Curriculum Vitae et Studiorum
Francesco Ruffino
1. Informazioni Personali
Nome
Cognome
Residenza
Telefono
E-mail
Cittadinanza
Data di nascita
Luogo di nascita
Sesso
Obblighi rispetto al servizio di leva
Francesco
Ruffino
Via Montegrappa 43-96100 Siracusa, Italia
3471880281
[email protected]
Italiana
4 Marzo 1980
Siracusa, Italia
Maschile
Milite-esente
2. Istruzione e Formazione
1999: Maturità Scientifica conseguita con votazione 100/100 presso il Liceo Scientifico Statale
“O.M. Corbino” di Siracusa;
2000-2004: Corso di Laurea in Fisica (2000-2004) presso la Facoltà di Scienze Matematiche,
Fisiche e Naturali dell’Università degli Studi di Catania;
27 Aprile 2004: Conseguimento della Laurea in Fisica (indirizzo Fisica della Materia) con
votazione 110/110 e lode, con la discussione di una tesi dal titolo “Proprietà di trasporto
elettronico in sistemi mesoscopici”, relatori Prof.ssa M. G. Grimaldi (Dipartimento di Fisica ed
Astronomia dell’Università degli Studi di Catania) e Dott. G. Piccitto (Dipartimento di Fisica ed
Astronomia dell’Università degli Studi di Catania);
Maggio 2005: vincita di un posto, con borsa di studio, relativamente al concorso per lo svolgimento
del Dottorato di Ricerca in Scienza dei Materiali (XX ciclo) presso l’Università degli Studi di
Catania. Argomento principale del corso: “Nanostructured materials and devices based on metal
nanostructures”, relatore Prof.ssa M. G. Grimaldi (Dipartimento di Fisica ed Astronomia
dell’Università degli Studi di Catania), supervisore Dott. V. Raineri (Consiglio Nazionale delle
Ricerche-Instituto per la Microelettronica e Microsistemi).
17-22 Ottobre 2005: Partecipazione (e conseguimento del relativo attestato di partecipazione) alla
“XI Scuola Nazionale di Scienza dei Materiali” tenutasi a Cortona, con argomento le
“Nanostrutture”. Durante detta Scuola è stato presentato e discusso, tramite presentazione via
poster, un lavoro dal titolo “Electronic collective transport in TiSi2 disordered nanocrystals array”;
27 Marzo 2006-19 Aprile 2006: Partecipazione al corso su “Transmission Electron Microsopy”
tenuto dal Dr. C. Spinella, del Consiglio Nazionale delle Ricerche-Istituto per la Microelettronica e
Microsistemi, nell’ambito delle attività di studio del Dottorato di Ricerca in Scienza dei Materiali
(XX ciclo) dell’Università degli Studi di Catania;
1
02-04 Maggio 2006: Partecipazione al corso su “Scanning Electron Microsopy” tenuto dal Dr. A.
La Mantia, della STMicroelectronics di Catania, nell’ambito delle attività di studio del Dottorato di
Ricerca in Scienza dei Materiali (XX ciclo) dell’Università degli Studi di Catania;
08-15 Maggio 2006: Partecipazione al corso su “Atomic Force Microsopy” tenuto dal Dr. V.
Raineri, del Consiglio Nazionale delle Ricerche-Istituto per la Microelettronica e Microsistemi,
nell’ambito delle attività di studio del Dottorato di Ricerca in Scienza dei Materiali (XX ciclo)
dell’Università degli Studi di Catania;
19-21 Dicembre 2006: Partecipazione al corso su “Esperimenti con luce di Sincrotrone” tenuto dal
Prof. G. Faraci, dell’Università degli Studi di Catania, e dal Dr. S. la Rosa, del Sincrotrone
ELETTRA di Trieste, nell’ambito delle attività di studio del Dottorato di Ricerca in Scienza dei
Materiali (XX ciclo) dell’Università degli Studi di Catania.
