ANNO SCOLASTICO 2009/2010
INDIRIZZO: ITI ELETTR. E TELECOM.
MATERIA: ELETTRONICA
CLASSE: QUARTA
DOCENTE: A. BARONI
PROGRAMMA SVOLTO
Trattazione Quadrimestrale dei contenuti didattici
Primo Quadrimestre:
Dispositivi a semiconduttore
Diodi: principio di funzionamento e caratteristica. Diodo ideale e diodo reale.
Applicazioni: circuiti raddrizzatori a semionda e ad onda intera con trasfornmatore a
presa centrale e a ponte di Graetz. Diodo Zener, Circuiti limitatori, circuiti clamper,
diodi Led, Fotodiodi, Varicap e Schottky e loro applicazioni principali.
Principio di funzionamento e caratteristica del transistor bipolare. Funzionamento ON
OFF del transistor bipolare. La polarizzazione del transistor bipolare BJT:
configurazione ad emettitore comune, a collettore comune ed autopolarizzante.
L’amplificatore a BJT ad emettitore comune.
Secondo Quadrimestre:
L’Amplificazione
Quadripoli e amplificatori: generatori dipendenti, gli amplificatori in tensione e
corrente e i decibel, schemi a blocchi ad anello aperto e retroazionati. Vantaggi e
svantaggi dei sistemi ad anello chiuso.
L’Amplificatore operazionale ideale: configurazione invertente, non invertente,
sommatore e differenziale. Il rapporto di reiezione comue e l’amplificatore
operazionale reale. Analisi dei segnali nel dominio della frequenza
Dominio del tempo e della frequenza; risposta al gradino di un circuito, la funzione di
trasferimento. Poli e zeri di un circuiti diagrammi di Bode e risposta in frequenza.
Filtri passivi del primo ordine: filtri RC passa alto e passa basso.
ANNO SCOLASTICO 2009/2010
INDICAZIONI E COMPITI PER GLI STUDENTI CON DEBITO FORMATIVO
L’esame scritto di recupero a settembre farà riferimento al fac-simile allegato, è
possibile portare i datasheet e gli appunti.
L’esame orale di recupero vertirà in particolarmdo su di un argomento a scelta da cui
poi si svilupperanno altri argomenti.
L’esame pratico consisterà nel disegno e nell’assemblaggio di uno schema circuitale
ORALE
argomenti (confronta il programma e il testo):
diodi: struttura, proprietà e applicazioni (raddrizzatori, limitatori, led…)
Tipi e applicazioni dei diodi studiati.
Transistor bipolare Bjt: struttura, proprità e applicazioni.
Polarizzazioni studiate: collettore comune, emettitore comune e automatica
La retroazione negativa e i relativi vantaggi
Definizione di AO e proprietà dell’AO ideale, configurazioni di base, invertente, non
invertente, sommatore e differenziale.
AO reale: il segnale comune, le correnti di bios e il CMMR
Risposta nel tempo e in frequenza di un circuito RC, RL
SCRITTO E LABORATORIO
Capacità richieste
Saper risolvere circuiti con diodi
Saper risovere circuiti con Bjt nelle configurazioni studiate
Saper risolvere e progettare semplici circuiti con l’A.O. ideale
Saper tracciare i diagramma di Bode in Ampiezza per semplici filtri passivi
COMPITI VACANZE PROPOSTI
Esercizi al termine del Modulo A2 del modulo B2 del modulo C1,C3 e D2.
Molti degli esercizi sono svolti e tutti hanno le soluzione alla fine del libro
ANNO SCOLASTICO 2009/2010
ESEMPIO DI ESAME DI RECUPERO
CLASSE E INDIRIZZO: IV° ANNO ITI ELETTRONICA E TELECOMUNICAZIONI
MATERIA: ELETTRONICA
DOCENTE: proff. BARONI
Esercizio 1
Vacpicco
12 Volts
3.3 Volts
Dati i circuiti a lato alimentati con un onda VZener
R
220 Ω
triangolare :
a) Disegnare le tensioni di uscita Vout1 e Vout2
b) Calcolare la corrente che fluisce nella R e la potenza max dissipata
dagli Zener
Esercizio 2
Determinare se il transistor BJT è in zona
attiva lineare o in saturazione (supporre
Ic=Ie e Vbe=0.7 Volts)
Vcc
hfe
Rb
Rc
12 Volts
100
113 KΩ
1.2 KΩ
Esercizio 3
Calcolare Ra e Rb da inserire per fare in modo che
la V out dell’invertente sia pari a -10 V se Vin è
un onda sinusoidale con 2 mV di picco.
Disegnarne l’uscita nel caso di un onda sinusoidale
di 1 Khz di frequenza: quotare sia l’asse delle X e
delle Y
Esercizio 4
Data la catena di Operazionali in figura::
• calcolare il guadagno di ogni singolo stadio
• disegnare lo schema a blocchi che lo rappresenta
• Calcolare l’uscita se all’ingresso mettiamo una tensione di
10uVolts di picco
R1
R2
R3
R4
1KΩ
1KΩ
1KΩ
12KΩ
R5
R6
R7
R8
1KΩ
18KΩ
1KΩ
180KΩ
Esercizio 5
a) Calcolare le R da inserire per limitare la corrente nei diodi a 20mA posto Vcc e Vz
come in tabella
b) Calcolare, viceversa, le correnti che fluiscono nei diodi supposti i valori delle R e
dell’alimentazione a lato
Vcc
VZener
Ra
Rb
Rc
Rd
12V.
4V.
2KΩ
3KΩ
4KΩ
5KΩ
