Ei
EF
Ev
Spesso nell’ossido, in prossimità dell’interfaccia con il Si(p), sono intrappolate delle cariche
elettriche. Se la densità di tali cariche è Nox, la tensione di flat band si modifica in:
VFB
qN ox
  ms 
Cox
con:
Cox 
 ox
(d spessore dell’ossido)
d
Poichè applicando al Si(n++) (detto gate) un potenziale VFB si è in condizioni di bande piatte, si
preferisce spesso riferire il potenziale di gate a VFB introducendo un potenziale efficace di gate
dato da:
/
G
G
FB
ME-B-29
V  V V
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materiale
lavoro di estrazione qΦm (eV)
Al
4.1
Pt
5.7
PtSi
5.4

affinità elettronica q s (eV)
Si
4.05
GaAs
4.07
Ge
4.0
Si (n+)
4.05
4.05
Si (p+)
5.17
4.05
Ad esempio, con una gate in Si(n+) ed un semiconduttore Si(p) con qΦF = 0.3 eV avremmo:
q ms
Eg


 q m  q  s 
  F   4.05  4.05  0.56  0.3  0.86 eV
2q


e dunque:
ME-B-30
VFB
q ms

 0.86 V
q
(in assenza di carica nel SiO2)
Dispositivi Elettronici a Semiconduttore - A.A. 2009/2010
CONCENTRAZIONE DI ELETTRONI E LACUNE
NEL SEMICONDUTTORE
q F  0
q  E f  Ei
q(x)
p  ni e
qF
qs
SiO2
n  ni e
Si
p 0   ni e
ME-B-31

q
kT
q
kT
all’interfaccia si ha:

q s
kT
 ni e

q s
kT
e

q F
kT
e

q F
kT
 N Ae

q  F  s 
kT
Dispositivi Elettronici a Semiconduttore - A.A. 2009/2010
CONCENTRAZIONE DI ELETTRONI E LACUNE
NEL SEMICONDUTTORE
q(x)
qF
qs
Per gli elettroni all’interfaccia si ha:
SiO2
Si
n0   ni e
 n po e
ME-B-32
q s
kT
q  s  F 
kT
 ni e
2
i
q s
kT
n

e
NA
e

q F
kT
e

q F
kT

q  s  F 
kT
Dispositivi Elettronici a Semiconduttore - A.A. 2009/2010
Polarizzazione in condizioni di accumulo
Applicando al gate un potenziale negativo, in modulo maggiore di VFB (p. es VG = -1 V e
quindi V’G<0 ), si supera la condizione di bande piatte e si determina un piegamento delle
bande nel verso opposto (rispetto a VG=0) con un accumulo di lacune all’interfaccia nel
Si(p) e di elettroni nel Si(n+).
I portatori, essendo mobili, si accumulano a ridosso
SiO2
ND ++
NA
dell’ossido. Nel Si(p) la metà delle lacune si trova
entro una distanza dall’interfaccia data da:
Ec
qs
V’G<0
Ei
EF
Ev
(x)
2 LD
con
  Si k T 

LD   2
 q p ' (0) 
2
(lunghezza di Deby)
Ogni variazione VG del potenziale applicato
determina una variazione di p(0) e dunque di s.
Però, data la dipendenza esponenziale fra i due, si
avranno solo piccole variazioni di s, e dunque VG
cadrà quasi completamente sull’ossido.
Alla carica è associata una capacità:
C  Cox 
ME-B-33
1
 ox
d
[F/cm2]
Dispositivi Elettronici a Semiconduttore - A.A. 2009/2010
Svuotamento
Applicando al gate un potenziale inferiore alla VFB (cioè V’G>0) si determina un
allontanamento delle lacune dall’interfaccia SiO2/Si(p) e dunque un progressivo
svuotamento. L’impoverimento di lacune si traduce in un avvicinamento fra Ei ed EF
nella regione svuotata.
Al pari di una giunzione p-n, alla regione
svuotata è associabile una capacità che si trova in
NA
ND ++
SiO2
serie a quella che ha per dielettrico l’ossido, per
Ec
cui il sistema presenta una capacità totale
V’G>0
inferiore al caso dell’accumulo:
Ei
1
1
1