3. Attività Didattica e Professionale
15 Dicembre 2005-15 Marzo 2006: Svolgimento (previa vincita del relativo concorso) di 100 ore
di attività di tutorato (esercitazioni pratiche su Fisica dei Semiconduttori e dei dispositivi
Elettronici) per gli Studenti del corso di Fisica III del Corso di Laurea in Informatica dell’Università
degli Studi di Catania, tenuto dalla Prof. essa M. G. Grimaldi (del Dipartimento di Fisica ed
Astronomia dell’Università degli Studi di Catania);
04 Giugno 2004-04 Agosto 2004: Contratto a tempo determinato per attività di collaborazione al
fine della ricerca scientifica con il Dipartimento di Fisica ed Astronomia dell’Università degli Studi
di Catania nell’ambito del progetto di ricerca “Caratterizzazione di materiali nanocompositi”,
diretto dalla Prof.ssa M.G. Grimaldi.
4. Attività Scientifica
26-31 Settembre 2005: Partecipazione (e conseguimento del relativo attestato di partecipazione), in
qualità di assistente tecnico, al “XCI Congresso della Società Italiana di Fisica” tenutosi presso il
Dipartimento di Fisica ed Astronomia dell’Università di Catania;
28 Maggio 2006-2 Giugno 2006: Partecipazione (e conseguimento il relativo attestato di
partecipazione) all’annuale European Material Research Society Spring Meeting 2006 (Nizza,
Francia), con una presentazione orale dal titolo “Structural and electrical characterization of gold
nanoclusters in SiO2 films: realization of a nanoscale tunnel rectifier” nel simposio “Nanoscale
imaging and metrology of devices and innovative materials” e vincita, per detta presentazione, del
premio “Young scientist award”;
26-28 Giugno 2006: Partecipazione (e conseguito il relativo attestato di partecipazione) al “14th
Workshop on Dielectrics in Microelectronics” (Santa Tecla, Catania, Italy), con una
presentazione orale dal titolo “Electrical characterization of gold nanocrystals in SiO2 films: a
proposal for a prototype of an integrated Single Electron Transistor-MOS device at room
temperature” nella sessione “Novel materials, substrates”;
17-21 Settembre 2006: Coautore della presentazione orale “Size-dependent Schottky barrier height
in self-assembled gold nanoparticles on 6H-SiC” effettuata dal Dott. Filippo Giannazzo, del
2
Consiglio Nazionale delle Ricerche-Istituto per la Microelettronica e Microsistemi, durante il “4th
International Workshop on Nanoscale Spectroscopy and Nanotechnology” (Rathen, Germany);
18-22 Settembre 2006: Partecipazione (e conseguimento del relativo attestato di partecipazione)
alla “15th International Conference on Ion Beam Modification of Materials” (Taormina,
Messina, Italy), con presentazione di un poster dal titolo “Ripening and inverse ripening of gold
nanoclusters on the SiO2 surface induced by ion beam irradiation ” nella sessione “Novel
applications of ion beam processing”;
26 Maggio 2007-1 Giugno 2007: Partecipazione (e conseguimento il relativo attestato di
partecipazione) all’annuale European Material Research Society Spring Meeting 2007
(Strasburgo, Francia), con una presentazione orale dal titolo “Electrical Properties of NanoSchottky diodes” nel simposio “Self-assembling and Patterning” e vincita, per detta presentazione,
del premio “Young scientist award”;
15-19 Ottobre 2007: Partecipazione (e conseguimento del relativo attestato di partecipazione) al
“12th International Autumn Meeting on Gettering and Defect Engineering in Semiconductor
Technology (GADEST 2007)” (Erice, Trapani, Italy), con presentazione di un poster dal titolo
“Clustering of gold on 6H-SiC and local nanoscale electrical properties” ;
dal 2005: socio della Società Italiana di Fisica;
dal 2007: socio della Società Europea di Fisica.
