Nome: Fabio Castellini
Prima esperienza
Data: 28/10/2014
IL DIODO:
Esso è un componente elettrico che, per definizione, fa fluire la corrente in un solo verso;
idealmente può essere visto come un interruttore che interrompe la corrente o la fa passare
(dall’anodo verso il catodo), a seconda del settaggio. Il diodo è
un bipolo polarizzato (ha una polarità che invertita fa cambiare
il comportamento del componente) detto impropriamente
attivo poiché gli elementi attivi non necessitano di
alimentazione, a differenza di quelli passivi, ma il diodo con
polarità inversa ha una caduta di tensione di 0,6 V circa.
TIPI DI POLARIZZAZIONE:
Polarizzazione diretta: all’anodo viene applicato un potenziale positivo (si può paragonare
il diodo in figura ad un interruttore normalmente chiuso).
Polarizzazione inversa: al catodo viene applicato un potenziale positivo (si può paragonare
il diodo in figura ad un interruttore normalmente aperto).
ESPERIENZA:
Abbiamo usato un diodo N4007 e, dopo aver disegnato gli schemi funzionali ed eseguito i calcoli,
abbiamo cablato il tutto su breadboard effettuando le opportune misure e confrontando i valori con
quelli precedentemente calcolati:
DIODO POLARIZZATO DIRETTAMENTE
Circuito cablato con configurazione diodo polarizzato direttamente:
DIODO POLARIZZATO INVERSAMENTE
Circuito cablato con configurazione diodo polarizzato inversamente:
GIUNZIONI P-N
P (fonte wikipedia):
Con il termine giunzione p-n si indica l'interfaccia che separa le parti di un semiconduttore
sottoposte a drogaggio di tipo differente.
differente La giunzione p-nn è composta da due zone: una con un
eccesso di elettroni (strato n) e una ad eccedenza di lacune (strato p). Le eccedenze di elettroni e
lacune si ottengono mediante drogaggio, con varie tecniche. Il termine giunzione fa riferimento alla
regione in cui si incontrano i due tipi di drogaggio (P e N). La regione di confine tra i blocchi di tipo
P e di tipo N, detta zona/regione di
carica spaziale (o di svuotamento), è
praticamente priva di portatori liberi;
tra i due lati della zona di carica
spaziale vi è una differenza di
potenziale costante, chiamata tensione
di built-in.
in. La larghezza della zona di
carica spaziale dipende dai drogaggi e
da ciascun lato è inversamente
proporzionale al drogaggio del
semiconduttore.