C Cox Cd
EF
Ev
qND
w
-qNA
ME-B-34
x=0
Cd 
 Si
w
Per un dato valore di V’G si
ha Ei - EF = 0 all’interfaccia,
cioè in x = 0 il silicio
presenta n=p=ni.
capacità
(x)
++
con
x
V’
V’=0
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Inversione
Aumentando la polarizzazione positiva vengono richiamati elettroni all’interfaccia
SiO2/Si(p) per cui n(0) > p(0), con inversione del segno di qs (debole inversione). La
carica accumulata nel Si(p) è somma della carica spaziale (qNA) e della carica mobile
(elettroni).
(x)
qND ++
SiO2
ND
V’G>0
NA
++
w
Ec
qs
qF
-qNA
x=0
Ei
EF
Ev
x
elettroni
Quando s = -F si è alla soglia della forte inversione:
il Si(p) presenta in x=0 una concentrazione di elettroni
n=NA. La tensione VG applicata prende il nome di
tensione di soglia, Vt.
Ulteriori aumenti della V’G non provocano un aumento della w
(cioè della carica fissa) ma solo di quella mobile. La capacità
(dQ/dV) tende quindi a crescere nuovamente verso il valore:
ME-B-35
C
 ox
d
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CAPACITA’ ALL’INVERSIONE
Se il segnale alternato usato per la misura della C varia lentamente, la generazione
termica (G=po/p) è in grado di fornire gli elettroni per formare la regione di
inversione.
La capacità approssima quindi quella del condensatore a facce piane parallele:
CMOS  Cox 
 ox
fino ad alcuni MHz
d
Se invece il segnale di misura è molto veloce (2/ = T < p), la generazione degli
elettroni non può avvenire, e la carica dello strato di inversione non può seguire il
segnale.
La capacità resta quella della serie fra la capacità dell’ossido e quella della regione
di svuotamento:
CMOS 
1
d
 ox
ME-B-36

w
 Si
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capacità
CAPACITA’ DEL SISTEMA MOS
ACCUMULO
C  C SiO2 
SVUOTAMENTO
 SiO
2
d
C
INVERSIONE
1
1
d
 SiO
2

w
d
 Si
 SiO
2

w
 Si
C 
 SiO
2
d
(dipende dalla frequenza)
ME-B-37
Dispositivi Elettronici a Semiconduttore - A.A. 2009/2010
POLARIZZAZIONE DELLA ZONA DI INVERSIONE (canale)
gate
La zona di inversione (n) e il silicio del
substrato (p) formano una giunzione pn che può essere polarizzata con
l’aggiunta di una regione di contatto
n+.
Nelle applicazioni pratiche questa
giunzione è sempre cortocircuitata.
bulk (o body)
Può accadere talvolta che VC > VB (pol.
inversa).
Ciò
determina
un
allargamento
della
regione
di
svuotamento e quindi un aumento
della carica racchiusa in essa. A parità
di VG - VB, e quindi della carica totale
negativa presente al di sotto
dell’ossido, si deve allora avere una
riduzione del numero di elettroni liberi
nel canale.
Questo fenomeno è molto comune nei MOSFET, e prende il nome di body effect.
ME-B-38
Dispositivi Elettronici a Semiconduttore - A.A. 2009/2010
Applicazioni del condensatore MOS: Charge Coupled Device
Vedere anche in “Sensori di radiazioni –Parte 2”
ME-B-39
Dispositivi Elettronici a Semiconduttore - A.A. 2009/2010
1
0
1
stato stabile
iniziale
V2>V1
trasferimento
V3> (V1, V2)
nuovo stato
stabile
V2>V1
ME-B-40
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