DIODI EMETTITORI DI LUCE (LED)
Verde / Green
CGK
G
Valori massimi assoluti / Absolute maximum ratings
Caratteristiche operative / Operating characteristics
( Ta = 25°C )
MG
MGK
PG
SG
Mega
Mega
Mega
Mega
Puro
Pure
Super
luminoso
Super bright
GaP
InGaAlP
GaP
InGaAlP
InGaAlP
GaP
Tensione inversa VR (V) / Reverse voltage
5
5
5
5
5
5
Corrente diretta IF (mA) / Forward current
30
25
30
30
25
25
Corrente diretta di picco iFS (1/10 duty cycle, 0,1 ms pulse width) / Forward peak current
150
140
150
150
135
140
Potenza PT (mW) / Power dissipation
105
105
105
105
105
105
Tensione diretta VF (tip.) (V; IF=20mA) / Forward voltage (typ)
2.1
2.2
2.1
2.1
2.25
2.2
(V; IF=10mA)
2.0
2.0
2.0
2.0
2.1
2.0
(V; IF=2mA)
1.9
1.9
1.9
1.9
1.9
1.9
Tensione diretta VF (max.) (V; IF=20mA, 10mA, 2mA) / Forward voltage (max)
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
Corrente inversa IR (µA ; VR=5V) / Reverse current
10
10
10
10
10
10
Lunghezza d'onda λP (nm; IF=20mA, 10mA, 2mA) / Wawelenght at peak emission
574
565
574
574
555
565
Lunghezza d'onda dominante λD (nm; IF=20mA, 10mA, 2mA) / Dominant Wawelenght
570
568
568
570
555
568
Linea spettrale semionda ∆λ1/2 (nm; IF=20mA, 10mA, 2mA) / Spectral line half width
20
30
26
20
30
30
Capacità (C) (pF ; VF=0; f= 1MHz) / Capacitance
15
15
20
15
45
15
Materiale del chip / Chip material
-40° ÷ +85°
Temper. di lavoro e immagazz. (C°) / Operating & storage temp. range
Verde / Green
COMP
COMP
LIGHT EMITTING DIODES
VG
VG-E
VG-H
ZG
InGaN
Valori massimi assoluti / Absolute maximum ratings
Caratteristiche operative / Operating characteristics
( Ta = 25°C )
Materiale del chip / Chip material
InGaN
InGaN
InGaN
Tensione inversa VR (V) / Reverse voltage
5
5
5
5
Corrente diretta IF (mA) / Forward current
30
30
30
25
Corrente diretta di picco iFS (1/10 duty cycle, 0,1 ms pulse width) / Forward peak current
105
120
120
150
Potenza PT (mW) / Power dissipation
75
120
125
105
Tensione diretta VF (tip.) (V; IF=20mA) / Forward voltage (typ)
3.5
3.5
3.7
3.3
(V; IF=10mA)
3.2
3.2
3.3
3.0
(V; IF=2mA)
2.7
2.7
2.7
2.65
Tensione diretta VF (max.) (V; IF=20mA, 10mA, 2mA) / Forward voltage (max)
4.5
4.5
4.1
4.1
Corrente inversa IR (µA ; VR=5V) / Reverse current
10
10
10
10
Lunghezza d'onda λP (nm; IF=20mA, 10mA, 2mA) / Wawelenght at peak emission
520
518
520
515
Lunghezza d'onda dominante λD (nm; IF=20mA, 10mA, 2mA) / Dominant Wawelenght
525
525
525
525
Linea spettrale semionda ∆λ1/2 (nm; IF=20mA, 10mA, 2mA) / Spectral line half width
38
36
35
30
Capacità (C) (pF ; VF=0; f= 1MHz) / Capacitance
45
50
45
45
-40° ÷ +85°
Temper. di lavoro e immagazz. (C°) / Operating & storage temp. range
Led blinkerati / Blinking led
H
Valori massimi assoluti / Absolute maximum ratings
Caratteristiche operative / Operating characteristics
( Ta = 25°C )
Rosso alta
luminosità
Bright red
I
SR
Rosso alta Rosso super
efficienza
luminoso
High eff. red Super br. red
Y
G
Giallo
Yellow
Verde
Green
Materiale del chip / Chip material
GaP
GaAsP/GaP
GaAlAs
GaAsP/GaP
GaP
Tensione inversa VR (V) / Reverse voltage
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
Tensione diretta VF (max.) (V) / Forward voltage (max.)
14
14
14
14
14
Potenza PT (mW) / Power dissipation
310
310
310
310
310
Corrente diretta IF min. (mA; VF=3.5V) / Forward current min.
8
8
8
8
8
Corrente diretta IF tip. (mA; VF=5V) / Forward current typ.
22
22
22
22
22
Corrente alimentazione ISON (mA; VF=3.5÷ 14V) / Supply current
8 ÷ 44
8 ÷ 44
8 ÷ 44
8 ÷ 44
8 ÷ 44
Frequenza di blinking f (Hz; VF=3.5÷ 14V) / Blink frequency
3 ÷ 15
3 ÷ 15
3 ÷ 15
3 ÷ 15
3 ÷ 15
Lunghezza d'onda λP (nm) / Wawelenght at peak emission
700
627
660
590
565
Lunghezza d'onda dominante λD (nm) / Dominant Wawelenght
660
625
640
588
568
Linea spettrale semionda ∆λ1/2 (nm; IF=20mA, 10mA, 2mA) / Spectral line half width
45
45
20
35
30
Temper. di lavoro e immagazz. (C°) / Operating & storage temp. range
-40° ÷ +70° ; -40° ÷ +85°
- 131 -