5. Capacità e Competenze Personali
1) Madrelingua: Italiano;
2) Altre lingue: Inglese, ottimo nello scritto, nel parlato e nella comprensione;
3) Competenze teorico-scientifiche generali:
a) Fisica classica e moderna;
b) Fisica quantistica e relativistica;
c) Fisica e struttura della materia;
d) Termodinamica statistica e quantistica, fisica dei sistemi a molti corpi;
e) Fisica dello stato solido;
f) Teoria quantistica della materia, fisica atomica e molecolare;
g) Ottica quantistica e fotonica;
h) Fisica dei semiconduttori;
i) Fisica dei materiali;
j) Fisica delle superfici;
k) Fisica dei sistemi mesoscopici, dei sistemi a bassa dimensionalità e delle nanostrutture;
l) Fisica di clusters metallici e semiconduttori;
m) Teorie di charge density wave;
n) Teorie di self-assembling di sistemi a bassa dimensionalità.
4) Competenze tecnico-scientifiche generali:
a) eccellenti per tecniche di caratterizzazione morfologiche ed elettriche e di nanomanipolazione basate su “Atomic force microscopy”;
b) eccellenti per tecniche di caratterizzazione Hall;
c) eccelenti per tecniche di preparazione di film sottili nanostrutturati tramite “sputtering
deposition”;
3
d) eccellenti per tecniche di preparazione, caratterizzazione e manipolazione di materiali
nanostrutturati tramite fasci ionici (ion implantation, Rutherford backscattering
spectrometry,….);
e) eccellenti per tecniche di preparazione di film sottili nanostrutturati tramite “Physical
vapour deposition”;
f) eccellenti per tecniche di preparazione di materiali nanostrutturati tramite processi
termici;
g) buone per tecniche di caratterizzazione tramite “X-ray diffraction”;
h) buone per tecniche di caratterizzazione tramite “Transmission electron microscopy”;
i) basilari per tecniche di caratterizzazione tramite “Scanning electron microscopy”;
j) basilari per tecniche di caratterizzazione tramite ellissometria;
k) basilari per tecniche di preparazione di film sottili tramite “Molecular beam epitaxy”;
l) basilari per tecniche di preparazione di film sottili tramite “Chemical vapour
deposition”;
m) basilari per tecniche di preparazione di film sottili nanostrutturati tramite
“Nanoimprinting”;
n) basilari per tecniche di preparazione di dispositivi microelettronici tramite litografia
ottica.
5) Interessi teorico-tecnico-scientifici particolari:
a) Nanoelettronica e Nanotecnologie;
b) Materiali nanostrutturati innovativi;
c) Materiali polimerici innovativi;
d) Processi di self-assembling di nanostrutture;
e) Processi di realizzazione e caratterizzazione di materiali e dispositivi nanostrutturati;
f) Effetti collettivi, di disordine e percolativi in materiali nanostrutturati;
g) Effetti di elettrone singolo;
h) Giunzioni tunnel e superconduttrici;
i) Effetti di interferenza elettronica in dispositivi nanostrutturati (weak and strong
localization);
j) Effetti di interazione di campi, fotoni e ioni con materiali nanostrutturati;
k) Applicazioni di materiali e dispositivi nanostrutturati nei campi: elettronico,
optoelettronico, sensoristico, chimico, medico.
6) Conoscenze informatiche:
a) Sistemi operativi: approfondite di Windows 2000, 2003, XP; basilari di LINUX 10.0;
b) Linguaggi di programmazione: basilari di C++;
c) Programmi: ottime di Microsoft Word, Microsoft Excel, Microsoft Outlook, Microsoft
PowerPoint, Origin 5, 6, 7, Matcad 2000, Corel Draw e Photo Paint, Adobe Acrobat;
basilari di Gatan Digital Micrograph, SRIM 2003 e MATLAB 6.5.
6. Pubblicazioni
1) F. Ruffino, M. G. Grimaldi, F. Giannazzo, F. Roccaforte, V. Raineri, “Nanoscale voltage
tunable tunnel rectifier by gold nanostructures embedded in SiO2”, Applied Physics Letters N.
