APPUNTI DI SISTEMI anno V 92_TRASDUTTORI FOTOELETTRICI I dispositivi fotoelettrici presentano una finestra trasparente all’interno della quale è realizzata una lente convergente. Fotoresistenza Fotodiodo Fototransistor Il fotoresistore NORP-12 I fotoresostori sono costituiti da materiale semiconduttore leggermente drogati. Quando la superficie sensibile del fotoresistore è esposta alla luce, l’energia raggiante assorbita provoca la rottura dai legami covalenti generando cariche libere e pertanto aumentando la conducibilità e quindi diminuendo la resistenza del semiconduttore. Il legame tra la resistenza e l’illuminamento “E” è dato da: R A E Resistenza [k ] in genere la caratteristica Resistenza-Illuminamento è fornita a mezzo di un grafico Caratteristiche elettriche Valori Unità di misura Tensione Max di picco (AC- DC) 320 V 75 75 -6075 mA mW °C Corrente Max Potenza Max Range di temperatura In cui si evidenzia una forte non linearità della caratteristica “R-Lux” e la pendenza negativa vale a dire all’aumentare dell’illuminamento si ha una diminuzione della resistenza, pertanto in fase di condizionamento si dovrà provvedere a invertire la caratteristica e a linearizzarla tramite una resistenza di linearizzazione ( vedi: Termistore NTC). Pagina 1 di 5 1 APPUNTI DI SISTEMI anno V 92_TRASDUTTORI FOTOELETTRICI Esempio: Progettare un circuito di condizionamento per il fotoresistore NORP-12 in modo da avere una tensione d’uscita variabile linearmente da –5[V] a +5[V] quando l’illuminamento varia Resistenza [k ] nell’intervallo 10 1000 [lux]. Caratteristiche elettriche Valori Unità di misura Tensione Max di picco (AC- DC) 320 V 75 75 -6075 mA mW °C Corrente Max Potenza Max Range di temperatura 3 0.5 Lux Svolgimento: Dal grafico ricavo una resistenza : R10 Lux = 10000 [] ; R1000 Lux = 500 [] e dovendo linearizzare mi serve il valore della resistenza all’illuminamento medi , ottenendo: R100 Lux = 3000 [] Dimensionamento della RL L’espressione da utilizzare per dimensionare la resistenza di linearizzazione è: RL R( Emed ) R( E min) R( E max) 2 R( E min) R( E max) R( E min) R( E max) 2 R( Emed ) applicandola: RL 3000 10000 500 2 10000 500 4777[] 10000 500 2 3000 Pagina 2 di 5 2 APPUNTI DI SISTEMI anno V 92_TRASDUTTORI FOTOELETTRICI Il circuito di condizionamento Verifica della corrente che attraversa il fotoresistore: Ci mettiamo nella condizione peggiore, vale a dire massima corrente cioè minima resistenza e questa condizione si avvera a E(illuminamento)=1000 [lux] R= 500 [], pertanto: I (1000 lux ) 12 12 0.0023[ A] 0.075[ A] ( Rlux RL ) 500 4777 dimensionamento di R1 R1 R10lux 10[ k] per bilanciare il ponte fisso calcolo di VAB=VA-VB mi pongo nella condizione di E=1000[lux], pertanto R1000lux=500[] VA1000lux 12 R1000lux 500 12 1.14[V ] R1000lux RL 500 4777 VB1000lux 12 R1 10000 12 8.12[V ] R1 RL 10000 4777 VAB 1.14 8.12 6.98[V ] Dimensionamento della RG Faccio il modo di portare l’uscita del primo amplificatore V0=10[V], pertanto il guadagno G dovrà essere : G Vo 10 1.43 V AB 6.98 Per dimensionare la RG utilizzo la formula fornita da costruttore: G 1 50 10 3 50 10 3 50 10 3 da cui RG 116279[] G 1 1.43 1 RG Pagina 3 di 5 3 APPUNTI DI SISTEMI anno V 92_TRASDUTTORI FOTOELETTRICI Fino a questo punto il circuito mi fornisce una tensione variabile tra 010[V]. La richiesta era di ottenere una tensione variabile tra -55[V], per ottenerla dispongo in cascata un altro amplificatore per strumentazione INA111 che amplifichi il segnale differenziale di uno, pertanto RG 2 50 10 3 50 10 3 circuito aperto G 1 11 Il Fotodiodo Se la giunzione di un fotodiodo, polarizzata inversamente, è sottoposta a radiazioni luminose, all’interno della zona di svuotamento si genera una fotocorrente la cui caratteristica Fotocorrente [uA] corrente/illuminamento è quasi lineare come si evince dalla seguente figura: 2 Pagina 4 di 5 4 APPUNTI DI SISTEMI anno V 92_TRASDUTTORI FOTOELETTRICI Circuito di condizionamento: Il Fototransitor Si basa sullo stesso principio di funzionamento del fotodiodo, raggiungendo una sensibilità superiore. Pagina 5 di 5 5