per il settore scientifico-disciplinare n. (n. posti ) bandito con dr del

Corso di Elettronica I per Ingegneria Elettronica
Corso di Elettronica per Ingegneria Informatica e delle Telecomunicazioni
1a Prova in itinere – Parte fondamentale
10 Aprile 2003
1. Perché il diodo si definisce componente non lineare (illustrare sinteticamente a parole
e/o con l’ausilio di un grafico)?
2. Scrivere le relazioni tensione-corrente ai terminali di ingresso e di uscita di un biporta
scegliendo le tensioni come variabili indipendenti e le correnti come variabili
dipendenti. Indicare inoltre le dimensioni dei parametri utilizzati (es. ohm, siemens,
coefficienti adimensionali, etc…).
3. Disegnare con le indicazioni dei simboli un generatore controllato di tipo CCCS.
4. Cos’è il parametro VT e perché è importante nell’analisi del funzionamento del diodo a
semiconduttore?
5. Quanti e quali sono i possibili stati di funzionamento nel diodo a semiconduttore?
6. Cosa indica il parametro RZ ?
7. Che funzioni svolge il circuito di seguito riportato? Disegnare la forma d’onda ai capi
della resistenza R in relazione all’ingresso di tipo sinusoidale.
D1
iD
+
-
v =V
S
+
P
sin t
v
R
o
-
8. Indicare i versi di riferimento e le relazioni che legano le correnti e le tensioni in un
BJT npn. Utilizzare il simbolo circuitale del BJT.
9. Quali sono le tre variabili presenti nel piano delle caratteristiche di uscita di un BJT
npn a emettitore comune?
10. Cos’è il parametro F e che valori tipicamente assume nei BJT al Silicio?
1
11. Come si polarizza un BJT npn in regione attiva (in riferimento ai versi delle tensioni
da applicare alle giunzioni BE e CB)?
12. Per polarizzare il BJT in regione attiva sono necessarie due sorgenti di alimentazione
separate?
13. Disegnare un modello a piccolo segnale a ibrido con l’indicazione degli elementi che
sono presenti.
14. Che funzioni svolgono i condensatori di accoppiamento presenti negli amplificatori di
segnale?
15. Indicare il valore dell’impedenza presentata da (a) una capacità di 1 F alla frequenza
di 1 KHz; (b) una induttanza di 10 H alla frequenza di 2 KHz.
16. Risolvere il circuito di figura indicando il punto di lavoro di entrambi i diodi:
1 K
D1
D2
20 V
10 V
9 K
Nota: In mancanza di risoluzione completa e corretta dei punti 2, 4, 5 , 7, 8, 9, 11, 15, 16, la
prova non raggiungerà una valutazione di livello sufficiente.
2
Parte opzionale:

Quando un generatore di tensione con resistenza interna RS ≠ 0 e chiuso su un carico
resistivo R si comporta in maniera quasi ideale?

Disegnare la caratteristica I = f(V) di un diodo a semiconduttore indicandone anche
l’espressione analitica.

Cos’è il diodo Schottky?

Cos’è il parametro F e come è legato al F ?

Disegnare il modello semplificato in D.C. di un BJT polarizzato in regione attiva.

Perché con un BJT polarizzato in regione di saturazione non si può realizzare un
amplificatore?

Cos’è il parametro gm ?

Cos’è un condensatore di by-pass in un amplificatore di segnale?

Cos’è un filtro RC passa-basso? Disegnare il circuito indicando i punti di prelievo
della tensione di uscita.

Cos’è la tensione di Early e perché è importante nelle prestazioni di un BJT?
 Determinare il punto di riposo del BJT del circuito di figura.
VC
= 100
C
R
R
V
S
+
R
C
S
S
i
+V
S
CS
Zi
n
C
2
V
u
Q
R
1
D
V +
iCA
GS
C
RE
A
+V
C
RE
A
B
3
R
A
VCC = 30 V
VD R1 = 6.8 k
10
D
R2 =VDD
5.4=k
I RC V
= 1.5 k
RD = 1
D R =
1.0 k
V S k
REA = 500 
DS
REB = 3.5 k
CS → ∞Figur
CA → ∞a 2