89, pag. 263108-1, 263108-3 (2006). Pubblicato on-line (www.apl.aip.org) il 27 Dicembre 2006
dall’American Institute of Physics.
2) F. Ruffino, M. G. Grimaldi, F. Giannazzo, F. Roccaforte, V. Raineri, "Size-dependent Schottky
barrier height in self-assembled gold nanoparticles”, Applied Physics Letters N. 89, pag.
243113-1, 243113-2 (2006); Pubblicato on-line (www.apl.aip.org) il 13 Dicembre 2006
dall’American Institute of Physics (anche citato sul numero del 25 Dicembre 2006 del “Virtual
Journal of Nanoscale Science and Technology”);
4
3) F. Ruffino, A. M. Piro, G. Piccitto, M. G. Grimaldi, “Electronic collective transport in
disordered array of C49-phase TiSi2 nanocrystals in Si” Journal of Applied Physics N. 101,
pag. 024316-1, 024316-6 (2007). Pubblicato on-line (www.jap.aip.org) il 22 Gennaio 2007
dall’American Institute of Physics.
4) F. Ruffino, A. Canino, M. G. Grimaldi, C. Bongiorno, F. Giannazzo, F. Roccaforte, V. Raineri,
“Self-organization of gold nanoclusters on hexagonal SiC and SiO2 surfaces”, Journal of
Applied Physics N. 101, pag. 064306-1, 064306-7 (2007); Pubblicato on-line (www.jap.aip.org)
il 22 Marzo 2007 dall’American Institute of Physics.
5) F. Ruffino, M. G. Grimaldi, “Structural and electrical characterization of gold nanoclusters in
SiO2 films: realization of a nanoscale tunnel rectifier”, Microelectronic Engineering N. 84,
pag. 532-537 (2007). Pubblicato on-line (www.sciencedirect.com) il 17 Novembre 2006
dall’Elsevier.
6) F. Ruffino, R. De Bastiani, M. G. Grimaldi, C. Bongiorno, F. Giannazzo, F. Roccaforte, C.
Spinalla, V. Raineri, “Self-organization of Au nanoclusters on the SiO2 surface induced by
200keV-Ar+ irradiation”, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B N. 257, pag.
810-814 (2007). Pubblicato on-line (www.sciencedirect.com) il 19 Gennaio 2007 dall’Elsevier.
7) F. Ruffino, C. Bongiorno, F. Giannazzo, F. Roccaforte, V. Raineri, M. G. Grimaldi, “Effect of
surrounding environment on atomic structure and equilibrium shape of growing
nanocrystals: gold in/on SiO2”, Nanoscale Research Letters, N. 2, pag. 240-247 (2007)
Pubblicato on line (www.Springer.com) l’8 Maggio 2007 dalla Springer, New York.
8) F. Ruffino, F. Giannazzo, F. Roccaforte, V. Raineri, M. G. Grimaldi, “Self-assembled metal
nanostructures in semiconductors structures”, in press in “Lectures Notes on Nanoscale
Science and Technology”, Springer (New York).
7. Prospettive per le Attività di Interesse Lavorativo
1) Attività scientifica di ricerca d’avanguardia per lo sviluppo di materiali innovativi (materiali
nanostrutturati, polimerici, ecc.);
2) Attività scientifica di ricerca d’avanguardia per lo sviluppo di tecniche innovative per la
realizzazione dei suddetti materiali;
3) Attività scientifica di ricerca d’avanguardia per lo sviluppo di tecniche innovative per la
caratterizzazione (strutturale, elettrica, ottica, meccanica) dei suddetti materiali;
4) Attività scientifica di ricerca d’avanguardia per lo sviluppo di dispositivi innovativi basati sui
suddetti materiali per applicazioni nei campi elettronico, ottico, medico, chimico, ambientale,
sensoristico, energetico, ecc.
5
