UNIVERSITÀ DEGLI STUDI DI PAVIA
DIPARTIMENTO DI ELETTRONICA
via Ferrata,1 27100 Pavia (Italy)
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ELETTRONICA I
(proff. V. Svelto e G. Martini)
A.A. 2007/08
Riservato agli studenti iscritti al terzo anno nell'A.A. 2007/08, fuori corso o al vecchio ordinamento
Pavia, 18 novembre 2008
Cognome...................................................................
Nome.........................................................................
matricola................................................
(dati da riportare anche sui fogli interni)
corso di laurea:
biomedica
X
elettronica e telecomunicazioni
X
informatica
v.o.
___________________ non scrivere nello spazio sottostante ____________________
a)
b)
c)
d)
e)
note
Per ottenere la sufficienza occorre rispondere correttamente ad almeno tre dei quesiti proposti.
Esercizio 1
Il circuito in figura contiene un amplificatore operazionale ideale e un MOSFET a canale n
ad accumulo, con il substrato collegato al source.
K= 0 .1 mA /V 2 ; V t = 1 V ; ∣V A∣=50 V ; R = 10 k ; V DD = 3V .
a)
Trascurando l'effetto Early, calcolare e disegnare le caratteristiche di trasferimento
V 2 = f 2 V e V 1 = f 1 V per V tale che il punto di lavoro di N sia in saturazione;
indicare l'intervallo dei valori ammessi per V .
Tenendo conto dell'effetto Early:
b) Calcolare la resistenza di uscita R out .
c) Calcolare la resistenza di uscita R outD .
Esercizio 2
Avendo a disposizione un amplificatore operazionale ideale, si progetti un sommatore
avente le seguenti caratteristiche:
d) - V o = γ V 1 +V 2 , con γ = − 3 ;
- resistenze di ingresso Rin1 e Rin2 , viste rispettivamente da V 1 e da V 2 , uguali a
10k .
e) Progettare un nuovo sommatore, usando un solo amplificatore operazionale, in modo
che γ = 3 e le resistenze viste dai generatori V 1 e V 2 siano ancora pari a 10k .
Nota:
V 1 e V 2 sono disponibili sotto forma di generatori ideali di tensione con un morsetto a massa.
